本实用新型提供了一种查找物品的装置，包括：用于采集存放或者拿取物品时的图像信息的图像采集器；用于存储图像信息以及图像信息与相对应物品的编号之间对应关系的处理器，图像采集器的信号输出端与处理器相连接；以及与处理器的信号输出端连接的、显示与...

本发明涉及出版领域，尤其涉及一种页面模板替换方法和装置，包括：按容器的属性，将待替换的页面模版和选定的页面模版中的容器分别进行分类；依据设定的条件，将所述待替换的页面模版中同一类型的容器进行排序得到待替换容器序列；依据所述设定的条件，将...

本发明提供了一种二极管的制备方法和一种二极管，其中，所述方法包括：在衬底结构的第一外延层上形成氧化层；对所述第一外延层和所述氧化层进行刻蚀，以形成与所述第一外延层接触的沟槽；在所述沟槽中填充第二外延层，形成超结结构，以完成所述二极管的制...

本发明公开了一种舆情信息获取方法及装置，该方法包括：接收客户端发送的舆情信息获取请求，根据所述待获取的舆情信息的行业主题，从舆情规则词库中确定与所述待获取的舆情信息的行业主题对应的舆情规则词组，对舆情数据库中的舆情信息进行筛选，获取与所...

本发明公开一种场限环和结终端扩展复合分压结构及该结构的制造方法，所涉及的场限环和结终端扩展复合分压结构较现有的结终端扩展结构的抗击穿能力更强。所述结构包括：硅晶片、主结区域、N型外延层、N型注入区域、P型注入区域和介质层；其中，所述主结...

本发明提出了一种超结功率器件的制备方法和超结功率器件，其中，上述制备方法，包括：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；在第一外延层和第二外延层内形成垂直于衬底的沟槽，沟槽的深度等于第一外延层和第二外延层的厚度之和；在第一外延层对应的沟...

本发明实施例公开了一种确定服务方案的方法及装置。本发明实施例通过获取租户的请求信息，根据租户请求消息获取与请求消息中包含的需求目标相匹配的第一目标服务；根据第一目标服务，查询第二服务粒度空间，获取第二服务粒度空间中与第一目标服务对应的第...

本发明提供一种帕博昔布晶型A的制备方法。该制备方法简单易行，使用试剂均为常规试剂，适合工业化大生产的需求，并且产品纯度高，满足药用晶型对纯度的要求。

本发明公开了一种瑞伐他汀钙中间体的制备方法。所述中间体的结构如式d所示，其中R2为H或者C1‑C6的烷基或环烷基。所述制备方法是将具有苄醇类保护基或硅醚类保护基的式a化合物依次经环碳酸酯保护、脱羟基保护基和氧化得到式d化合物。本发明为瑞...

本发明提供一种进出管理方法和系统，该方法中，首先，获取一个或多个门禁记录，所述门禁记录包括身份识别号、进出类型和时间，所述门禁记录为其对应的身份识别号的最新的门禁记录；然后，获取每个所述门禁记录的进出类型；若所述门禁记录对应的进出类型为...

本发明提供一种治疗脂肪肝，特别是治疗非酒精性脂肪肝的中药组合物。本发明中药组合物为柴胡、决明子、山楂、枸杞子。本发明中药组合物具有保肝疏肝、滋补肝肾、降血脂的作用。

本发明提供了一种皮带定位装置和包括所述皮带定位装置的常压化学气相沉积设备，该皮带定位装置包括：基座；调节件，调节件的一端安装在基座上，并伸出基座，调节件的另一端设置有连接件；限位件，限位件包括限位轮轴及限位轮，限位轮轴的一端与连接件连接...

本发明涉及数字排版领域，公开了一种应用于文件格式转换场景下的目录生成方法和装置，包括：读取第一文档，利用匹配规则，设置所述第一文档中符合所述匹配规则的内容的样式为第二文档可识别的标题样式，所述匹配规则为预设内容与标题样式的对应关系；根据...

本发明公开了一种云校样的控制方法及其系统，包括：获取用户上传的待审核的源文件；将所述源文件经过光栅化处理生成初始页面点阵数据；接收针对所述初始页面点阵数据的审核意见，根据所述审核意见排版后生成排版后的页面点阵数据，并存储所述排版后的页面...

本发明公开了一种回收处理二甲胺废水的方法。将工业生产中的二甲胺废水进行精馏操作，得到质量百分含量为5％～50％的二甲胺水溶液，然后以二甲胺水溶液、二硫化碳和氧化锌为原料一步法合成二甲基二硫代氨基甲酸锌。该方法实现了二甲胺废水的回收利用，...

本发明提供了一种字符处理方法和处理系统，其中，所述字符处理方法包括：获取基础字符库中的所有字符的第一特征信息，以形成特征信息库；获取补字字符的第二特征信息；将所述第二特征信息与所述特征信息库中的所有所述第一特征信息进行匹配；根据匹配结果...

本发明实施例公开了双扩散金属氧化物半导体DMOS器件有源区的制作方法及DMOS器件。本发明实施例中通过在N型衬底上形成N型外延层、栅氧化层和掺杂的多晶硅层，并形成栅极区域及凹槽；在所述N型外延层内形成P型体区,在所述P型体区内形成N型源...

本发明涉及一种射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法，其中方法包括：通过对待生成体区、源区、漂移区和漏区的浓衬底的区域进行刻蚀，形成沟槽区域，在沟槽区域生长轻掺杂外延层，对轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区，使得...

本发明提供一种超结MOSFET器件及其制造方法，包括：外延层、位于所述外延层中的器件区和位于所述器件区外围的终端结构；其中，所述终端结构包括：位于所述器件区的外围，且位于所述外延层的表面内的多个掺杂区，所述多个掺杂区的导电类型与所述外延...

本发明提供一种沟槽型VDMOS器件的制备方法，该方法包括：在半导体硅基底上形成沟槽；通过氧化层窗口向沟槽中注入N型离子，形成沟槽积累区；去除氧化层，在沟槽中依次形成栅氧化层和多晶硅；向硅基底中注入P型离子，形成沟槽型VDMOS器件的体区...