北大方正集团有限公司专利技术

北大方正集团有限公司共有3991项专利

  • 无接触孔的场效应管的制造方法和无接触孔的场效应管
    本发明提出了一种无接触孔的场效应管的制造方法和一种无接触孔的场效应管,方法包括:在衬底上生长外延层,在外延层上生长第一氧化层;在第一氧化层和外延层上刻蚀多个深沟槽;在多个深沟槽中的每个深沟槽中生长第二氧化层;在第一氧化层和第二氧化层上生...
  • 一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
    本发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法,包括:第一导电类型半导体衬底;位于所述第一导电类型半导体衬底之上的第一导电类型外延层;位于所述第一导电类型外延层之上的栅氧化层;以及,位于所述栅氧化层之...
  • 本发明提供一种治疗脂肪肝,包括酒精性脂肪肝及非酒精性脂肪肝的中药组合物。该中药组合物以丹参、姜黄、山楂、枸杞子为原料药制成。本发明的中药组合物具有活血祛瘀、行气散瘀、降血脂的作用。
  • 一种用于超结器件的外延片的制作方法和结构
    本发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种用于超结器件的外延片的制作方法和结构,包括:将第二导电类型掺杂剂通过第一导电类型半导体单晶片的第一表面进行掺杂,在第一导电类型半导体单晶片中形成第二导电类型掺杂区;在所述第二导电类型掺杂区形成交替相...
  • 一种超结器件终端分压区的结构和制作方法
    本发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种超结器件终端分压区的结构和制作方法,包括:第一导电类型衬底;设置在所述第一导电类型衬底之上的第一导电类型的外延层;所述外延层内设置有分压区的第二导电类型掺杂柱,所述分压区的第二导电类型掺杂柱与有源区...
  • 本发明提供了一种具有解酒防醉作用的中药组合物,由下列中药材制成:葛花、竹茹、肉豆蔻、乌梅。该中药组合物用于治疗和缓解轻度酒精急性中毒和轻度酒精慢性中毒,并可用于预防醉酒。
  • 一种生成数字化字帖的方法及装置
    本发明公开了一种生成数字化字帖的方法及装置,该方法包括:获取字帖生成请求,所述字帖生成请求中包含字帖的属性信息、待生成字帖的字体风格以及待生成字帖的文字,然后根据所述待生成字帖的字体风格,获取所述待生成字帖的字体风格对应的字库,根据所述...
  • 沟槽型瞬态电压抑制器件及其制造方法
    本发明提供了一种沟槽型瞬态电压抑制器件及其制造方法,方法包括:在硅片上依次生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层;在生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层后的硅片上刻蚀多个第一沟槽;使用所述第一氧化硅层、氮化硅层和所述第二氧化硅层作...
  • 平面型VDMOS器件的制作方法
    本发明实施例提供一种平面型VDMOS器件的制作方法。该方法包括:在N型衬底的N型外延层上表面依次生长栅氧化层和多晶硅层,并在N型外延层中生成P-区和N+源区;对栅氧化层进行光刻、刻蚀处理,以露出P-区和部分N+源区;从露出的P-区的表面...
  • 双向瞬态电压抑制器件及其制造方法
    本发明提供了一种双向瞬态电压抑制器件及其制造方法,方法包括:在硅片的上表面上制备第一掺杂硅层;在硅片的下表面上制备第二掺杂硅层;在所述硅片上刻蚀多个沟槽,并在每个沟槽内填充氧化硅;去除填充氧化硅后的硅片表面的氧化硅,并制备介质层;制备多...
  • 金属氧化物功率器件的制备方法及金属氧化物功率器件
    本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及一种金属氧化物功率器件,所述制备方法包括:制备形成有电容区和器件区的衬底结构,其中,所述衬底结构包括衬底,所述电容区和所述器件区形成于所述衬底的一侧;在所述器件区内形成第一金属电极,在所述电...
  • 射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
    本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法,其中制作方法包括:在衬底中形成沟槽,在所述沟槽内形成外延层,所述外延层的上表面与所述衬底的上表面齐平,在所述外延层中形成源区,在所述衬底与所述源区的表面形成金属连接层,以使所...
  • 本发明公开了一种溴甲纳曲酮的制备方法。该法以纳曲酮为起始原料,经溴甲烷甲基化,得到溴甲纳曲酮粗品,再使之成盐、酸化精制得溴甲纳曲酮。本发明工艺操作简便,科学合理,产品纯度和收率均较高。
  • 本发明提供了一种具有解酒防醉作用的中药组合物,由下列中药材制成:葛花、神曲、白茅根、陈皮。该中药组合物用于治疗和缓解轻度酒精急性中毒和轻度酒精慢性中毒,并可用于预防醉酒。
  • 一种功率二极管的制造方法及功率二极管
    本发明涉及一种功率二极管的制造方法及功率二极管,所述方法通过在半导体衬底上制备N型外延层;在所述N型外延层上方依次制备氧化硅层和多晶硅层;刻蚀所述氧化硅层和多晶硅层的预设位置以形成与N型外延层相接触的沟槽;在所述N型外延层内形成P型离子...
  • 功率器件的制备方法及功率器件
    本发明提供了一种功率器件的制备方法和一种功率器件,其中,方法包括:制备具有栅极氧化层的衬底结构,其中,衬底结构包括外延层;在栅极氧化层上形成多晶硅层,对多晶硅层进行图形化处理,以暴露出栅极氧化层;通过暴露出的栅极氧化层在外延层中形成体区...
  • 超势垒二极管的加工方法和超势垒二极管
    本发明提供了一种超势垒二极管的加工方法和超势垒二极管,所述加工方法包括:在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、多晶硅层和绝缘层;在绝缘层上形成图形化掩膜层后,对绝缘层进行各向同性刻蚀,以形成绝缘层掩膜结构;以形成的绝缘层掩膜结构为掩...
  • 避免重复处理文件的方法及装置
    本发明实施例提供一种避免重复处理文件的方法及装置。该方法包括:依据备份目录判断目标目录下存储的目标文件是否为已处理文件,备份目录存储有已处理文件;若目标文件为已处理文件,则不处理目标文件;若目标文件不是已处理文件,则处理目标文件。本发明...
  • 稿件统计方法和稿件统计系统
    本发明提出了一种稿件统计方法和一种稿件统计系统,其中,所述方法包括:对当前稿件进行归纳统计,以确定所述当前稿件的稿件归纳信息;根据接收到的用户输入的统计参数信息,分别获取多个所述当前稿件中的每个所述当前稿件的所述稿件归纳信息,以形成归纳...
  • 恒流二极管的制作方法和恒流二极管
    本发明提供一种恒流二极管的制作方法和恒流二极管,包括:在基底的表面形成第一掩膜层;以所述第一掩膜层为掩膜,对所述基底进行离子注入,形成离子注入层;在所述离子注入层的上方形成第二掩膜层;去除所述第一掩膜层;以所述第二掩膜层为掩膜,对所述基...