本发明涉及印刷领域，特别涉及一种印刷流程软件中用于进行智能工作的方法及装置，用以解决印刷流程软件只能实现单一的工作模式的问题。本发明实施例印刷流程软件中用于进行智能工作的方法，包括：调度处理器调用前继节点对目标文件进行处理，在监测到前继...

本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。首先，在第一类型半导体衬底的上表面形成第二类型外延层，在所述第二类型外延层中刻蚀出沟槽；其次，在所述沟槽内生长第一类型外延层；依次生长栅氧化层和多晶硅层，所述多晶...

本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。首先，在第一类型半导体衬底的上表面形成第二类型外延层，在所述第二类型外延层中刻蚀出沟槽；其次，在所述沟槽的内壁上形成第一类型掺杂层；在所述沟槽中填满硅氧化物；依次...

本发明提供了一种基于语义的PDF文档的处理方法及处理装置。本发明涉及文件处理技术领域。所述处理方法，包括：获取PDF文档的对象模型；提取所述对象模型的目录簿；根据所述目录簿查找PDF的文章线索记录；对所述文章线索记录中的逻辑对象进行处理...

本发明公开了一种高纯度埃索美拉唑钠的制备方法。该方法成本低，收率高，产品质量好，纯度可达到99.9％以上。

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的失效分析方法，用以通过简单的方法显现出半导体结构的结形貌，从而根据该结形貌对半导体结构进行失效分析。本发明实施例中，将待观察半导体放入预处理溶液中浸泡第一时长，以暴露待观察半导体的...

本发明提供了一种结型场效应管的制作方法，所述方法包括：S1.在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；S2.在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入；S3在所述栅极区左侧的N沟道或P沟...

本发明公开了一种数据替换方法及系统，应用于XML数据库，其中该数据替换方法包括：查找待替换数据的目标地址；检测目标地址上是否存在与待替换数据名称相同的旧值数据；如果目标地址上存在旧值数据，将待替换数据替换旧值数据；如果目标地址上不存在旧...

本发明提供了一种电容的制作方法、一种电容和一种电容组件，其中，电容的制作方法，包括：在形成的P阱区和N阱区的硅片基材上形成场氧化层；刻蚀去除N阱区的中心区域的上方的场氧化层；在N阱区的中心区域的上方形成图形化的栅氧化层和多晶硅层；在至少...

本发明公开了一种沟槽型超结功率器件及其制作方法，其中，制作方法包括：在衬底上形成P型外延层，对其注入N型离子形成N型源区层；在其上方形成氧化层，对其及N型源区层和P型外延层刻蚀形成贯穿该三层且底部位于衬底上表面与N型源区层下表面之间的第...

本发明提供了一种半导体器件的制作方法和一种半导体器件，其中，所述半导体器件的制作方法，包括：在形成有外延层的衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层；对多晶硅层的第一区域和第二区域进行刻蚀，以形成第一栅极和第二栅极；通过所述第一区域和所述第二区...

本发明所提供的淬透性钢的生产方法中，在电炉冶炼步骤中，精确控制出钢C含量在0.04％以下，在一定温度下，由于碳氧积恒定，所以当C含量降低后，会使氧含量保持一个较高的水平，方便下一步脱氧时，精确控制脱氧剂的铝铁的用量，进而可以控制在对生成...

本发明提出了一种词汇识别方法和一种词汇识别系统，其中，所述词汇识别方法包括：根据接收到的词汇识别命令，从待处理文本中获取多个候选关键词，并将多个候选关键词发送至统计单元；通过统计单元接收多个候选关键词，统计多个候选关键词的参数信息，并将...

本发明实施例提供一种半导体工艺流程控制方法及装置。该方法包括：获取半导体各个工艺步骤对应的工艺标准、检测标准和质量管理标准；若工艺标准、检测标准和质量管理标准不相等，则通知工艺人员修改工艺标准、通知测试人员修改检测标准和/或通知品质管控...

本发明公开了一种垂直双扩散MOS器件的制作方法，通过在已形成的多晶栅极、预设厚度的栅氧化层和凹槽上进行体区注入，以形成位于凹槽下方的外延层表面内的第一注射区；在器件的表面上沉积第一氮化硅层；刻蚀去除位于多晶栅极上方和位于凹槽底部的第一氮...

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种超结器件外延片的制作方法，包括：在第一导电类型半导体单晶片的第一表面形成交替相邻的多个沟槽和多个台面；在所述台面和所述沟槽的侧壁倾斜注入第二导电类型的掺杂剂，形成第二导电类型的掺杂区；去除所述台面上...

本发明涉及一种功率器件及其制造方法，所述功率器件包括外延层，所述外延层具有截止环区域，在所述外延层的截止环区域形成有多个相间隔的截止环。通过设置多个截止环，当耗尽层电场过强时，如果有一个截止环被击穿，其他截止环还可以起到终止电场的作用，...

本发明提供了一种射频三极管的制作方法及射频三极管，其中，制作方法包括：在射频三极管半成体的第二氧化层上制作连通P+基区的第一接触孔和连通P－基区的第二接触孔，然后分别在场氧化层表面、第二氧化层表面、第一接触孔及第二接触孔内淀积多晶硅，并...

本发明提出了一种基于MES系统的半导体制造控制方法及系统，其中，基于MES系统的半导体制造控制方法包括：从MES系统中获取半导体的生产数据；根据接收到的来自作业监测账户的创建命令和半导体的生产数据，创建生产异常单据，并向MES系统发送停...

本发明提供了一种半导体元件的制备方法及半导体元件，其中，所述制备方法包括：在介质层上形成与衬底连通的第一接触孔，其中，所述介质层位于所述衬底上；在所述第一接触孔的表面形成氮化硅层，且在位于所述第一接触孔的底部的所述氮化硅层上形成与所述衬...