VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件技术

本发明专利技术公开了一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，其中VDMOS器件包括：基底、凹槽、体区，其中，凹槽形成基底内，体区形成在基底内，体区与凹槽相邻，体区包括第一子区部和第二子区部，第二子区部的深度大于第一子区部的深度第一子区部贴设于凹槽两侧，第二子区部与凹槽间隔预设距离，预设距离的宽度与第一子区部的宽度相等。本发明专利技术的VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，第二子区部的深度大于第一子区部的深度，因此在对器件外加反偏电压时，形成的耗尽层可以抵消沟槽间形成的电场集中，从而提高了器件的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉半导体器件及其制造方法，尤其涉及一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件。
技术介绍
由于垂直双扩散金属氧化物半导体器件(VDMOS，Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)具有高输入阻抗、低驱动功率、以及优越的频率特性和热稳定性等特点，广泛地被应用于开关电源，汽车电子，马达驱动，高频振荡器等多个领域。击穿电压是衡量VDMOS器件特性的一个重要参数，但是对于沟槽型VDMOS器件来说，当器件外加反偏电压时，器件的耗尽区沿沟槽的方向会出现电场集中的现象。图1为现有技术的VDMOS器件外加反偏电压时的结构示意图，该VDMOS器件包括：基底100、第一沟槽200、第二沟槽201、体区300和耗尽层400，由于沟槽的存在导致器件内部在第一沟槽200和第二沟槽201的中间处耗尽层400会出现电场集中的尖峰4000。而这种电场集中的现象会导致器件的击穿电压降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，以克服现有的沟槽型VDMOS在外加反偏电压时耗尽层出现电场集中的尖峰，进而影响到器件的击本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底中形成凹槽；在所述凹槽中形成多晶硅层，所述多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第二多晶硅层位于所述第一多晶硅层上方且所述第二多晶硅层的下表面与所述基底的上表面齐平；在所述基底上形成侧墙，所述侧墙贴设于所述第二多晶硅层的两侧；以所述第二多晶硅层和所述侧墙为掩膜，进行第一次离子注入，在所述基底的内部形成第一体区；去除所述第二多晶硅层和所述侧墙；对所述基底进行第二次离子注入，形成第二体区，所述第二体区包括相邻的第一子区部和第二子区部，所述第一子区部与所述凹槽相邻，所述第二子区部的深度大于所述第一子区部的深度。

【技术特征摘要】
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底中形成凹槽；在所述凹槽中形成多晶硅层，所述多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第二多晶硅层位于所述第一多晶硅层上方且所述第二多晶硅层的下表面与所述基底的上表面齐平；在所述基底上形成侧墙，所述侧墙贴设于所述第二多晶硅层的两侧；以所述第二多晶硅层和所述侧墙为掩膜，进行第一次离子注入，在所述基底的内部形成第一体区；去除所述第二多晶硅层和所述侧墙；对所述基底进行第二次离子注入，形成第二体区，所述第二体区包括相邻的第一子区部和第二子区部，所述第一子区部与所述凹槽相邻，所述第二子区部的深度大于所述第一子区部的深度。2.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述在基底中形成凹槽包括：在所述基底上表面形成第一保护层；以所述第一保护层为掩膜，在所述基底中形成所述凹槽。3.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述基底上形成侧墙包括：在所述基底的上表面、所述第二多晶硅层的上表面和侧面形成第二保护层，纵向刻蚀所述第二保护层，形成所述侧墙。4.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵圣哲，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11