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本发明公开了一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，其中VDMOS器件包括：基底、凹槽、体区，其中，凹槽形成基底内，体区形成在基底内，体区与凹槽相邻，体区包括第一子区部和第二子区部，第二子区部的深度大于第一子区部的深度第一子区部贴设于...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。