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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
受引导的图案化装置的检查制造方法及图纸
本文中描述了一种用于图案化装置的检查的方法。该方法包括:获取(i)图案化装置制造工艺的图案化装置设备数据,(ii)基于图案化装置设备数据的图案化装置衬底图,以及(iii)基于图案化装置衬底图的、经预测的与图案化装置相对应的工艺窗口限制的...
光刻方法和设备技术
一种光刻设备,包括:支撑结构(MT),所述支撑结构被构造成支撑掩模(MA)和相关联的表膜(P),所述掩模能够在辐射束的横截面中向所述辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束(PB);和投影系统(PS),所述投影系统被配置成将所述经图案化的辐...
辐射源制造技术
描述了一种激光产生等离子体类型的辐射源(SO)。所述辐射源(SO)包括液滴发生器(3a),所述液滴发生器(3a)被配置成提供燃料液滴(60)。所述辐射源(SO)包括激光系统(1),所述激光系统(1)被配置成提供前置脉冲和主脉冲。所述前置...
训练用于计算光刻术的机器学习模型的方法技术
本文描述了训练与图案化过程相关的机器学习模型的不同方法。本文描述了一种用于训练被配置成预测掩模图案的机器学习模型的方法。该方法包括获得:(i)图案化过程的被配置成预测衬底上的图案的过程模型,其中该过程模型包括一个或更多个经训练的机器学习...
光刻工艺中的对齐标记定位制造技术
用于通过如下方式确定对齐标记的位置的方法和装置,对齐标记使用光刻工艺而被施加到衬底上的第一层的区域:获得对齐标记的预期位置;获得该区域的由校正光刻工艺的控制动作导致的几何变形;获得对齐标记的由几何变形导致的平移;基于预期位置和平移,确定...
在光刻设备中的原位颗粒移除的设备和方法技术
描述了用于减少静电卡盘(300)附近的颗粒的方法和系统,其中清洁掩模版或衬底(320)被固定到该卡盘,清洁掩模版或衬底的表面部分地缺少导电材料,使得来自卡盘的电场可以穿过以到达邻近该衬底的体积,从而将该体积中的颗粒(360)牵引至衬底的...
用于预测投影系统中的像差的测量装置和方法制造方法及图纸
一种用于校准投影系统加热模型以预测光刻装置中的投影系统中的像差的方法,该方法包括:使曝光辐射通过投影系统,以曝光在衬底台上设置的衬底上的一个或多个曝光场,对由曝光辐射导致的投影系统中的像差进行测量,其中测量之间的时间段小于曝光衬底上的所...
传感器系统技术方案
一种系统,包括:光学部件,在光学部件的操作使用中,所述光学部件与激光束光学地相互作用;导电元件,安置在所述光学部件上或所述光学部件内,在所述光学部件的操作使用中,所述导电元件暴露于激光束;和监测系统,能够操作以监测表示所述导电元件的电阻...
清洁设备和清洁方法技术
本申请涉及一种二氧化碳雪清洁设备,包括:二氧化碳源;二氧化碳雪喷嘴,其与二氧化碳源成流体连通;充电元件;以及收集表面。还描述了一种清洁表面的方法,该方法包括以下步骤:(i)将二氧化碳流传送流出二氧化碳雪喷嘴以形成二氧化碳雪流;(ii)为...
基于参数的概率密度函数的控制制造技术
本文中描述了一种用于确定对图案化工艺的调节的方法。该方法包括:基于与经受图案化工艺的衬底的特征有关的参数的测量,获取参数的概率密度函数;由硬件计算机系统,确定概率密度函数的不对称性;以及由硬件计算机系统,基于参数的概率密度函数的不对称性...
带宽增加的测量方法和装置制造方法及图纸
公开了一种针对测量应用(335;340;345)优化(300)测量照射的带宽的方法、以及一种相关联的量测装置。该方法包括:利用具有参考带宽的参考测量照射,执行(305)参考测量;以及执行(310;325)一个或多个优化测量,上述一个或多...
用于改进抗蚀剂模型预测的系统和方法技术方案
一种方法,该方法涉及计算第一空间图像的第一强度和第二空间图像的第二强度,第一空间图像对应于抗蚀剂层内的第一位置,第二空间图像对应于抗蚀剂层内的第二位置。该方法还包括通过使用抗蚀剂模型的硬件计算机系统执行抗蚀剂层的计算机模拟,以基于第一强...
堆叠差异的确定和使用堆叠差异的校正制造技术
一种方法,包括:获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量,该测量是使用测量辐射获得的;以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数,其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正,堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标...
检查衬底的方法、量测设备和光刻系统技术方案
公开了检查衬底的方法、量测设备和光刻系统。在一种布置中,检查衬底。由辐射源发射的源辐射光束被分成测量光束和参考光束。用测量光束照射第一目标,第一目标在衬底上。用参考光束照射第二目标,第二目标与衬底分离。从第一目标收集第一散射辐射并将其递...
确定用于量测设备的最佳聚焦高度的方法技术
本发明公开确定最佳聚焦高度的方法。在一种布置中,获得来自所述量测过程至目标的多次应用的测量数据。所述量测过程的每次应用包括利用辐射斑来照射所述目标并检测由所述目标改变方向的辐射。所述量测过程的所述应用包括在不同名义聚焦高度处的应用。针对...
二元化方法和自由形式的掩模优化流程技术
本文描述一种用于确定图案形成装置的掩模图案的方法。该方法包括获得:待印刷在衬底上的目标图案,(ii)图案形成装置的对应于目标图案的初始连续性图像,(iii)被配置成转换初始连续性图像的二元化函数(例如,S型函数、反正切函数、阶跃函数等)...
包括气锁的设备制造技术
一种设备可以构成光刻设备的部分,所述设备包括衬底台、投影系统、气锁和气流引导件。衬底台适用于支撑衬底。投影系统具有主体,所述主体限定内部和开口。投影系统配置并布置成将辐射束通过开口投影到由衬底台支撑的衬底上。气锁适用于提供来自所述开口远...
清洁EUV腔室中的结构表面制造技术
在一些总体方面,使用一种方法清洁极紫外(EUV)光源的腔室内的结构的表面。该方法包括生成存在于邻近腔室内的非导电体的位置处的材料的等离子体状态。该材料的等离子体状态的生成包括在邻近非导电体的位置处电磁感应出电流,从而将邻近非导电体的材料...
用于修复衬底支撑件的系统、装置和方法制造方法及图纸
一种用于修复光刻工具中的衬底支撑件(60)的多个突出部(20)的顶部表面的被改良的处理工具(100)。所述被改良的处理工具包括修复表面,所述修复表面相对于所述突出部的被平滑的顶部表面是粗糙的,并且所述修复表面具有比所述突出部的所述顶部表...
光学测量方法和传感器设备技术
一种使用光学传感器设备(15)的光学测量方法,所述光学传感器设备包括光学元件(20)、光检测器(26)以及支撑件(30),所述光学元件包括被配置成选择性地透射入射辐射的标记(22),所述光检测器被配置成接收由所述标记透射的辐射并且提供指...
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