用于修复衬底支撑件的系统、装置和方法制造方法及图纸

一种用于修复光刻工具中的衬底支撑件(60)的多个突出部(20)的顶部表面的被改良的处理工具(100)。所述被改良的处理工具包括修复表面，所述修复表面相对于所述突出部的被平滑的顶部表面是粗糙的，并且所述修复表面具有比所述突出部的所述顶部表面的材料更硬的材料。还提供一种修复方法，所述修复方法使得所述被改良的处理工具的所述修复表面与所述衬底支撑件的所述突出部的所述顶部表面之间发生相互作用，以使这些顶部表面比其在所述相互作用之前更粗糙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于修复衬底支撑件的系统、装置和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月6日递交的美国申请62/627,177的优先权，所述美国申请的全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及一种用于修复用于保持诸如半导体晶片之类的衬底的衬底支撑件的装置。本说明书还涉及一种系统和一种使用这种装置的方法。
技术介绍
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。这种光刻设备能够用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(常常被称作“设计布局”或“设计”)投影至被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用辐射，诸如电磁辐射。当前在使用中的这种辐射的典型波长为约365nm、约248nm、约193nm(深紫外(DUV)辐射)和13.5nm(极紫外(EUV)辐射)。当将图案从图案形成装置转印时，将衬底(例如，晶片，诸如半导体晶片)夹持至光刻设备中的衬底台(例如，晶片台)的衬底支撑件上。这种衬底支撑件可以具有在第一(z)方向上延伸的多个突出部(被称作突节)以支撑衬底。相比于衬底的总面积，接触衬底由此支撑衬底的突出部的顶部表面的总面积较小。因此，污染物粒子随机地位于衬底的表面上或衬底支撑件被截留在突出部与衬底之间的机会较小。另外，在衬底支撑件的制造中，相比于能够使大的表面准确地平坦，能够使多个突出部的顶部更准确地共面。为了在例如集成电路(IC)的制造期间实现期望的精确度，衬底台的衬底支撑件应表现出高的机械稳定性和热稳定性。因此，衬底支撑件通常由诸如碳化硅(SiC)之类的陶瓷制成，其具有期望的属性，诸如低密度、低热膨胀系数和高导热性。当衬底首先在准备曝光时装载至衬底台的衬底支撑件上时，衬底由所谓的电子销(e-pin)支撑，所述电子销将衬底保持在多个位置处。为了将衬底装载至衬底支撑件上，使电子销回缩以使得接着由衬底支撑件的多个突出部(被称作突节)支撑衬底。
技术实现思路
期望衬底平坦地位于衬底支撑件上。否则，投影至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的图案可能离焦(导致所谓的聚焦误差)。此外，光刻术可能涉及随时间推移而将图案多次投影到单个衬底上。期望使衬底在先前投影期间相对于其位置在衬底支撑件上精确地重新对准。在后续投影中的任一投影期间的不正确对准可能导致所谓的重叠误差。因此，多个突出部的平整度(即，突出部的所有顶部表面将在同一平面中的接近程度)是重要的。这是因为突出部的平整度的任何变化被传输至经受辐照的衬底的顶部表面。作为示例，如果在突出部的顶部表面与衬底之间存在污染物，则衬底的平整度可能减小。为了从衬底支撑件移除这种污染物，通过在多个突出部的顶部表面上方在与第一(z)方向正交的方向上移动处理工具来周期性地清洁衬底支撑件。一种这样的处理工具被公开在PCT专利申请公开出版物第WO2016/081951号中，所述专利申请以全文引用的方式被并入本文，所述公开出版物描述在衬底支撑件上方移动且可以在其在衬底支撑件上方移动的同时被旋转的圆盘(或圆片)。这种圆盘(或圆片)的覆盖面积(footprint)小于衬底支撑件的覆盖面积，使得衬底支撑件和圆盘(或圆片)在处理期间相对于彼此移动。用于移除污染物的处理工具可以由(例如)花岗岩或硅与碳化硅的复合材料(SiSiC)、或如CVDSiC的单片材料制成。衬底至衬底支撑件上的完美装载意指在衬底完全处于衬底支撑件的多个突出部(被称作突节)上(且被夹持至所述多个突出部)之后，装载后的衬底中不存在应变。锁定至衬底中的任何应变可以使衬底在与第一(z)方向正交的方向(即，xy平面)上变形，并且由此导致重叠误差。当将衬底装载至衬底支撑件上时，可能发生衬底的局部滑动。由这种局部滑动造成的衬底中的残余变形对重叠误差作出贡献。用于对由这种变形引入的误差进行量化的指标是所谓的晶片负载栅格(WLG)。已观察到，将上文所描述的处理工具应用至衬底支撑件以移除污染物和/或恢复多个突出部的期望的平整度，可能导致较高的晶片装载栅格(WLG)，并且由此导致较高的重叠误差。期望提供一种用于移除污染物且维持衬底支撑件的平整度，同时维持或甚至减少晶片装载栅格(WLG)效应的被改良的处理工具。还期望提供一种用于衬底支撑件的被改良的处理工具，其减少已经存在的晶片负载栅格(WLG)效应，由此修复衬底支撑件。根据一方面，提供一种用于修复衬底支撑件的多个突出部的顶部表面的被改良的处理工具，所述被改良的处理工具包括修复表面，所述修复表面相对于所述突出部的所述顶部表面是粗糙的，并且所述修复表面包括比所述突出部的所述顶部表面的材料更硬的材料。根据这一方面，被改良的处理工具的修复表面与待由被改良的处理工具处理的衬底支撑件的顶部表面(也就是，当衬底支撑件在使用期间已被污染时，突出部的顶部表面的原始粗糙度、或突出部的被平滑顶部表面的粗糙度)相比是粗糙的。根据一方面，提供一种修复方法，所述修复方法使得所述被改良的处理工具的所述修复表面与所述突出部的所述顶部表面之间发生相互作用，以使这些顶部表面比其在所述相互作用之前更粗糙。附图说明现将参考示意性附图而仅通过举例的方式来描述本专利技术的实施例，在所述附图中，相应的附图标记指示相应的部分，并且在所述附图中：图1示意性地描绘了包括衬底支撑件的光刻设备；图2描绘了具有叠置的处理工具的衬底支撑件的平面图；图3描绘了在利用如本文中所描述的被改良的处理工具的实施例进行修复之前和进行修复之后的衬底支撑件的表面；图4描绘了如本文中所描述的被改良的处理工具的实施例的表面的结构；图5示意性地图示了用于修复衬底支撑件的再生方法的实施例；图6为用于清洁衬底支撑件的系统的示意性图示；和图7示出了根据实施例的被改良的处理工具的实施例。具体实施方式在本文件中，术语“辐射”和“束”是用以涵盖所有类型的辐射，包括具有(例如)约365nm、约248nm、约193nm、约157nm、约126nm或约13.5nm的波长的辐射。本文中所使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广泛地解释为是指能够用以向图案化横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述图案化横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案。在这种内容背景下，也可以使用术语“光阀”。除经典掩模(透射式或反射式、二元式、相移式、混合式等等)以外，其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。图1示意性地描绘了一实施例的光刻设备。所述设备包括：-可选地，照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；-支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且被连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述图案形成装置MA的第一定位器PM；-衬底台WT(例如，晶片台)，所述衬底台被构造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修复装置，配置成修改衬底支撑件的表面，所述修复装置包括修复表面，所述修复表面相对于所述衬底支撑件的表面是粗糙的，并且所述修复表面包括比所述衬底支撑件的材料更硬的材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180206 US 62/627,1771.一种修复装置，配置成修改衬底支撑件的表面，所述修复装置包括修复表面，所述修复表面相对于所述衬底支撑件的表面是粗糙的，并且所述修复表面包括比所述衬底支撑件的材料更硬的材料。


2.根据权利要求1所述的修复装置，其中所述修复表面包括在Si材料的顶部上或在SiC材料的顶部上的金刚石沉积的颗粒结构。


3.根据权利要求1所述的修复装置，其中所述修复表面包括具有微米级硬突点的负载有金刚石的SiSiC涂层的顶层。


4.根据权利要求3所述的修复装置，其中所述突点的空间密度在1至3个/μm2的范围内，和/或所述突点之间的节距在1至10μm的范围内。


5.根据权利要求3所述的修复装置，其中所述突点具有小于0.5μm的曲率半径。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的修复装置，所述修复装置由至少两个部分构成，其中
第一部分包括所述修复表面，
第二部分包括清洁表面，所述清洁表面的材料的硬度低于所述修复表面的材料的硬度。


7.根据权利要求6所述的修复装置，其中所述清洁表面的所述材料包括花岗岩。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的修复装置，包括在表面中的开口以分配流体。


9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·D·斯霍尔滕，S·阿成达，A·阿克丘林，P·安东诺夫，C·H·M·伯尔蒂斯，J·布坎贝格蒂，AS·M·法利，C·J·马森，R·N·巴勒莫，Y·J·G·范德费韦，J·M·W·范登温凯尔，T·波耶兹，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL