用于修复衬底支撑件的系统、装置和方法制造方法及图纸

一种用于修复光刻工具中的衬底支撑件(60)的多个突出部(20)的顶部表面的被改良的处理工具(100)。所述被改良的处理工具包括修复表面，所述修复表面相对于所述突出部的被平滑的顶部表面是粗糙的，并且所述修复表面具有比所述突出部的所述顶部表面的材料更硬的材料。还提供一种修复方法，所述修复方法使得所述被改良的处理工具的所述修复表面与所述衬底支撑件的所述突出部的所述顶部表面之间发生相互作用，以使这些顶部表面比其在所述相互作用之前更粗糙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于修复衬底支撑件的系统、装置和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月6日递交的美国申请62/627,177的优先权，所述美国申请的全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及一种用于修复用于保持诸如半导体晶片之类的衬底的衬底支撑件的装置。本说明书还涉及一种系统和一种使用这种装置的方法。
技术介绍
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。这种光刻设备能够用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(常常被称作“设计布局”或“设计”)投影至被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用辐射，诸如电磁辐射。当前在使用中的这种辐射的典型波长为约365nm、约248nm、约193nm(深紫外(DUV)辐射)和13.5nm(极紫外(EUV)辐射)。当将图案从图案形成装置转印时，将衬底(例如，晶片，诸如半导体晶片)夹持至光刻设备中的衬底台(例如，晶片台)的衬底支撑件上。这种衬底支撑件可以具有在第一(z)方向上延伸的多个突出部(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修复装置，配置成修改衬底支撑件的表面，所述修复装置包括修复表面，所述修复表面相对于所述衬底支撑件的表面是粗糙的，并且所述修复表面包括比所述衬底支撑件的材料更硬的材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180206 US 62/627,1771.一种修复装置，配置成修改衬底支撑件的表面，所述修复装置包括修复表面，所述修复表面相对于所述衬底支撑件的表面是粗糙的，并且所述修复表面包括比所述衬底支撑件的材料更硬的材料。


2.根据权利要求1所述的修复装置，其中所述修复表面包括在Si材料的顶部上或在SiC材料的顶部上的金刚石沉积的颗粒结构。


3.根据权利要求1所述的修复装置，其中所述修复表面包括具有微米级硬突点的负载有金刚石的SiSiC涂层的顶层。


4.根据权利要求3所述的修复装置，其中所述突点的空间密度在1至3个/μm2的范围内，和/或所述突点之间的节距在1至10μm的范围内。


5.根据权利要求3所述的修复装置，其中所述突点具有小于0.5μm的曲率半径。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的修复装置，所述修复装置由至少两个部分构成，其中
第一部分包括所述修复表面，
第二部分包括清洁表面，所述清洁表面的材料的硬度低于所述修复表面的材料的硬度。


7.根据权利要求6所述的修复装置，其中所述清洁表面的所述材料包括花岗岩。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的修复装置，包括在表面中的开口以分配流体。


9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·D·斯霍尔滕，S·阿成达，A·阿克丘林，P·安东诺夫，C·H·M·伯尔蒂斯，J·布坎贝格蒂，AS·M·法利，C·J·马森，R·N·巴勒莫，Y·J·G·范德费韦，J·M·W·范登温凯尔，T·波耶兹，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL