一种检测器可以被设置有感测元件阵列。所述检测器可以包括：包括所述阵列的半导体衬底，以及被配置为对入射到所述检测器上的带电粒子的数目进行计数的电路。所述检测器的所述电路可以被配置为处理来自所述多个感测元件的输出，并且响应于所述阵列中的感测...

一种用于确定制作于衬底上的结构的感兴趣的参数的量测工具，所述量测工具包括：照射光学系统，用于利用照射辐射以一非零入射角照射所述结构；检测光学系统，包括检测光学传感器和至少一个透镜，所述至少一个透镜用于捕获被所述结构散射的照射辐射的部分并...

公开了一种确定与通过光刻过程形成的在衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法，所述方法包括：获得所述结构的输入图像；和使用训练后的神经网络以从所述输入图像确定所述感兴趣的特性。也公开了一种掩模版，所述掩模版包括目标形成特征，所述特征包括多于...

一种用于改善用于图案化过程的过程模型的方法，包括：获得a)来自图像捕获装置的测量轮廓(330)，和b)从所述过程模型的模拟所产生的模拟轮廓(510)。所述方法也包括通过确定所述测量轮廓与所述模拟轮廓之间的偏移使所述测量轮廓与所述模拟轮廓...

本文中描述一种用于确定与图案化过程的掩模模型相关联的电磁场的方法。所述方法包括：获得关注的掩模叠层区和与所述关注的掩模叠层区相对应的相互作用阶数。所述关注的掩模叠层区被划分成多个子区。所述关注的掩模叠层区具有与电磁波穿过所述关注的掩模叠...

描述一种电子束设备，所述设备包括：‑电子束源，所述电子束源被配置成产生电子束；‑束转换单元，所述束转换单元包括：‑孔阵列，所述孔阵列被配置成从所述电子束产生多个子束；‑偏转器单元，所述偏转器单元被配置成使得所述多个子束中的一组或更多组偏...

一种用于向EUV光刻设备提供氧气(O

提供一种获得用于对图案化过程进行质量评定的检查部位的方法，所述方法包括：由一台或更多台计算机，利用多种不同的模拟来模拟所述图案化过程，每一个模拟依据所述图案化过程的不同过程特性，并且每一个模拟应用图案中的特征；针对不同的模拟中的每一个模...

公开了一种用于确定标记检测系统中的测量束的期望波长带宽的带宽计算系统，该带宽计算系统包括处理单元，该处理单元被配置为基于标记几何形状信息确定期望波长带宽，标记几何形状信息包括表示标记的深度的标记深度信息。在一个实施例中，期望波长带宽是基...

一种设备包括：用于封闭物品支撑件的真空腔；物品支撑件被配置为支撑物品使得在物品支撑件与物品之间限定有体积，物品支撑件包括被配置为为物品提供支撑平面的多个支撑突起；用于向该体积提供流体使得流体在物品与物品支撑件之间提供热传递的管路；以及用...

本发明披露了一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束；图案形成装置(601)，配置成在辐射束的横截面中将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；表膜(602)，配置成覆盖图案形成装置(601)的表面；衬底台，配置成保持衬底；投影系统，...

一种用于跨衬底上的区域估计参数的方法，该区域被划分为多个子区域，该方法包括：获得针对多个子区域中至少两个子区域的参数的值；以及通过评估将参数的值作为输入值的函数，来估计针对区域上的位置的参数，其中a)函数包括分段定义的基函数，其中跨子区...

一种照射源设备(500)，所述照射源设备适合用于量测设备中以表征衬底上的结构，所述照射源设备包括：高次谐波产生HHG介质(502)；泵浦辐射源(506)，能够操作为发射泵浦辐射束(508)；和可调整的变换光学器件(510)，所述可调整的...

对被表示为名义结构和结构扰动的结构的电磁散射性质进行计算的方法，所述方法包括：步骤(1008)，以数值方式对包括名义线性系统的体积积分方程进行求解，以确定相对于所述结构扰动独立的名义向量场；步骤(1010)，通过对体积积分方程或伴随线性...

公开了一种对与经历制造过程的过程步骤的衬底相关联的数据进行分组的方法。该方法包括：在经历过程步骤之前，获取与衬底相关联的第一数据，以及在经历过程步骤之后，获取与衬底相关联的第二数据的多个集，第二数据的每个集与第一数据的特性的不同值相关联...

本发明提供了一种隔振系统(IS)，其包括承载有效载荷的活塞(402)、连接构件(410)、弹簧(404)和柔性构件(408)。弹簧被布置成沿一方向以正刚度支撑活塞。柔性构件被布置成经由连接构件沿所述方向以负刚度向活塞施加力。

公开了一种电子束装置，该工具包括被配置为将电子束投射到对象上的电子光学系统(500)，用于保持该对象的载物台，和被配置为相对于该电子光学系统移动该载物台(520)的定位器件(510)。该定位器件包括被配置为相对于该电子光学系统移动该载物...

公开了一种带电粒子束装置的改进的源转换单元。源转换单元包括第一微结构阵列，该第一微结构阵列包括多个微结构。多个微结构被分组为一个或多个组。一个组中的微结构的对应电极由驱动器电连接和驱动以影响对应的一组束波。一个组中的微结构可以是单极结构...

公开了一种确定特征(例如，对准标记)在对象(例如，硅晶片)上的位置的方法。所述方法包括：确定偏移参数；确定所述第二位置；以及根据所述第二位置和所述偏移参数确定第一位置，所述标记的位置是所述第一位置。所述偏移参数是以下各项的差的量度：指示...

提出了一种确定用于检查工具的测量序列的方法，该检查工具检查由光刻系统执行的光刻过程生成的结构，该方法包括：得出由光刻系统执行的光刻过程的模型，该模型包括描述光刻系统的一组系统变量与表示光刻过程产生的结构的输出变量之间的关系，确定输出变量...