公开了一种改进的粒子束检查装置，并且更具体地，公开了一种包括改进的装载锁定单元的粒子束检查装置。一种改进的装载锁定系统可以包括被配置为支撑晶片的多个支撑结构和包括被配置为调节晶片的温度的传热元件的调节板。装载锁定系统还可以包括被配置为在...

公开一种用于通过测量部分地基于目标设计而构造的被印制的设计上的特征来改良过程模型的方法。所述方法包括：获得a)来自图像捕获装置的所述被印制的设计的图像和b)基于所述图像中的形状的轮廓。所述方法还包括：通过图案识别过程来鉴别所述目标设计上...

一种用于确定衬底(W)的目标(330)的位置的传感器装置(300)包括：被配置为将辐射束(310)投影到衬底上的投影光学元件(315；321)；被配置为收集从目标散射的测量辐射(325)的收集光学元件(321)；被配置为确定测量辐射的至...

一种用于确定印制图案中缺陷的存在的方法包括：获取a)来自图像捕获装置的印制图案的捕获图像，以及b)由过程模型所生成的印制图案的模拟图像。方法还包括生成作为捕获图像和模拟图像的部分的加权组合的组合图像。而且，方法包括基于组合图像确定印制图...

光刻装置包括：投影系统，被配置为经由投影路径将图案化的辐射束投影到保持在衬底台上的衬底处的曝光区上，该衬底台在投影系统下方的区域中是可移动的；以及冷却装置，被配置为经由从衬底到冷却元件的热传递来冷却衬底，冷却元件位于衬底上方并且与投影路...

一种设备(200)，包括：第一夹持构件(202)，所述第一夹持构件包括第一磁性元件(204)并能够在第一位置和第二位置之间移动；第一偏置构件(210)，配置成使所述第一夹持构件朝向所述第一位置偏置；和第二磁性元件(214)，能够选择性地...

本文描述了一种用于校准过程模型和训练图案化过程的逆过程模型的方法。训练方法包括：根据对基于晶片目标布局预测图案形成装置图案的逆光刻过程的模拟，获得第一图案形成装置图案；接收与使用第一图案形成装置图案曝光的晶片相对应的晶片数据；以及训练逆...

公开了一种确定衬底上的目标的特性的方法和用于确定衬底上的目标的特性的相关联的量测设备。所述方法包括：获得多个强度不对称性测量结果，每个强度不对称性测量结果与形成于所述衬底上的目标有关；和根据所述多个强度不对称性测量结果，确定与每个目标对...

披露了一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区。所述方法包括：获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和基于所述测量数据来确定对所述...

一种改进的用于使用粒子束检查装置检查样品的系统和方法，更具体地，一种利用多个带电粒子束扫描样品的系统和方法。一种使用N个带电粒子束扫描样品区域的改进的方法，其中N是大于或等于2的整数，并且其中样品区域包括N个连续扫描线的多个扫描区段，该...

描述了一种用于确定针对经受图案化过程的衬底的叠层配置的方法，所述方法包括获得(i)具有在印制的衬底上的部位信息的叠层配置的测量数据，(ii)配置成基于所述衬底的部位来预测叠层特性的衬底模型，以及(iii)包括基于所述衬底模型的多个叠层配...

一种表膜包括：芯，所述芯包括不同于碳化硅的材料；碳化硅粘合层；以及钌罩盖层，所述钌罩盖层与所述碳化硅粘合层接触。还描述了一种制备表膜的方法，包括以下步骤：(i)设置表膜芯；(ii)在表膜芯上设置碳化硅粘合层；以及(iii)设置与所述碳化...

用于确定描述光刻设备的操作的多个参数之间的多个关系的子集的方法和设备，该方法包括：确定描述参考设备的多个参数之间的第一关系的第一数据集合；基于一个或更多个测量的结果，确定描述参考设备或另外的设备的多个参数之间的第二关系的第二数据集合；比...

本文描述一种用于确定图案化过程的图案形成设备的波前的方法。所述方法包括：获得参考设备(例如扫描器)的参考性能(例如轮廓、EPE、CD)、被配置成将波前的波前参数转换为致动器移动的图案形成设备的透镜模型、和调谐扫描器(例如待匹配的扫描器)...

公开了一种晶片检查系统。根据某些实施例，该系统包括电子检测器，该电子检测器包括用以检测从晶片发射的二次电子或背散射电子(SE/BSE)的电路。电子束系统还包括电流检测器，该电流检测器包括用以检测来自晶片的电子束感应电流(EBIC)的电路...

一种传感器装置，包括：声学组件，被布置为向衬底发送声学信号，并且在声学信号已与衬底相互作用之后接收声学信号的至少一部分；换能器，被布置为将声学信号的至少一部分转换为电子信号；以及处理器，被配置为接收电子信号并且基于电子信号确定衬底的至少...

一种反射器，包括具有内表面的中空主体，所述内表面限定穿过所述中空主体的通道，所述内表面具有被配置成反射辐射的至少一个光学表面部分和支撑件表面部分，其中所述光学表面部分具有预先确定的光焦度，并且所述支撑件表面部分没有所述预先确定的光焦度。...

本发明提供一种针对由装置处理的衬底来确定采样控制方案和/或处理控制的方法。所述方法使用指纹模型和演化模型来产生所述控制方案。所述指纹模型基于针对由装置处理的至少一个衬底的处理参数的指纹数据，并且所述演化模型表示所述指纹数据随时间的变化。...

一种光刻设备包括支撑台和气体抽取系统。所述气体抽取系统被配置成当所述衬底正被降低到所述支撑台上时，从在所述支撑台的基底表面与衬底之间的间隙通过至少一个气体抽取开口抽取气体。所述光刻设备被配置使得当在所述衬底与所述支撑平面之间的距离大于阈...

本发明涉及对量测数据的贡献的分离。一种方法，包括：通过组合由图案化工艺处理的衬底上的第一变量的指纹和第一变量的特定值，来计算衬底的图案的或针对衬底的图案的第一变量的值；以及至少部分基于第一变量的所计算的值来确定图案的第二变量的值。来确定...