用于控制制造设备和相关联设备的方法技术

披露了一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区。所述方法包括：获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正。所述校正被配置成维持所述过程参数处于跨越两个所述子区之间的边界的指定范围内，和/或与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于控制制造设备和相关联设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2018年6月19日递交的欧洲申请18178397.8和2018年10月1日递交的欧洲申请18197882.6的优先权，这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术涉及用于在光刻过程中将图案施加至衬底的方法和设备。

技术介绍

[0004]光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情况下，图案形成装置(其被替代地称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在IC的单个层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束来扫描图案的同时平行或反向平行于这种方向来同步地扫描衬底，从而照射每个目标部分。也可以通过将图案压印至衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。
[0005]为了监控光刻过程，测量了经图案化衬底的参数。例如，参数可以包括形成在经图案化衬底中或经图案化衬底上的连续层之间的重叠误差，和显影后的光敏抗蚀剂的临界线宽(CD)。可以对产品衬底和/或对专用量测目标执行这种测量。存在用于对光刻过程中所形成的显微结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。专用检查工具的快速且非侵入性形式为散射仪，其中辐射束被引导至衬底的表面上的目标上，并且测量被散射的或被反射的束的属性。两种主要类型的散射仪是已知的。光谱散射仪将宽带辐射束引导至衬底上并且测量散射至特定窄角范围中的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。角分辨散射仪使用单色辐射束且测量作为角度的函数的散射辐射的强度。
[0006]已知的散射仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1中所描述类型的角分辨散射仪。由这样的散射仪使用的目标是相对较大的光栅，例如，40μm乘40μm，并且测量束产生小于光栅的斑(即，光栅被欠填充)。除了通过重构进行对于特征形状的测量以外，也可以使用这样的设备来测量基于衍射的重叠，如在已公开的专利申请US2006066855A1中所描述的。使用对于衍射阶的暗场成像的基于衍射的重叠量测能够实现对较小目标的重叠量测。可以在国际专利申请WO 2009/078708和WO 2009/106279中找到暗场成像测量的示例，所述国际专利申请文件由此通过引用其全部内容而被并入。已公开的专利公开出版物US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已描述所述技术的进一步开发。这些目标可以小于照射斑且可以由晶片上的产品结构环绕。可以使用复合光栅目标而在一个
图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也通过引用而合并入本文中。
[0007]在执行诸如将图案施加在衬底上或测量这种图案的光刻过程时，使用过程控制方法来监控和控制所述过程。通常执行这样的过程控制技术以获得对所述光刻过程的控制的校正。将会期望改善这样的过程控制方法。

技术实现思路

[0008]在本专利技术的第一方面中，提供一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区；所述方法包括：获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正，其中所述校正被配置成与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。
[0009]在本专利技术的第二方面中，提供一种用于确定对制造过程中的至少一个制造设备的控制的校正的处理装置，所述制造设备被配置成向衬底提供产品结构，所述处理装置被配置成执行所述第一方面的方法。
[0010]在本专利技术的第三方面中，提供一种包括程序指令的计算机程序，所述程序指令能够操作以当在合适的设备上运行时执行第一方面的方法。
[0011]在本专利技术的第四方面中，提供一种被配置成在制造过程中将产品结构提供至衬底的制造设备，所述制造设备包括第二方面的处理装置。
[0012]下文参考随附附图来详细地描述本专利技术的另外的方面、特征和优点，以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。应注意，本专利技术不限于本专利技术中描述的具体实施例。本专利技术中仅出于说明性目的而呈现这样的实施例。基于本专利技术中包含的教导，本领域技术人员将明白额外的实施例。
附图说明
[0013]现在将参考随附附图借助于示例来描述本专利技术的实施例，在随附附图中：
[0014]图1描绘形成用于半导体器件的生产设施的光刻设备以及其它设备；
[0015]图2包括用于对根据本专利技术的实施例的目标进行测量的散射仪的示意图；
[0016]图3包括以下示意图：(a)图示了具有所测量的重叠向量的衬底上的区；(b)如由现有技术策略所确定的图示了具有校正向量的后续层的相对应的子区；以及(c)如由根据本专利技术的实施例的方法所确定的图示了具有校正向量的后续层的相对应的子区；
[0017]图4包括以下示意图：(a)具有由现有技术策略所确定的校正的表示的衬底上的子区；和(b)具有由根据本专利技术的实施例的方法所确定的校正的表示的衬底上的子区；以及
[0018]图5是根据本专利技术的实施例的确定针对在衬底上的相邻子区的校正、以及在单独的曝光中对衬底上的相邻子区进行曝光的方法的流程图。
具体实施方式
[0019]在详细地描述本专利技术的实施例之前，呈现可供实施本专利技术的实施例的示例环境是有指导性的。
[0020]图1以200示出光刻设备LA，将所述光刻设备LA示出为实施大容量光刻制造过程的
工业生产设施的部分。在本示例中，制造过程被调适以用于在衬底(诸如，半导体晶片)上的半导体产品(集成电路)的制造。本领域技术人员应理解，可以通过在这种过程的变型中处理不同类型的衬底从而制造各种各样的产品。半导体产品的生产仅用作现今具有巨大商业意义的示例。
[0021]在光刻设备(或简称为“光刻工具”200)内，以202示出测量站MEA且以204示出曝光站EXP。以206示出控制单元LACU。在这个示例中，每个衬底访问测量站和曝光站以被施加图案。例如，在光学光刻设备中，投影系统用于使用调节后的辐射和投影系统来将产品图案从图案形成装置MA转印至衬底上。这种转印是通过在辐射敏感抗蚀剂材料层中形成图案的图像来完成的。
[0022]本文中所使用的术语“投影系统”应被广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区；所述方法包括：获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正，其中所述校正被配置成与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定包括施加边界条件，所述边界条件有利于与所述子区内的过程参数误差相比较好地最小化跨越所述边界的过程参数误差的校正。3.根据权利要求2所述的方法，其中施加边界条件的所述步骤包括：针对跨越所述边界的所述过程参数施加误差阈值，使得所确定的校正确保跨越所述边界的过程参数误差不会超过所述误差阈值。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构被形成在第一层中，并且所述方法还包括：基于对所述多个子区中的每个子区的单独考虑来确定对所述制造过程的控制的第二层校正，所述第二层校正用于在第二层中提供第二层结构至所述衬底上的所述区。5.根据权利要求4所述的方法，还包括在单次曝光中使用所述第二层校正来形成所述第二层结构。6.根据权利要求4所述的方法，其中针对所述多个子区中的每个子区限定单独的控制栅格，单独地针对所述单独的控...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：