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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
用于结构和相关联设备的检查方法和设备技术
披露一种用于从目标结构确定重叠度量的方法,包括获得与对所述目标结构的测量相关的角分辨分布光谱数据,所述角分辨分布光谱数据包括对称分量。根据所述角分辨分布光谱数据确定所述目标结构的特征的与重叠相关的轮廓,其中根据所述轮廓确定重叠度量。所述...
透射型扩散器制造技术
被配置成接收并传输辐射的第一扩散器包括多个层,每个层被布置成通过不同方式改变穿过该层的EUV辐射的角分布。被配置成接收并传输辐射的第二扩散器包括:第一层和第二层。所述第一层由第一材料形成,所述第一层包括位于所述第一层的至少一个表面上的纳...
光学调制器的控制制造技术
一种用于极紫外线(EUV)光源的装置,包括光学调制系统,该光学调制系统包括电光材料,该光学调制系统被配置为接收脉冲光束,该脉冲光束包括在时间上彼此分开的多个光脉冲;以及控制系统,该控制系统被配置为控制电源,使得在第一光脉冲入射在电光材料...
用于监测束轮廓和功率的方法和装置制造方法及图纸
提供了一种用于在检查系统中监测束(322)的系统和方法。该系统包括:被配置为收集形成在表面(340)上的束的束斑的图像序列的图像传感器(360),图像序列中的每个图像已经在图像传感器的不同曝光时间被收集;以及被配置为组合图像序列以得出束...
用于对准传感器的检测系统技术方案
公开了一种用于对准传感器的检测系统、以及包括这种检测系统的对准传感器和光刻投影装置。检测系统包括:至少一个检测电路;以及多个光纤芯,用于将测量信号传输到至少一个检测电路。多个光纤芯的至少一个子集可选择地在检测状态和非检测状态之间切换,从...
用于确定估计散射辐射强度的方法和量测设备技术
一种确定由辐射源照射的目标所散射的辐射的估计强度的方法,所述方法具有以下步骤:获取和训练(402)作为波长、目标结构参数和入射角的函数R(λ,θ,x,y)的依赖于波长的反射率的库REFLIB;确定(408)在琼斯框架中在辐射源波长λ范围...
多源照射单元及其操作方法技术
一种照射单元包括第一电磁波源,该第一电磁波源包括用于在第一方向上输出第一电磁波以照射样品的第一区域的电路系统;第二电磁波源,该第二电磁波源包括用于在与第一方向基本相反的第二方向上输出第二电磁波的电路系统;以及反射器,该反射器被配置为基本...
用于测量光刻设备的聚焦性能的方法技术
一种光刻设备将聚焦量测图案(T)印刷在衬底上,所印刷的图案至少包括特征的第一阵列(800)。该阵列内的任何部位处的特征限定至少在第一周期性方向(X)上重复的图案,而重复图案的几何参数(w1,w3)在整个所述阵列内变化。从该阵列的在部位的...
富集和放射性同位素生产制造技术
一种组合式富集和放射性同位素生产设备,包括:电子源,所述电子源被布置成提供电子束,所述电子源包括电子注入器和加速器;波荡器,所述波荡器被配置成使用所述电子束来产生辐射束;分子流发生器,所述分子流发生器被配置成提供与辐射束相交的分子流;接...
用于高数值孔径穿缝源掩模优化的方法技术
本文描述了一种利用光刻投影设备进行源掩模优化的方法。光刻投影设备包括照射源和被配置为将掩模设计布局成像到衬底上的投影光学器件。该方法包括使用针对照射源、投影光学器件和掩模设计布局的多个可调谐设计变量来确定多变量源掩模优化函数。多变量源掩...
光刻方法技术
一种预测在光刻设备中将在表膜的运动期间发生的表膜的偏转的方法,该方法包括:接收与表膜的性质有关的参数,以及接收与表膜的预期运动有关的参数。将该参数应用于预测根据这些参数而变化的表膜的偏转的模型。该模型包括涉及表膜的偏转的不同分量的多个子...
用于对冷却罩的快速温度控制的气体混合制造技术
本发明涉及包括子系统的系统,所述子系统被配置成将实体部件的热状况从一设定点改变为新的设定点,其中所述子系统包括:混合器,混合器能够操作以接收具有第一温度的第一调节流体和具有不同于第一温度的第二温度的第二调节流体,并且混合器能够操作以向所...
工艺工具和检测方法技术
一种用于处理生产衬底的工艺工具,该工艺工具包括:可移动台(60),所述可移动台被配置成在X
提供经过训练的神经网络以及确定实体系统的特性技术方案
一种确定具有材料结构的实体系统的特性的方法,所述特性例如为光学响应,所述材料结构诸如为薄膜多叠置层或其它光学系统,所述方法具有以下步骤:提供(1430)神经网络(1440),其中基于由所述材料结构沿辐射的路径对所述辐射进行散射的模型(1...
激光三角测量设备和校准方法技术
本发明提供一种设备,该设备被配置为用于根据三角测量的原理确定设备到物体的距离。该设备包括:透射装置,在该透射装置的第一表面与第二表面之间具有预定距离;以及检测器,其被配置为接收与透射装置及物体相互作用之后的辐射束的至少一部分。第一表面被...
配置方案选择方法技术
一种配置方案选择方法,包括:从量测目标获得测量结果,量测目标被定位在半导体晶片上;从器件内目标获得测量结果,器件内目标被定位在所述半导体晶片上;使用量测目标测量结果以及器件内量测测量结果两者来确定用于准确量测的配置方案。
用于控制将EUV靶材料引入EUV室的装置和方法制造方法及图纸
一种用于控制将EUV靶材料引入EUV室的装置和方法,其中当在EUV室中形成等离子体不需要EUV靶材料时,诸如在EUV材料的分配器最初被启动或被调节的时段,选择性地阻止EUV靶材料进入EUV室。
在EUV光源中用于靶量测和改变的激光系统技术方案
公开了一种用于生成EUV辐射的系统和方法,其中在多级工艺中使用激光来照射靶材料而不改变靶材料,然后照射靶材料以改变靶材料,其中照射台用于在一个或多个照射阶段确定发射定时。
在光刻系统中提供高精度延迟的装置和方法制造方法及图纸
用于控制激光器系统中的脉冲的方法和装置,包括控制多腔室激光器系统中的触发脉冲的相对定时,以控制多个腔室的相应激发的延迟,其包括现场可编程门阵列和可编程延迟电路的组合的使用。
水平传感器和包括水平传感器的光刻设备制造技术
一种具有气动传感器、温度传感器和控制器的水平传感器系统。所述气动传感器(10)具有用于与参考表面(R)形成参考间隙(GR)的参考出口(100)和用于与测量表面形成测量间隙(GM)的测量出口(200),其中所述气动传感器被配置成产生指示从...
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