用于高数值孔径穿缝源掩模优化的方法技术

本文描述了一种利用光刻投影设备进行源掩模优化的方法。光刻投影设备包括照射源和被配置为将掩模设计布局成像到衬底上的投影光学器件。该方法包括使用针对照射源、投影光学器件和掩模设计布局的多个可调谐设计变量来确定多变量源掩模优化函数。多变量源掩模优化函数考虑到遍及曝光缝隙中对应于掩模设计布局的不同条纹的不同位置的成像变化，所述不同条纹由曝光设备的同一缝隙位置曝光。该方法包括迭代地调整所述多变量源掩模优化函数中的多个可调谐设计变量，直到满足终止条件。直到满足终止条件。直到满足终止条件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高数值孔径穿缝源掩模优化的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2018年10月9日提交的美国申请62/743,058的优先权，该美国申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本说明书总体上涉及改善和优化光刻过程。更具体地，描述了考虑了在源掩模优化期间的穿缝光瞳变化的设备、方法和计算机程序。

技术介绍

[0004]光刻投影设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(例如掩模)可以包含或提供对应于IC(“设计布局”)的单层的图案，并且可以通过诸如经由图案形成装置上的图案来照射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)的方法将此图案转移到该目标部分上。通常，单一衬底包含多个邻近目标部分，图案由光刻投影设备连续地转移到该多个邻近目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，在一次操作中将整个图案形成装置上的图案转移到一个目标部分上。这种设备通常被称作步进器。在通常被称作步进扫描设备的替代性设备中，投影束在给定参考方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种利用光刻投影设备进行源掩模优化的方法，所述光刻投影设备包括照射源和被配置为将掩模设计布局成像到衬底上的投影光学器件，所述方法包括：利用硬件计算机系统，使用针对所述照射源、所述投影光学器件和所述掩模设计布局的多个可调谐设计变量来确定多变量源掩模优化函数，所述多变量源掩模优化函数描述遍及所述掩模设计布局的多个位置的成像变化；以及利用所述硬件计算机系统迭代地调整所述多变量源掩模优化函数中的所述多个可调谐设计变量，直到满足终止条件。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述多变量源掩模优化函数描述遍及曝光缝隙中的不同位置的成像变化，所述曝光缝隙中的不同位置对应于所述掩模设计布局的不同位置。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述多变量源掩模优化函数包括对应于所述曝光缝隙中不同位置的各个多变量源掩模优化函数，所述曝光缝隙中的不同位置对应于所述掩模设计布局的不同位置，并且其中，所述掩模设计布局的不同位置是条纹。4.如权利要求2所述的方法，其中，所述多变量源掩模优化函数描述遍及所述曝光缝隙中的对应于所述掩模设计布局的条纹的不同位置的成像变化，所述条纹至少包括缝隙的中心以及沿着所述缝隙的另一个位置。5.如权利要求2所述的方法，其中，所述成像变化是由遍及具有或不具有辅助特征的所述掩模设计布局的一个或多个对应条纹中的不同位置的所述曝光缝隙中的变化造成的。6.如权利要求2所述的方法，其中，所述成像变化是由遍及所述掩模设计布局的一个或多个条纹中的不同位置的穿缝光瞳变化造成的，和/或其中，所述穿缝光瞳变化是由所述掩模设计布局的缝隙中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：