本发明涉及一种包括流体处理结构的光刻浸没设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域并且包括：弯液面控制特征，具有在所述流体处理结构的表面上的提取器出口；和气刀系统，所述气刀系统位于所述提取器出口的径向外部并且...

本申请提供了一种检查设备、检查方法和制造方法。通过光刻过程在衬底(W)上形成量测目标。以空间相干辐射在不同的条件下照射包括一个或多个光栅结构的目标(T)。由所述目标区域衍射的辐射(650)与参考辐射(652)干涉，在图像检测器(623)...

公开了一种用于将非相干辐射传递至量测传感器系统的照射系统。还公开了相关联的量测系统和方法。所述照射系统包括用于对位于所述量测传感器系统的模块壳体外部的所述非相干辐射的束进行选择性空间滤波的空间滤波系统。提供至少一个光导，该至少一个光导用...

用于将作为高次谐波产生(HHG)的结果发射的辐射束引导到衬底上的方法和装置。驱动辐射源向包含用于HHG产生的介质的相互作用区域提供驱动辐射。由HHG产生的辐射可包括多个软X射线(SXR)波长。不同的HHG产生的波长具有不同的发散角。该装...

本公开涉及测量图案化过程的参数。在一个布置中，照射通过所述图案化过程形成的目标。从所述目标散射的辐射的子阶衍射分量被检测且用以确定所述图案化过程的参数。

公开了一种用于确定与半导体制造过程的性能度量相关的校正的方法，该方法包括：获得第一组预处理量测数据；通过将预处理量测数据分解成一个或多个分量来处理第一组预处理量测数据，该一个或多个分量：a)与性能度量相关；或者b)能够至少部分地通过作为...

描述了利用经训练的机器学习模型对图像图案进行分组以确定图案化过程中的晶片行为。所描述的操作包括基于经训练的机器学习模型将包括所述图像图案的一个或更多个图案化过程图像转换成特征向量。所述特征向量对应于所述图像图案。所描述的操作包括基于经训...

测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1...

提供一种制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法，其中，在限定保持表膜隔膜的表膜边界的一个或多个蚀刻步骤之后，设置形成表膜隔膜的至少一部分的层。还提供一种表膜基底，该基底包括具有正面和背面的叠层，其中，在已经设置形成表膜隔膜的至少一部分的层之...

本发明提供了被配置为使物体移位的定位装置，包括：平台，用于支撑物体；致动器，用于在移动方向上相对于基准物移动平台；平衡质量块，被布置在致动器和基准物之间，用于减少从致动器到基准物的反作用力传递；支撑装置，被布置在基准物和平衡质量块之间，...

本公开的实施例涉及多个带电粒子束的装置。提出了一种具有尺寸、取向和入射角可变的总FOV的新多束装置。新装置提供了加速样本观察和使得更多样本可观察的更大灵活性。更具体地，作为在半导体制造工业中检查和/或审查晶片/掩模上的缺陷的产量管理工具...

公开了一种用于生成EUV辐射的系统，在系统中通过如下控制流过液滴生成器中的喷嘴的孔口320中的目标材料的电流：提供针对电流的交替的较低阻抗路径和/或通过限制施加到液滴生成器的驱动信号的高频分量。

提供了用于提供电连接的馈通件。馈通件包括导体和石英或玻璃结构，石英或玻璃结构被配置为包围导体的至少一部分并且提供对导体的隔离。导体和石英或玻璃结构可以被同轴布置。馈通件可以在容纳样本的真空室内部与外部之间提供电连接。

公开了用于冷却带电粒子束系统的物镜的系统和方法。根据某些实施例，用于冷却带电粒子束系统的物镜的方法包括经由线轴的流体输入端口接收流体，经由分布在该线轴中的多个通道循环吸收了由该物镜的多个电磁线圈所生成的热量的流体，并且经由该线轴的流体输...

本文描述了一种用于量化参数化(例如，机器学习)模型预测中的不确定性的方法。该方法包括使参数化模型预测来自参数化模型的针对给定输入的多个后验分布。该多个后验分布包括多个分布中的分布。该方法包括通过从多个分布中的分布采样来确定针对给定输入的...

本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局...

描述了基于针对所述图案化过程而估计的局部电场来调整所述图案化过程的模型中的目标特征的方法。所述方法包括获得所关注的掩模叠层区域。所述掩模叠层区域具有与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性。所关注的掩模叠层区域包括...

本发明涉及一种流量限制件(200)、一种流量限制组件(400)和用于制造所述流量限制件和所述流量限制组件的方法。用于管道(300)中以便限制流体的流量的所述流量限制件包括主体，所述主体沿轴线(290)延伸且包括：i)具有恒定的横截面的中...

一种用于确定光刻过程的性能参数的目标，所述目标包括：第一子目标，所述第一子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第一子目标的底层光栅具有第一节距且所述第一子目标的顶部光栅具有第二节距；至少一个第二子目标，所述第二子目标由至少两个叠置光栅形...

公开了一种在光刻工艺中减小与晶片上的结构相关联的误差的变异性的方法。该方法包括基于图像(或多个图像)来确定图像中由于SEM畸变而引起的第一误差，所述图像基于通过扫描电子显微镜(SEM)对晶片的扫描而获取。该方法还包括基于图像来确定与该结...