描述了一种用于确定影响在衬底上制造器件的过程中的产率的根本原因的方法，该方法包括：获得产率分布数据，产率分布数据包括产率参数在整个衬底或其一部分上的分布；获得量测数据的集合，每个集合包括在整个衬底或其一部分上与衬底的不同层相对应的过程参...

一种用于分析过程的方法，该方法包括：获得表示多个过程参数的值的期望分布的多维概率密度函数；获得将过程参数的值与过程的性能度量相关的性能函数；以及使用性能函数将概率密度函数映射到以过程参数作为自变量的性能概率函数。

披露了一种测量与使用光刻过程来形成结构有关的聚焦参数的方法，以及相关联的量测装置。所述方法包括：获得与所述结构的交叉偏振测量有关的测量数据；和基于所述测量数据确定所述聚焦参数的值。

描述了一种用于预测与在衬底上制造半导体器件的过程有关的产率的方法，该方法包括：获得将模型化参数转换为产率参数的经训练第一模型，上述模型化参数包括：a)与以下中的一项或多项相关联的几何参数：通过该过程制造的器件元件的几何特性、尺寸或位置，...

一种用于确定整个图案形成装置或衬底上的标记位置的布局的方法，该方法包括：a)获取(502)被配置为对与在一个或多个标记位置处的图案形成装置或衬底上执行的测量相关联的数据进行建模的模型；b)获取(504)包括初始标记位置的初始标记布局(5...

披露了一种测量光刻设备的聚焦性能的方法。所述方法包括：使用所述光刻设备将至少一个聚焦量测图案印制到衬底上，所印制的聚焦量测图案至少包括特征的第一周期性阵列；和使用检查辐射来测量所印制的聚焦量测图案中的所述第一周期性阵列的衍射光谱的相反部...

公开了一种用于获得包括合成量测数据的训练数据集的方法，所述训练数据集被配置为用于训练与用于制造集成电路的制造过程有关的模型。该方法包括：获得行为特性数据，该行为特性数据描述由制造过程和/或相关工具或影响产生的过程参数的行为。附加地或可替...

公开了一种用于确定处理装置对跨第一衬底的参数的特征标识的贡献的方法，方法包括：获得涉及在与检查衬底上的第一特征相关联的第一光瞳图像和与衬底上的第二特征的检查相关联的第二光瞳图像之间的差异的增量图像，其中第一特征和第二特征具有不同的剂量敏...

一种用于测量制造工艺的参数的方法，包括：利用辐射照射目标，检测来自目标的经散射的辐射，以及从所检测的辐射的不对称性来确定感兴趣的参数。

一种用于从隔膜移除粒子的隔膜清洁设备，包括：隔膜支撑件；以及电场生成机构。所述隔膜支撑件用于支撑所述隔膜。所述电场生成机构用于当所述隔膜由所述隔膜支撑件支撑时在所述隔膜附近生成电场。所述电场生成机构可以包括：一个或更多个集电极；和用于跨...

本文描述了一种用于确定图案形成装置图案的方法。所述方法包括：获得(i)具有至少一个特征的初始图案形成装置图案，以及(ii)所述至少一个特征的期望特征尺寸；基于图案化过程模型、所述初始图案化设备图案形成装置图案和针对衬底的目标图案，获得由...

一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜具有不大于200nm的厚度并且包括叠层，所述叠层包括：至少一个硅层；和至少一个硅化合物层，由硅和选自由硼、磷、溴组成的组中的元素的化合物组成。

一种流体处理结构及浸没光刻设备，该流体处理结构配置成将浸没流体限制到光刻设备的一区域，包括：孔，用作使投影束经由通过浸没流体而通过流体处理结构的通道；第一部分；第二部分；它们中的至少一者限定一表面，适于从区域提取浸没流体；流体处理结构适...

本公开的实施例涉及用于检测及量测的方法与装置。一种方法，包括：执行仿真以对多个量测目标和/或用来测量量测目标的多个量测选配方案进行评价；从经评价的多个量测目标和/或量测选配方案中标识一个或多个量测目标和/或量测选配方案；接收一个或多个标...

描述了一种用于设计、配置和/或编辑表示与半导体制造过程相关联的控制策略的控制流程的用户接口，该用户接口包括：控制元素库，至少包括表示模拟任务的控制元素，并且每个控制元素能够由用户选择；控制流程编辑器，被配置为将上述控制元素组织成表示控制...

电磁复合透镜可以被配置为聚焦带电粒子束。复合透镜可以包括设置在次级光轴上的静电透镜和也设置在次级光轴上的磁透镜。磁透镜可以包括永磁体。带电粒子光学系统可以包括束流分离器，该束流分离器被配置为将由源沿初级光轴生成的初级带电粒子束的多个束波...

用于校准计量设备和确定感兴趣参数的方法。在一种布置中，提供了训练数据，其包括由多个计量设备中的每一个检测的散射辐射的检测表示。编码器对每个检测表示进行编码以提供编码表示，并且解码器从相应的编码表示生成合成检测表示。分类器估计每个编码表示...

一种确定光刻装置的参数的方法，其中该方法包括提供第一基底的第一高度变化数据(602)，提供第一基底的第一性能数据(604)，以及基于第一高度变化数据和第一性能数据确定模型(606)。该方法还包括获取(608)第二基底的第二高度变化数据，...

公开了一种用于生成极紫外辐射的源和方法，其中通过如下来阻止熔融目标材料的喷溅：通过耗费可进入熔融目标材料沉积物，并通过引入与氢自由基反应的活性气体而在其中产生氢气泡的氢自由基的数目。气泡的氢自由基的数目。气泡的氢自由基的数目。

公开了一种抗蚀剂组合物，其包括具有有着选自ABX