本公开涉及确定图案化工艺的感兴趣参数的值。在计量过程中从目标获取多个校准数据单元。至少两个校准数据单元中的每个校准数据单元表示在计量过程中使用不同相应偏振设置而获取的检测辐射，每个偏振设置限定计量过程的入射辐射的偏振属性和计量过程的检测...

公开了一种改进的粒子束检查设备，并且更具体地公开了一种包括用于预调节晶片的温度的热调节站的粒子束检查设备。带电粒子束设备可以扫描晶片以测量晶片上的结构的一个或多个特性并且分析一个或多个特性。带电粒子束设备还可以基于对结构的一个或多个特性...

本文中公开了一种用于确定衬底上的特征的图像指标的方法，该方法包括：获取衬底上的多个特征的第一图像；获取衬底上的多个对应特征的一个或多个另外的图像，其中一个或多个另外的图像中的至少一个另外的图像与第一图像属于衬底的不同层；通过对第一图像和...

本文中描述的是一种用于确定概率模型的方法，该概率模型被配置为预测受图案化处理的衬底的图案的特性(例如，缺陷、CD等)。该方法包括获取与衬底上的图案的特性相对应的残差的分布的空间图，基于在空间图内的残差的分布的变化来确定空间图的区域，以及...

一种用于配置半导体制造过程的方法，该方法包括：基于与半导体制造过程中的过程步骤的第一操作相关联的测量以及第一采样方案来获得第一参数的第一值；使用递归神经网络基于第一值来确定第一参数的预测值；以及将第一参数的预测值用于配置半导体制造过程中...

一种光刻设备包括：构造成形成光刻设备的支撑结构的底架、布置在底架与地板之间的主动式底架支撑件。该主动式底架支撑件配置成在底板上支撑底架。该主动式底架支撑件包括致动器，该致动器配置成在底架与地面之间沿水平方向施加力。该光刻设备还包括控制装...

一种操作光刻设备的方法，该光刻设备包括：投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使在投影系统下方的衬底形成图案；第一平台，配置成支撑第―衬底；第二平台，配置成支撑第二衬底；和第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；其中，该方法包...

一种将晶片图像与参考图像对准的方法，包括：在晶片图像上搜索目标参考位置，以将晶片图像与参考图像对准；并且响应于确定目标参考位置不存在：在晶片图像上定义当前锁定位置和包围当前锁定位置的区域；计算当前锁定位置的对准评分；将当前锁定位置的对准...

一种用于根据来自处理站的单独贡献来表征后处理数据的方法，该后处理数据涉及用于使用针对多个处理步骤中的每一个处理步骤的相应处理设备在多个衬底上制造集成电路的制造工艺，所述处理设备中的至少一些处理设备各自包括多个所述处理站，并且其中，用于处...

一种用于对准标记测量系统的超连续谱辐射源包括：辐射源；照射光学器件；多个波导；和收集光学器件。辐射源能够操作以产生脉冲辐射束。照射光学器件布置成接收脉冲泵浦辐射束并形成多个脉冲子束，每个脉冲子束包括脉冲辐射束的一部分。多个波导中的每一个...

提供一种系统，该系统包括具有内部区域的真空腔室，该内部区域被配置为接收目标和光束。目标材料当处于等离子体状态时，发出极紫外(EUV)光。该系统还包括检测系统，该检测系统被配置为通过检测来自内部区域中的原子、离子或分子的光发射并且产生内部...

一种用于制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供叠层，所述叠层包括：至少一个隔膜层，所述至少一个隔膜层由平面基底支撑，其中所述平面基底包括内部区和围绕所述内部区的边界区；和第一牺牲层，所述第一牺牲层位于所述平面基底与所述隔...

一种用于供应目标材料的设备，包括储蓄器系统、注入系统以及从注入系统延伸至储蓄器系统的输送系统。储蓄器系统包括与喷嘴供应系统流体连通的储蓄器。注入系统包括限定初级腔的注入室；以及可移除载体，该可移除载体被配置为被容纳在初级腔中。可移除载体...

一种光纤、用于形成光纤的制造中间体以及一种用于形成光纤的方法。所述方法包括：提供制造中间体(300)，所述制造中间体具有细长本体并且包括外管(308)和多个内管(304)，多个内管布置在外管内，多个内管围绕着孔(302)以一个或多个环形...

一种用于检查用于EUV光刻设备中的诸如表膜之类的物体的检查设备，所述检查设备包括：

公开了一种改进的带电粒子束检查装置，并且更具体地，公开了一种包括改进的对准机制的粒子束检查装置。一种改进的带电粒子束检查装置可以包括第二电子检测器件，该第二电子检测器件用以在该对准模式期间生成多个次级电子束中的一个或多个束斑点的一个或多...

一种生成用于图案化过程的特征图案和训练机器学习模型的方法。用于生成特征图案的方法包括：获得经训练的生成器模型和输入图案，该经训练的生成器模型被配置为生成特征图案(例如热点图案)；以及经由经训练的生成器模型(例如CNN)的模拟，基于输入图...

公开了用于增加光刻系统的焦深的系统、方法和计算机程序。在一个方面，一种方法包括提供光谱、掩模图案和光瞳设计，光谱、掩模图案和光瞳设计一起被配置成为光刻系统提供焦深。该方法还包括迭代地改变光谱和掩模图案中的辅助特征以提供增加焦深的经修改的...

本发明涉及一种物体，诸如用于浸没式光刻设备的传感器，所述物体具有与浸没液体接触的外层，并且其中，所述外层具有包括稀土元素的成分。本发明还涉及包括这样的物体的浸没式光刻设备和用于制造这样的物体的方法。

一种用于减少有害波长的辐射的透射的辐射滤光片。辐射滤光片包括锆和SiN