光刻设备和操作光刻设备的方法技术

一种操作光刻设备的方法，该光刻设备包括：投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使在投影系统下方的衬底形成图案；第一平台，配置成支撑第―衬底；第二平台，配置成支撑第二衬底；和第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；其中，该方法包括：在开始衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作；其中，在曝光前争夺扫掠操作期间，第三平台移动远离投影系统的下方，而第二平台移动到投影系统的下方；其中，在衬底交换操作期间，从第一平台卸载第一衬底。

【技术实现步骤摘要】
光刻设备和操作光刻设备的方法本申请是申请日为2016年09月30日、专利技术名称为“光刻设备和操作光刻设备的方法”、申请号为201680079692.0的专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2015年11月20日递交的欧洲申请15195532.5和2016年2月24日递交的欧洲申请16157155.9的优先权，这些欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种光刻设备和一种操作光刻设备的方法。
技术介绍
光刻设备为将所期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或几个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器；在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每一个目标部分；在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。另外，能够通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。已经提出在光刻投影设备中将衬底浸入具有相对高折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件与衬底之间的空间。在实施例中，所述液体是蒸馏水，尽管可以使用其它液体。将参考液体来描述本专利技术的实施例。然而，其它流体可能是合适的，特别是湿润流体、不可压缩流体和/或折射率高于空气的折射率(期望地高于水的折射率)的流体。除了气体以外的流体是尤其期望的。其的关键点是实现使更小特征成像，这是因为曝光辐射在液体中将具有较短的波长。(液体的作用也可以被认为是增加了系统的有效数值孔径(NA)并且也增加了焦深。)已经提出了其它浸没液体，包括悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮液(例如最大尺寸高达10纳米的颗粒)的液体。悬浮颗粒可以具有或者可以不具有与悬浮有该颗粒的液体的折射率相似或相同的折射率。可能合适的其它液体包括烃，诸如芳香族、氟代烃和/或水溶液。将衬底或衬底和支撑台浸入液体浴中(参见例如美国专利No.4,509,852)的意思是存在在扫描曝光期间必须被加速的大量的液体。这需要额外的或更强大的马达，并且液体中的湍流可能导致不期望的和不可预测的效果。在浸没设备中，浸没流体由流体处理系统、装置结构或设备处理。在实施例中，流体处理系统可以供应浸没流体，并且因此该流体处理系统可以是流体供应系统。在实施例中，流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，并且因此该流体处理系统可以是流体限制系统。在实施例中，流体处理系统可以提供对浸没流体的阻挡，并且因此该流体处理系统可以是阻挡构件，诸如流体限制结构。在实施例中，流体处理系统可以产生或使用气流，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成用于限制浸没流体的密封，因此，流体处理结构可以被称作密封构件；该密封构件可以是流体限制结构。在实施例中，将浸没液体用作浸没流体。在这种情况下，流体处理系统可以是液体处理系统。在参考前述描述的情况下，在本段中对相对于流体所限定的特征的参考可以被理解为包括相对于液体所限定的特征。在浸没设备或在干式设备两者中，可以使用三平台系统。使用三平台系统的光刻设备包括三个平台。例如，所述平台中的两个可以是用于承载衬底的衬底平台，并且所述平台中的一个可以是能够执行测量的校准平台。在使用三平台系统的光刻设备中所执行的一个操作被称为平台调换，其中，调换所述平台中的两个平台的位置。例如，可以在曝光操作之间的时间段内调换两个衬底平台的位置。所执行的另一个操作被称为衬底交换(或晶片交换)，其中，将衬底从所述平台中的一个移除和/或将另一个衬底提供至该平台。所执行的其它操作是例如衬底对准、调平、感测和曝光。当操作光刻设备时，按顺序执行这些操作。通常，当生产量和/或正常运行时间被改善时，光刻设备的总生产率得以改善。另外，转印到衬底上的图案的良好成像品质通常对于制造IC来说是必需的。因此，例如，期望提供改善生产量和/或改善成像品质和/或改善良率和/或改善光刻设备的正常运行时间的光刻设备和操作光刻设备的方法。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供一种操作光刻设备的方法，所述光刻设备包括：投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使在所述投影系统下方的衬底形成图案；第一平台，配置成支撑第一衬底；第二平台，配置成支撑第二衬底；和第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；其中，所述方法包括：在开始衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作；其中，在所述曝光前争夺扫掠操作期间，所述第三平台移动远离所述投影系统的下方，而所述第二平台移动到所述投影系统的下方；其中，在所述衬底交换操作期间，从所述第一平台卸载所述第一衬底。根据本专利技术的另一方面，提供一种光刻设备，包括：投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使衬底形成图案；第一平台，配置成支撑第一衬底；第二平台，配置成支撑第二衬底；第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；衬底卸载器，配置成在衬底交换操作期间从所述第一平台卸载所述第一衬底；和控制系统，配置成控制所述第一平台、所述第二平台、所述第三平台和所述衬底卸载器的定位，其中，所述控制系统布置成在开始所述衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作，其中，在所述曝光前争夺扫掠操作期间，所述第三平台移动远离所述投影系统的下方，而所述第二平台移动到所述投影系统的下方。附图说明现在将参考随附的示意图并且仅以示例的方式来描述本专利技术的实施例；在附图中，对应的附图标记表示对应的部件，并且其中：图1描绘了根据本专利技术的实施例的光刻设备100；图2示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的光刻设备100；图3描绘了根据本专利技术的实施例的用于光刻设备100中的液体处理系统；图4是描绘了根据本专利技术的实施例的用于光刻设备100中的另一种液体处理系统的侧横截面视图；图5至图13以平面图示意性地描绘了在操作期间在不同的时间使用三平台系统的光刻设备100；图14至图16以平面图示意性地描绘了根据可替代的实施例的在操作期间在不同的时间使用三平台系统的光刻设备100；图17示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的用于光刻设备100中的调平系统装置的示例；图18示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的用于光刻设备100中的调平系统装置的另一个示例；图19示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的用于光刻设备100中的另一种液体处理系统的一部分的侧向横截面视图；图20示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的用于光刻设备100中的照射系统的空间光调制器的示例；图21以平面图示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的用于光刻设备100中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作光刻设备的方法，所述光刻设备包括：/n投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使在所述投影系统下方的衬底形成图案；/n第一平台，配置成支撑第一衬底；/n第二平台，配置成支撑第二衬底；和/n第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；/n其中，所述方法包括：在开始衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作；/n其中，在所述曝光前争夺扫掠操作期间，所述第三平台移动远离所述投影系统的下方的同时，所述第二平台移动到所述投影系统的下方；/n其中，在所述衬底交换操作期间，从所述第一平台卸载所述第一衬底。/n

【技术特征摘要】
20151120 EP 15195532.5;20160224 EP 16157155.91.一种操作光刻设备的方法，所述光刻设备包括：
投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使在所述投影系统下方的衬底形成图案；
第一平台，配置成支撑第一衬底；
第二平台，配置成支撑第二衬底；和
第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；
其中，所述方法包括：在开始衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作；
其中，在所述曝光前争夺扫掠操作期间，所述第三平台移动远离所述投影系统的下方的同时，所述第二平台移动到所述投影系统的下方；
其中，在所述衬底交换操作期间，从所述第一平台卸载所述第一衬底。


2.一种光刻设备，包括：
投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使衬底形成图案；
第一平台，配置成支撑第一衬底；
第二平台，配置成支撑第二衬底；
第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；
衬底卸载器，配置成在衬底交换操作期间从所述第一平台卸载所述第一衬底；和
控制系统，配置成控制所述第一平台、所述第二平台、所述第三平台和所述衬底卸载器的定位，
其中，所述控制系统布置成在开始所述衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作，
其中，在所述曝光前争夺扫掠操作期间，所述第三平台移动远离所述投影系统的下方的同时所述第二平台移动到所述投影系统的下方。


3.如权利要求2所述的光刻设备，其中，在所述曝光前争夺扫掠操作期间，由所述第二平台和所述第三平台执行图案形成装置对准。


4.如权利要求2至3中任一项所述的光刻设备，其中，所述部件包括所述传感器，其中，所述传感器布置成测量所述曝光辐射的至少一个属性。


5.如权利要求4所述的光刻设备，其中，所述至少一个属性包括所述曝光辐射的剂量和/或均匀性。


6.如权利要求2至4中任一项所述的光刻设备，其中，所述部件包括所述传感器，其中，所述传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：金原淳一，H·巴特勒，P·C·H·德威特，E·A·F·范德帕斯奇，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL