光刻设备中的物体制造技术

本发明专利技术涉及一种物体，诸如用于浸没式光刻设备的传感器，所述物体具有与浸没液体接触的外层，并且其中，所述外层具有包括稀土元素的成分。本发明专利技术还涉及包括这样的物体的浸没式光刻设备和用于制造这样的物体的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备中的物体相关申请的交叉引用本申请要求2018年10月1日递交的欧洲申请18197937.8的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及光刻设备中的物体，其中所述物体具有被应用至所述物体的层。本专利技术特别地涉及一种用于光刻设备的传感器的传感器标记和一种使用光刻设备来制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浸没式光刻设备，包括：/n物体，所述物体包括：/n衬底和外层，所述外层在使用时与浸没液体接触，/n其中，所述外层具有包括稀土元素的成分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181001 EP 18197937.81.一种浸没式光刻设备，包括：
物体，所述物体包括：
衬底和外层，所述外层在使用时与浸没液体接触，
其中，所述外层具有包括稀土元素的成分。


2.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备，其中，所述成分还包括无机和/或有机硅聚合物。


3.根据权利要求2所述的浸没式光刻设备，其中，所述聚合物具有Si-O-Si-O主链。


4.根据权利要求2所述的浸没式光刻设备，其中，所述聚合物具有选自甲基、乙基、丙基、苯基、乙烯基的一个或多个基团。


5.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述稀土元素被至少部分地氧化、氮化、硼化、碳化或硅化。


6.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述物体还包括介于所述衬底与所述外层之间的中间层。


7.根据权利要求7所述的浸没式光刻设备，其中，所述中间层包括SiO2、SiO2-x中的一个或多个。


8.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述外层具有在所述层厚度上的、随着距所述衬底的距离增加而增加的稀土元素的浓度梯度。


9.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述稀土元素以0.1％原子百分比至50％原子百分比的浓度(原子百分比)存在于所述外层的外表面中。


10.根据权利要求1或2所述的浸没式光刻设备，其中，所述物体包括至少一个图案化层，所述至少一个图案化层包括形成在所述衬底上的通孔的图案和/或形成在所述通孔中的台阶的图案，并且其中所述外层形成在所述图案化层的至少一部分上。


11.根据权利要求1至14中任一项所述的浸没式光刻设备，其中，所述物体还包括形成在位于所述外层下方的所述衬底上的辐射阻挡层。

【专利技术属性】
技术研发人员：A·尼基帕罗夫，J·F·M·贝克尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL