监测光发射制造技术

提供一种系统，该系统包括具有内部区域的真空腔室，该内部区域被配置为接收目标和光束。目标材料当处于等离子体状态时，发出极紫外(EUV)光。该系统还包括检测系统，该检测系统被配置为通过检测来自内部区域中的原子、离子或分子的光发射并且产生内部区域中的光发射的空间分布的表示来对内部区域进行成像。控制系统耦合到检测系统。控制系统被配置为分析空间分布的表示，以确定来自内部区域中的原子、离子或分子的光发射的空间分布，并且基于光发射的空间分布来确定是否调整光束的特性和/或真空腔室的特性。真空腔室的特性。真空腔室的特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】监测光发射
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2018年10月26日提交的题为“监测光发射”的美国申请号62/751,267的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及监测光发射。光发射可以是在极紫外(EUV)光源的真空腔室中发生的光发射。

技术介绍

[0004]极紫外线(“EUV”)光(例如，具有如下波长的电磁辐射：波长为100纳米(nm)或更小(有时也称为软X射线)并且包括波长为例如20nm或更小、介于5nm至20nm之间或介于13nm与14nm之间的光)可以用于光刻工艺以通过在抗蚀剂层中引发聚合而在例如硅晶片的衬底中产生极小特征。
[0005]产生EUV光的方法包括但不限于对材料进行转换，该材料在等离子体态下具有发射线在EUV范围内的的元素，该元素例如氙、锂或锡等。在一种这样的方法(通常称为激光产生等离子体(“LPP”))中，所需等离子体可以通过使用可以称为驱动激光器的经放大光束对目标材料进行照射来产生，该目标材料的形式例如为材料的微滴、板、带、流或簇。对于该过程，通常在密封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，包括：真空腔室，包括内部区域，其中所述内部区域被配置为接收目标和光束，所述目标包括目标材料，并且所述目标材料当处于等离子体状态时发射极紫外(EUV)光；检测系统，被配置为对所述内部区域进行成像，所述检测系统被配置为检测来自所述内部区域中的原子、离子或分子的光发射并且产生所述光发射在所述内部区域中的空间分布的表示；以及控制系统，耦合到所述检测系统，所述控制系统被配置为：分析所述光发射的所述空间分布的所述表示，以确定来自所述内部区域中的原子、离子或分子的所述光发射的空间分布；以及基于所述光发射的所述空间分布来确定是否调整所述光束的至少一个特性和/或所述真空腔室的至少一个特性。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述光发射包括荧光。3.根据权利要求2所述的系统，其中所述荧光包括激光诱导荧光。4.根据权利要求1所述的系统，还包括一个或多个光谱滤光器，所述一个或多个光谱滤光器被配置为相对于所述检测系统定位，所述光谱滤光器被配置为仅允许一些波长到达所述检测系统。5.根据权利要求4所述的系统，其中所述一个或多个光谱滤光器中的每个光谱滤光器被配置为透射具有在所述目标材料的所述多个发射线中的一个发射线中的波长的光。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个光谱滤光器中的至少一个光谱滤光器被配置为透射可见光范围内的波长。7.根据权利要求4所述的系统，其中所述真空腔室还被配置为在所述内部区域中容纳气体，并且所述光谱滤光器被配置为透射具有在所述气体的发射线处的波长的光。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制系统被配置为接收所述内部区域的多个表示，所述多个表示中的每个表示与不同的时间相关联，并且所述控制系统被配置为分析所述内部区域的所述表示包括：所述控制系统被配置为分析所述多个表示中的每个表示，以确定在所述内部区域中的所述光发射在所述不同时间中的每个时间的所述空间分布。9.根据权利要求8所述的系统，其中所述内部区域中的所述光发射由所述内部区域中的能量事件产生，并且所述不同的时间是在所述能量事件之后发生的所有时间。10.根据权利要求9所述的系统，其中所述能量事件包括所述光束与所述目标之间的相互作用，并且所述光发射为来自以下各项的发射：(a)所述目标材料；(b)由所述光束与所述目标材料之间的所述相互作用形成的等离子体；和/或(c)由所述光束和所述目标的所述相互作用形成的碎片。11.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制系统被配置为接收所述内部区域的扩展曝光表示，所述内部区域的所述扩展曝光表示包括一定时间段内所述内部区域中的所述发射的所述空间分布的平均。12.根据权利要求9所述的系统，其中所述真空腔室还被配置为在所述内部区域中容纳气体，所述能量事件包括向所述气体添加能量的相互作用，并且所述光发射为来自所述气体的发射。13.根据权利要求12所述的系统，其中向所述气体增加能量的所述相互作用包括：(a)
所述光束与所述气体之间的相互作用；(b)所述气体与由所述光束与所述目标之间的相互作用形成的等离子体之间的相互作用；和/或(c)离子与所述气体之间的相互作用。14.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制系统被配置为分析所述表示以确定在所述内部区域中的所述光发射的空间分布包括：所述控制系统被配置为估计所述光发射的强度的空间分布和/或形状。15.根据权利要求1所述的系统，还包括：第一光谱滤光器，被配置为透射波长在第一波带中的光；以及第二光谱滤光器，被配置为透射波长在第二波带中的光，并且其中所述控制系统被配置为分析所述表示包括：所述控制系统被配置为估计所述第一波带中的光发射量并且估计所述第二波带中的光发射量，并且所述控制系统还被配置为基于对在所述第一波带的所估计的所述光发射量和在所述第二波带的所估计的所述光发射量进行比较，来估计所述目标材料的电离份数。16.根据权利要求15所述的系统，其中所述控制系统基于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：