通过源和掩模优化创建理想源光谱的方法技术

公开了用于增加光刻系统的焦深的系统、方法和计算机程序。在一个方面，一种方法包括提供光谱、掩模图案和光瞳设计，光谱、掩模图案和光瞳设计一起被配置成为光刻系统提供焦深。该方法还包括迭代地改变光谱和掩模图案中的辅助特征以提供增加焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案。该方法还包括基于增加焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案来配置光刻系统的部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过源和掩模优化创建理想源光谱的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年10月19日提交的美国申请62/747,951的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本文中的描述总体上涉及改进和优化光刻过程。更具体地，本公开包括用于通过修改光谱、掩模图案和/或光瞳设计来增加光刻系统的焦深的装置、方法和计算机程序。
技术介绍
光刻投影设备可以例如在集成电路(IC)的制造中使用。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供与IC的单个层相对应的图案(“设计布局”)，并且该图案可以通过诸如穿过图案形成装置上的图案来照射目标部分等方法被转印到已经涂覆有辐射敏感材料层(“抗蚀剂”)的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上。通常，单个衬底包含多个相邻目标部分，图案通过光刻投影设备被连续地转印到该多个目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案被一次转印到一个目标部分上；这样的设备也可以称为步进器。在替代设备中，步进扫描设备可以引起投影束在给定参考方向(“扫描”方向)上在图案形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于增加光刻系统的焦深的方法，所述方法包括：/n提供光谱、掩模图案和光瞳设计，所述光谱、所述掩模图案和所述光瞳设计一起被配置成为所述光刻系统提供焦深；/n迭代地改变所述光谱和所述掩模图案中的辅助特征，以提供增加所述焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案；以及/n基于增加所述焦深的所述经修改的光谱和所述经修改的掩模图案来配置所述光刻系统的部件。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181019 US 62/747,9511.一种用于增加光刻系统的焦深的方法，所述方法包括：
提供光谱、掩模图案和光瞳设计，所述光谱、所述掩模图案和所述光瞳设计一起被配置成为所述光刻系统提供焦深；
迭代地改变所述光谱和所述掩模图案中的辅助特征，以提供增加所述焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案；以及
基于增加所述焦深的所述经修改的光谱和所述经修改的掩模图案来配置所述光刻系统的部件。


2.根据权利要求1所述的方法，所述迭代改变还包括同时迭代地改变所述光谱、所述掩模图案和所述光瞳设计，以提供所述经修改的光谱、经修改的掩模图案和经修改的光瞳设计。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光谱以一系列脉冲被提供，其中所述光谱中的至少一个峰中的中心波长每隔一个脉冲被进一步改变以偏移约500fm。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述光谱包括多色光谱。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多色光谱包括具有峰间距的至少两个不同的峰。


6.根据权利要求4所述的方法，还包括通过光源输送与所述多色光谱相对应的光，其中多种颜色的光在不同时间被输送。


7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·E·康利，J·J·索恩斯，段福·史蒂芬·苏，G·A·雷希特斯坦纳，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，西默有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL