测量图案化过程的参数的方法、量测设备、目标技术

本公开涉及测量图案化过程的参数。在一个布置中，照射通过所述图案化过程形成的目标。从所述目标散射的辐射的子阶衍射分量被检测且用以确定所述图案化过程的参数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】测量图案化过程的参数的方法、量测设备、目标相关申请的交叉引用本申请要求2018年12月18日递交的欧洲申请18213270.4和2019年3月13日递交的欧洲申请19162436.0的优先权，这两个欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
本说明书涉及测量图案化过程的参数，诸如重叠或聚焦。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)或被设计为功能性的其它器件的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在被设计为功能性的器件的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。制造诸如半导体器件之类的器件通常涉及使用一定数量的制造过程来处理衬底(例如半导体晶片)以形成器件的各个特征且常常形成多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测量图案化过程的参数的方法，所述方法包括：/n照射通过所述图案化过程形成的目标；/n检测从所述目标散射的辐射的子阶衍射分量；以及/n使用所检测的子阶衍射分量来确定所述图案化过程的参数。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181218 EP 18213270.4;20190313 EP 19162436.01.一种测量图案化过程的参数的方法，所述方法包括：
照射通过所述图案化过程形成的目标；
检测从所述目标散射的辐射的子阶衍射分量；以及
使用所检测的子阶衍射分量来确定所述图案化过程的参数。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述子阶衍射分量主要由与来自所述目标的理论衍射图案的部分相对应的辐射形成，所述部分位于主一阶峰之间和之外，且位于主零阶峰之外。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述子阶衍射分量的检测包括：将与所述子阶衍射分量相对应的辐射和与所述主零阶峰相对应的辐射分离。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述分离包括：将与所述主零阶峰相对应的辐射和与所述子阶衍射分量相对应的辐射引导通过位于所述目标与检测器之间的光学系统的光瞳平面中的单独的对应的区。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过比较第一子阶衍射分量与第二子阶衍射分量来确定所述图案化过程的参数。


6.根据权利要求5所述的方法，其中：
所述第一子阶衍射分量主要由与所述理论衍射图案的更接近于主正一阶峰而不是更接近于主负一阶峰的部分相对应的辐射形成；并且
所述第二子阶衍射分量主要由与所述理论衍射图案的更接近于所述主负一阶峰而不是更接近于所述主正一阶峰的部分相对应的辐射形成。


7.根据权利要求5或6所述的方法，其中：
所述图案化过程的参数包括所述图案化过程中的误差；并且
所述第一子阶衍射分量与所述第二子阶衍射分量的比较包括：确定当所述误差为零时所预期的所述第一子阶衍射分量与所述第二子阶衍射分量之间的名义关系的偏差，...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·索科洛夫，S·塔拉布莱恩，郑舒婷，A·E·A·科伦，M·F·A·欧林斯，K·R·A·M·施瑞尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL