检查设备、检查方法和制造方法技术

本申请提供了一种检查设备、检查方法和制造方法。通过光刻过程在衬底(W)上形成量测目标。以空间相干辐射在不同的条件下照射包括一个或多个光栅结构的目标(T)。由所述目标区域衍射的辐射(650)与参考辐射(652)干涉，在图像检测器(623)处干涉形成干涉图案。捕获所述干涉图案的一个或多个图像。根据所捕获的图像和参考辐射的知识，计算检测器处的所收集的散射辐射的复数场。根据所述复数场，计算被每个光栅衍射的辐射的合成辐射量测图像(814、814’)。根据光栅衍射谱的相反部分的合成辐射量测图像(814、814’)，获得对所述光栅中的不对称度的量度。使用合适的目标，可以根据所量度的不对称度，计算光刻过程的重叠和其他性能参数。

【技术实现步骤摘要】
检查设备、检查方法和制造方法本申请是申请日为2015年08月13日、专利技术名称为“检查设备、检查方法和制造方法”、申请号为201580046689.4的专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2014年8月28日递交的欧洲申请EP14182658的优先权，并且通过引用将其全部内容并入到本文中。
本专利技术涉及能够用于例如使用光刻技术在器件的制造过程中实施量测的检查设备和方法。本专利技术还涉及用在这种检查设备中的照射系统以及使用光刻技术制造器件的方法。本专利技术另外还涉及用于实施这些方法的计算机程序产品。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测量目标结构的性质的检查设备，所述检查设备包括辐射源和与光学系统结合的图像检测器，所述光学系统限定以下束路径：/n-照射路径，所述照射路径用于从所述辐射源接收辐射、形成空间相干的照射辐射的束和将所述照射辐射传递至衬底上的目标区域上；/n-收集路径，所述收集路径用于从所述目标区域收集非零级散射辐射的至少一部分和将所收集的散射辐射传递至所述图像检测器；以及/n-参考路径，所述参考路径用于将参考辐射传递至所述图像检测器，其中所述参考辐射是与散射辐射相干的，以便与所述散射辐射干涉并且在所述图像检测器处形成干涉图案，其中所述图像检测器被配置用于捕获所述干涉图案的一个或多个图像，并且其中所述检...

【技术特征摘要】
20140828 EP 14182658.61.一种用于测量目标结构的性质的检查设备，所述检查设备包括辐射源和与光学系统结合的图像检测器，所述光学系统限定以下束路径：
-照射路径，所述照射路径用于从所述辐射源接收辐射、形成空间相干的照射辐射的束和将所述照射辐射传递至衬底上的目标区域上；
-收集路径，所述收集路径用于从所述目标区域收集非零级散射辐射的至少一部分和将所收集的散射辐射传递至所述图像检测器；以及
-参考路径，所述参考路径用于将参考辐射传递至所述图像检测器，其中所述参考辐射是与散射辐射相干的，以便与所述散射辐射干涉并且在所述图像检测器处形成干涉图案，其中所述图像检测器被配置用于捕获所述干涉图案的一个或多个图像，并且其中所述检查设备还包括处理器，所述处理器被布置用于(i)接收表示所述一个或多个被捕获的图像的图像数据、(ii)根据所述图像数据和所述参考辐射的知识计算所述检测器处的所述散射辐射的复数场和(iii)根据所述复数场计算被目标区域内的周期性结构衍射的辐射的合成辐射量测图像。


2.根据前述权利要求中的任一项的检查设备，其中所述照射路径和所述参考路径中的一者或两者包括可移动元件，所述可移动元件在所述散射辐射和所述参考辐射在图像检测器处干涉的情况下用于调整所述散射辐射与所述参考辐射之间的光学路径差。


3.根据权利要求2的检查设备，其中所述处理器被配置用于根据用不同光学路径差捕获的干涉图案的图像计算所述复数场。


4.根据前述权利要求中的任一项的检查设备，其中所述处理器被布置用于从所述合成辐射量测图像提取与同一目标区域中的多个独立的目标结构相关的信息，每个目标结构被表示在所述合成辐射量测图像内的不同区域处。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·J·登鲍埃夫，S·G·J·玛斯吉森，N·潘迪，S·威特，K·艾克玛，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL