【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于对结构的电磁散射性质进行计算的方法和设备相关申请的交叉引用本申请要求2018年5月14日递交的欧洲申请18172091.3的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及对具有结构扰动的周期性结构的电磁散射性质的计算。本专利技术可以应用于例如微观结构的量测中，例如用以评估光刻设备的临界尺寸(CD)性能。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)制造中。在那种情况下，图案形成装置(其可替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生待形成在IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至被设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描...
【技术保护点】
1.一种对结构的电磁散射性质进行计算的方法，所述结构被表示为名义结构和结构扰动，所述方法包括：/n(d)使用处理装置，以数值方式对包括名义线性系统的体积积分方程进行求解，以确定相对于所述结构扰动独立的名义向量场；/n(e)使用扰动线性系统以确定由所述结构扰动所引起的向量场扰动的近似值；以及/n(f)使用所确定的名义向量场和所述向量场扰动的所确定的近似值来计算所述结构的电磁散射性质。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180514 EP 18172091.31.一种对结构的电磁散射性质进行计算的方法，所述结构被表示为名义结构和结构扰动，所述方法包括：
(d)使用处理装置，以数值方式对包括名义线性系统的体积积分方程进行求解，以确定相对于所述结构扰动独立的名义向量场；
(e)使用扰动线性系统以确定由所述结构扰动所引起的向量场扰动的近似值；以及
(f)使用所确定的名义向量场和所述向量场扰动的所确定的近似值来计算所述结构的电磁散射性质。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
(a)构造名义线性系统矩阵以相对于所述结构扰动独立地表示所述名义结构的材料性质；
(b)使用所述名义线性系统矩阵来构造所述名义线性系统；以及
(c)使用所述名义线性系统矩阵且通过舍弃由所述结构扰动所引起的材料性质扰动与所述向量场扰动之间的二阶相互作用，来进行所述扰动线性系统的近似。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述向量场扰动包括远场向量场扰动，并且：
使用所述扰动线性系统以确定所述向量场扰动的近似值的步骤(e)包括：
(e1)定义被构造成选择一个或更多个关注的远场衍射阶的选择向量；
(e2)通过执行所述选择向量与所确定的名义向量场的内积来确定名义远场向量场；
(e3)对伴随线性系统进行求解以确定伴随解向量，所述伴随线性系统具有是名义线性系统矩阵的厄米特转置的系统矩阵、并且具有所述选择向量(g)作为其右侧；
(e4)通过执行所述伴随解向量与所述扰动线性系统的所述右侧向量的内积来确定所述远场向量场扰动的近似值；并且
计算所述结构的电磁散射性质的步骤(f)包括：使用所确定的名义远场向量场和所述远场向量场扰动的所确定的近似值。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
(g)计算依据由第二结构扰动所引起的第二材料性质扰动而定义的第二扰动线性系统的第二右侧向量；
(h)通过执行所述伴随解向量与所述第二扰动线性系统的所述第二右侧向量的内积来确定第二远场向量场扰动的近似值；以及
(i)通过使用所确定的名义远场向量场和所述第二远场向量场扰动的所确定的近似值来计算第二结构的电磁散射性质。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括使用包括所述第二结构的多个结构的所计算的电磁散射性质来确定针对多个结构扰动的电磁散射性质的概率密度函数。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中：
使用所述扰动线性系统以确定所述向量场扰动的近似值的步骤(e)包括：使用处理装置，以数值方式对包括所述扰动线性系统的体积积分方程进行求解，以确定所述向量场扰动的近似解；
计算所述结构的电磁散射性质的步骤(f)包括：使用所确定的名义向量场和所述向量场扰动的所确定的近似解。
7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述结构具有周期性子结构且所述名义线性系统包括子结构名义线性系统，所述子结构名义线性系统被构造成表示所述周期性子结构的单位单元，并且其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·G·M·M·范卡拉埃吉，M·皮萨连科，理查德·金塔尼利亚，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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