在光刻设备中的原位颗粒移除的设备和方法技术

描述了用于减少静电卡盘(300)附近的颗粒的方法和系统，其中清洁掩模版或衬底(320)被固定到该卡盘，清洁掩模版或衬底的表面部分地缺少导电材料，使得来自卡盘的电场可以穿过以到达邻近该衬底的体积，从而将该体积中的颗粒(360)牵引至衬底的表面。施加到卡盘的电压可以具有交替的极性，以增强颗粒到表面的吸引。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在光刻设备中的原位颗粒移除的设备和方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年2月13日提交的美国临时专利申请62/629,862的优先权，该美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
本公开涉及用于从诸如卡盘(例如，静电卡盘)的夹具之类的支撑件附近移除微粒污染物的方法和系统，该卡盘用于保持光刻设备内部的诸如掩模版、掩模或晶片之类的装置。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加至诸如半导体材料的晶片之类的衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在晶片的单个层上的电路图案。典型地通过成像至在衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分。为了缩短曝光波长并由此减小最小可印刷尺寸，使用波长在约5nm至约20nm范围内的电磁辐射，例如在约13nm至约14nm范围内的电磁辐射。这种辐射被称为极紫外(EUV)辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源、或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。可以使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，以及用于容纳等离子体的源收集器模块。例如，可以通过将激光束指向少量的燃料(诸如合适的燃料材料(例如锡)的微滴或合适的气体或蒸气流(诸如氙气或锂蒸汽流))来产生等离子体。所得到的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是镜面正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括被布置成提供真空环境以支撑等离子体的封闭结构或腔室。这种辐射系统通常被称为激光产生等离子体(LPP)源。在也可以使用激光器的替代系统中，可以由通过使用电子放电-放电产生等离子体(DPP)源形成的等离子体来产生辐射。一旦产生辐射，就使用图案形成装置对该辐射进行图案化，然后将该辐射传递至晶片的表面。在光刻设备中使用静电卡盘(ESC)以例如将图案形成掩模版保持在扫描台上。掩模版颗粒污染(缺陷)是EUV技术中的关键的重要参数。为了缓解掩模版污染，通过所谓的冲洗来清洁掩模版平台附近的体积。冲洗涉及在掩模版区域中提供比正常气体流量更高的气体流量，以释放(去除)颗粒并从EUV系统中移除所述颗粒。冲洗的缺点在于其是相对缓慢的清洁过程，并且效率有限。因此，需要一种更快、更有效的原位清洁技术。
技术实现思路
以下呈现了一个或更多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。该概述不是所有预期的实施例的广泛综述，并且不旨在标识所有实施例的关键或重要元素，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或更多个实施例的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的前序。根据一个方面，公开了一种系统，其中由静电卡盘产生的电场用于将颗粒吸引至牺牲清洁掩模版或改性后的衬底的前侧(暴露的侧)。该清洁衬底在掩模版背侧上仅具有部分导电涂层，以允许电场穿透到达掩模版前方的空间。通过结合或不结合EUV曝光的极性切换，带电颗粒可以被吸引至衬底的前侧。根据另一方面，公开了一种设备，该设备包括适于支撑衬底的平台、和电压供应源，该电压供应源电连接到平台并且适于在电压供应源切换极性的模式下操作。平台可以包括静电卡盘。根据另一方面，公开了一种设备，该设备包括平台和布置在平台上的基本上为平面的衬底，该衬底具有面向平台的第一表面和背离平台的第二表面，第一表面的至少第一部分缺少导电涂层，并且第二表面的至少第二部分缺少导电涂层，该第一部分和该第二部分相对于彼此布置，使得电场能够穿过衬底。平台可以包括静电卡盘。第一表面可以部分地覆盖有导电涂层。该设备还可以包括电压源，该电压源用于向静电卡盘施加电压并且产生电场，该电场越过衬底延伸到邻近第二表面的空间中。电压源可以适于交替其输出电压的极性。衬底可以由非导电材料制成。第一表面可以至少部分地涂覆有非导电材料。第二表面可以至少部分地涂覆有非导电材料。非导电材料可以包括Kapton(卡普顿)。第一表面或第二表面都不包括具有导电材料的涂层，并且组合还可以包括用于将衬底固定到静电卡盘的机械夹具。根据另一方面，公开了一种设备，该设备包括：平台；基本上为平面的衬底，该衬底具有第一表面和第二表面，该衬底被布置在平台上使得第一表面面向平台并且第二表面背离平台，第一表面的至少第一部分缺少导电涂层，并且第二表面的至少第二部分缺少导电涂层，第一部分和第二部分相对于彼此布置，使得电场能够穿过衬底；以及电压供应源，该电压供应源电连接到平台并且适于在电压供应源切换极性的模式下操作，以便将颗粒吸引至第二表面。平台可以包括静电卡盘。第一表面可以部分地覆盖有导电涂层。第二表面可以至少部分地覆盖有非导电涂层。电压供应源可以适于产生电场，该电场越过衬底延伸到邻近第二表面的空间的体积中。衬底可以由非导电材料制成。第一表面可以至少部分地涂覆有非导电材料。非导电材料可以包括卡普顿。第一表面或第二表面都可以不包括具有导电材料的涂层，并且该设备还可以包括用于将衬底固定到静电卡盘的机械夹具。根据另一方面，公开了一种方法，该方法包括以下步骤：提供平台；将基本上为平面的衬底布置在平台上，该衬底具有第一表面和第二表面，第一表面的至少第一部分缺少导电涂层，并且第二表面的至少第二部分缺少导电涂层，第一部分和第二部分相对于彼此布置，使得电场能够穿过衬底；以及以电压的极性切换至少一次的方式向平台和衬底施加电压。平台可以包括静电卡盘。根据另一方面，公开了一种方法，该方法包括以下步骤：提供平台；将基本上为平面的衬底布置在平台上，使得衬底的第一表面面向平台并且衬底的第二表面背离平台，第一表面的至少第一部分缺少导电涂层，并且第二表面的至少第二部分缺少导电涂层，第一部分和第二部分相对于彼此布置，使得电场能够穿过衬底；以及通过以电压的极性切换至少一次的方式向平台和衬底施加电压而将颗粒吸引至第二表面。该方法还可以包括在吸引步骤之前使颗粒带电的步骤。使颗粒带电的步骤可以包括将所述颗粒暴露于电离辐射。平台可以包括静电卡盘。根据另一方面，公开了一种方法，该方法包括以下步骤：提供平台；将基本上为平面的衬底布置在平台上，该衬底具有面向平台的第一表面和背离平台的第二表面，第一表面的至少第一部分缺少导电涂层，并且第二表面的至少第二部分缺少导电涂层，第一部分和第二部分相对于彼此布置，使得电场能够穿过衬底；以及以一方式向平台和衬底施加电压，使得电场越过衬底延伸到邻近第二表面的空间中，以将该空间中的颗粒朝向第二表面吸引。根据另一方面，公开了一种基本上为平面的清洁衬底，该衬底包括非导电材料并且具有基本上为平面的顶表面和基本上为平面的底表面，顶表面包括有包含导电材料的层覆盖的至少一个第一区域和没有由包含导电材料的层覆盖的至少一个第二区域。导电材料可以包括氮化铬。至少一个第二区域可以由非导电材料的层覆盖。非导电层可以包括聚(4,4’-氧基二亚苯基-均苯四酸酰亚胺)。基本上为平面的清洁衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，包括：/n平台，所述平台适于支撑衬底，以及/n电压供应源，所述电压供应源被电连接到所述平台并且适于在所述电压供应源切换极性的模式下操作。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180213 US 62/629,8621.一种设备，包括：
平台，所述平台适于支撑衬底，以及
电压供应源，所述电压供应源被电连接到所述平台并且适于在所述电压供应源切换极性的模式下操作。


2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述平台包括静电卡盘。


3.一种设备，包括：
平台；以及
布置在所述平台上的大致平面的衬底，所述衬底具有面向所述平台的第一表面和背离所述平台的第二表面，所述第一表面的至少第一部分缺少导电涂层，并且所述第二表面的至少第二部分缺少导电涂层，所述第一部分和所述第二部分相对于彼此布置，使得电场能够穿过所述衬底。


4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述平台包括静电卡盘。


5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第一表面部分地覆盖有导电涂层。


6.根据权利要求3所述的设备，还包括电压源，所述电压源用于向所述静电卡盘施加电压并且产生电场，所述电场越过所述衬底延伸到邻近所述第二表面的空间中。


7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述电压源适于交替所述电压源的输出电压的极性。


8.根据权利要求3所述的设备，其中，所述衬底由非导电材料制成。


9.根据权利要求3所述的设备，其中，所述第一表面至少部分地涂覆有非导电材料。


10.根据权利要求3所述的设备，其中，所述第二表面至少部分地涂覆有非导电材料。


11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述非导电材料包括Kapton。


12.根据权利要求3所述的设备，其中，所述第一表面或所述第二表面都不包括具有导电材料的涂层，并且所述设备还包括用于将所述衬底固定到所述静电卡盘的机械夹具。


13.一种设备，包括：
平台；
大致平面的，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述衬底被布置在所述平台上，使得所述第一表面面向所述平台并且所述第二表面背离所述平台，所述第一表面的至少第一部分缺少导电涂层，并且所述第二表面的至少第二部分缺少导...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德·J·布鲁尔斯，R·P·奥尔布赖特，P·C·科奇斯珀格，V·A·佩雷斯福尔肯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL