确定用于量测设备的最佳聚焦高度的方法技术

本发明专利技术公开确定最佳聚焦高度的方法。在一种布置中，获得来自所述量测过程至目标的多次应用的测量数据。所述量测过程的每次应用包括利用辐射斑来照射所述目标并检测由所述目标改变方向的辐射。所述量测过程的所述应用包括在不同名义聚焦高度处的应用。针对所述量测过程的每次应用，所述测量数据包含被改变方向的辐射的光学特性在光瞳平面中的检测到的光瞳表示的至少一个分量。所述方法包括使用所获得的测量数据来确定所述量测过程的最佳聚焦高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】确定用于量测设备的最佳聚焦高度的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月2日递交的欧洲申请18154864.5的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
本公开涉及确定量测过程的最佳聚焦高度。
技术介绍
光刻设备为将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机械。光刻设备可以用于(例如)集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生将要形成在IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。典型地经由成像至设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。制造诸如半导体器件之类的器件典型地涉及使用数个制造过程来处理衬底(例如半导体晶片)以形成所述器件的各个特征且常常形成多个层。典型地使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子植入来制造和处理这些层和/或特征。可以在衬底上的多个管芯上制造多个器件，并且接着将所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种确定用于量测过程的最佳聚焦高度的方法，包括：/n从所述量测过程至目标的多次应用获得测量数据，其中：/n所述量测过程的每次应用包括利用辐射斑来照射所述目标并检测由所述目标改变方向的辐射；/n所述量测过程的所述应用包括在不同名义聚焦高度处的应用；/n针对所述量测过程的每次应用，所述测量数据包含被重新引导的辐射的光学特性在光瞳平面中的检测到的光瞳表示的至少一个分量；以及/n所述方法包括使用所获得的测量数据来确定所述量测过程的最佳聚焦高度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180202 EP 18154864.51.一种确定用于量测过程的最佳聚焦高度的方法，包括：
从所述量测过程至目标的多次应用获得测量数据，其中：
所述量测过程的每次应用包括利用辐射斑来照射所述目标并检测由所述目标改变方向的辐射；
所述量测过程的所述应用包括在不同名义聚焦高度处的应用；
针对所述量测过程的每次应用，所述测量数据包含被重新引导的辐射的光学特性在光瞳平面中的检测到的光瞳表示的至少一个分量；以及
所述方法包括使用所获得的测量数据来确定所述量测过程的最佳聚焦高度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述最佳聚焦高度使得：与当所述量测过程在名义上被配置成在与所述目标的上表面齐平的高度处聚焦所述辐射斑时相比，当所述量测过程在名义上被配置成在所述最佳聚焦高度处聚焦所述辐射斑时，减小所述检测到的光瞳表示对偏离所述辐射斑与所述目标之间的精确对准和所述最佳聚焦高度中的任一者或两者的偏差的敏感度。


3.根据权利要求1或2所述的方法，包括：
针对所述量测过程的所述应用中的每次应用，通过数学展开式的一组系数来表示所述检测到的光瞳表示的分量；以及
通过分析所述系数中的一个或更多个系数的作为聚焦高度的函数的变化来确定所述最佳聚焦高度。


4.根据权利要求3所述的方法，其中所述检测到的光瞳表示的所述分量包括所述光学特性在所述光瞳平面中的空间分布，并且所述数学展开式由一组二维基函数来限定。


5.根据权利要求3或4所述的方法，其中：
针对所述量测过程的所述应用中的每次应用，通过所述数学展开式的第一组系数来表示所述检测到的光瞳表示的对称分量；以及
所述最佳聚焦高度的所述确定包括：针对所述第一组系数的所述系数中的一个或更多个系数中的每个系数，识别所述系数的作为聚焦高度的函数的变化的极值。


6.根据权利要求5所述的方法，其中所述最佳聚焦高度的所述确定包括：获得聚焦高度的与所识别的极值相对应的加权平均值。


7.根据权利要求6所述的方法，其中针对每个聚焦高度的加权基于相应的所述系数的作为聚焦高度的函数的所述变化在相应极值下的曲率，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·V·梅德韦久瓦，A·齐亚托马斯，H·A·J·克瑞姆，M·H·M·范维尔特，B·O·夫艾格金格奥尔，尚晓昕，J·M·范博克斯梅尔，B·韦斯特拉特恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL