控制系统(190)包括：操作模块，被配置为通过将施加到目标供应装置(110)中的熔融目标材料的压力P的量从第一装置压力增加到第二装置压力来控制启动模式下的目标供应装置；以及控制模块，被配置为通过控制容器压力在启动模式期间将从目标供应装置...

一种带电粒子装置，被配置为沿多射束路径向样品投射多射束带电粒子，带电粒子装置包括：带电粒子源，被配置为向样品发射带电粒子束；带电粒子光学设备，被配置为沿多射束路径向样品投射多射束带电粒子的子射束，该多射束带电粒子的子射束源自带电粒子束；...

公开了用于确定掩模图案的方法、软件和系统。该确定可以包括：获得包括亚分辨率辅助特征(SRAF)的掩模图案，每个亚分辨率辅助特征具有恒定宽度。该宽度被设置为连续变量，因此可以在对掩模图案的掩模优化过程期间，与其他变量一起被优化。基于经优化...

公开了一种使用局部对准位置偏差参数以用于半导体晶片上的对准标记的装置和方法，其中参数用于生成一个或多个指示对准标记状况的值，该值可用于获得具有改进拟合的晶片网格模型。

一种用于EUV辐射源的容器，所述容器包括：引导部，所述引导部用于将燃料碎片从辐射源的等离子体形成区朝向燃料碎片去除装置引导；包括开口的壁，其中所述引导部的至少一部分布置在所述壁的开口中，以便在所述引导部与所述壁之间限定间隙；以及气体供给...

本发明提供了一种用于带电粒子检查装置的带电粒子设备，用于将子射束阵列朝向样品投射，带电粒子设备包括：带电粒子光学元件和检测器。带电粒子光学元件具有上游表面，该上游表面具有用于从带电粒子束产生子射束阵列的多个开口。在带电粒子光学元件中限定...

一种光学组件，所述光学组件包括用于激光操作的光源(10)的灯泡(12)和透镜(20)。灯泡包括室，该室用于容纳可电离气体和通过激励可电离气体而形成的等离子体。在使用中，透镜被布置为将来自激光器(14)的辐射(16)的波前聚焦到位于室内部...

一种被配置为投射带电粒子的多射束的带电粒子光学装置，装置包括：带电粒子设备，该带电粒子设备在以下之间切换：(i)操作配置，其中该设备被配置为沿着从多射束的源延伸到样品的操作束路径将多射束投射到所样品，和(ii)监测配置，其中该设备被配置...

本公开提供了一种用于防止用于极紫外光(EUV)光刻的光学部件的材料的劣化的方法，所述方法包括以下步骤：将晶片布置在晶片台上；使用极紫外光源产生极紫外光；经由至少一个反射装置将所述极紫外光朝向所述晶片反射，所述至少一个反射装置包括用于向所...

公开了一种用于校正检查图像误差的改进方法和系统。一种改进的方法包括：当支撑测试晶片的晶片台以第一速度移动时，获取测试晶片上的第一射束位置集合；当晶片台以第二速度移动时，获取测试晶片上与第一射束位置集合相对应的第二射束位置集合；当晶片台以...

描述了一种与自适应权重图进行图像模板匹配的方法。图像模板设置有权重图，所述权重图基于在模板匹配期间基于所述图像模板在所述图像上的位置而被自适应地更新。描述一种在组合模板中模板匹配伪影或分组图案的方法，其中所述图案包括比所述图像模板加权得...

描述一种使用神经网络进行的对重叠测量结果的误差的校正，其考虑了目标结构不对称性。根据本公开的实施例，可以通过考虑目标结构中的多个扰动和/或不对称性扰动来改善重叠量度准确性。描述一种经训练的神经网络，其基于用于在多个波长下的不对称性测量的...

描述在半导体制造过程中的动态像差控制。在一些实施例中，可以接收表示由半导体处理设备的光学投影系统提供的波前的波前数据。可以基于所述波前数据与目标波前数据的比较来确定波前漂移。基于所述波前漂移，可以确定一个或更多个过程参数。所述一个或更多...

一种用于使用带电粒子束工具处理用于量测的图像的方法，该方法可以包括：从带电粒子束工具获取样品的一部分的图像。该方法还可以包括：使用第一图像处理模块处理图像以生成经处理的图像。该方法还可以包括确定经处理的图像的图像质量特性，以及确定经处理...

一种带电粒子评估装置，包括：带电粒子束设备；致动样品台；热部件和热补偿器。致动样品台被配置为保持样品。热部件被配置为操作使得在操作期间热量向保持在样品保持器上的样品辐射。热部件小于样品。热补偿器被配置为加热样品以便降低其中的热梯度。

用于训练缺陷检测的机器学习模型的系统和方法包括获得包括制造的集成电路(IC)的检查图像和IC的设计布局数据的训练数据，以及使用训练数据训练机器学习模型。机器学习模型包括第一自动编码器和第二自动编码器。第一自动编码器包括第一编码器和第一解...

一种从带电粒子源束生成多个子束并将子束下行束引导向样品位置的带电粒子装置。该带电粒子装置包括带电粒子源、孔径阵列和带电粒子光学部件。带电粒子源包括沿着发散路径发射带电粒子源束的发射器。孔径阵列被定位于发散路径中，因此孔径阵列从源束生成子...

公开了一种用于EUV系统的导管结构，其中导管的非水平内部表面设置有流动障碍物，该流动障碍物阻止熔融目标材料跨表面流动，以使熔融目标材料冻结在内部表面上并且被内部表面捕获。在导管是目标材料微滴从EUV腔室流出所通过的导管的情况下，导管的侧...

本发明提供了一种检测器检查设备，用于询查带电粒子光学评估装置中所包括的检测器的至少一部分，该检测器检查设备包括：耦合器，被配置为定位在检测器的检测器元件附近；以及设备控制器，被配置为向耦合器施加刺激信号以刺激检测器中的响应信号，用于询查...

公开了用于生成样品图和处理样品的方法。在一种布置中，方法包括测量样品上多个场区域中每个场区域中的第一标记的位置。将第一模型拟合到第一标记的测量位置。拟合的第一模型表示场区域的位置。该方法包括测量一个场区域或多个场区域中的每个场区域中的多...