【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文公开的实施例涉及生成用于评估过程的样品图，例如以标识图案中的缺陷。
技术介绍
1、制造半导体集成电路(ic)芯片时，由于光学效应和偶然粒子等原因，在制造过程期间不可避免地会在衬底(即，晶片)或掩模上出现不希望的图案缺陷，从而降低产率。因此，监控不希望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般地说，在衬底或其他物体/材料制造期间和/或制造之后，检查和/或测量衬底或其他物体/材料的表面是一项重要的过程。
2、带有带电粒子束的图案检查装置已用于检查物体(可称为样品)，例如检测图案缺陷。这些装置通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的电子的初级电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对较低的着陆能量着陆在样品上。电子束聚焦为样品上的探测点。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致从表面发射信号电子，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。信号电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面上将初级电子束作为探测点进行扫描，信号电子可以横跨样品的表面发射到。通过从样品表面...
【技术保护点】
1.一种生成样品图的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一模型和所述第二模型中的任一者或两者被配置为表示非线性几何形状。
3.根据权利要求1所述的方法，其中使用由经拟合的所述第一模型表示的所述场区域的所述位置来执行所述第二标记的所述位置的所述测量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一模型被配置为表示所述场区域在具有场区域的行和场区域的列的阵列中的位置，其中所述行中的至少一个行为非线性的和/或所述列中的至少一个列为非线性的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二模型被配置为表示每个场...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种生成样品图的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一模型和所述第二模型中的任一者或两者被配置为表示非线性几何形状。
3.根据权利要求1所述的方法，其中使用由经拟合的所述第一模型表示的所述场区域的所述位置来执行所述第二标记的所述位置的所述测量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一模型被配置为表示所述场区域在具有场区域的行和场区域的列的阵列中的位置，其中所述行中的至少一个行为非线性的和/或所述列中的至少一个列为非线性的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二模型被配置为表示每个场区域的形状，使得所述形状的边界的至少一部分是非线性的。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一模型用相应的非线性等式表示每个非线性行和/或非线性列。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二模型用相应的非线性方程表示边界的每个非线性部分。
8....
【专利技术属性】
技术研发人员：陈子超，王德胜，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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