【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所提供的实施例总体上涉及带电粒子装置和投影方法，女并且尤其涉及使用多个带电粒子子束的带电粒子装置和投影方法。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，在制造过程期间在衬底(即晶片)或掩模上经常出现不期望的图案缺陷，从而降低了产量。这类缺陷可以由于例如光学效应和附带粒子以及诸如蚀刻、沉积或化学机械抛光的后续加工步骤而出现。因此，监测不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般而言，衬底或其他物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、带电粒子束图案检测工具已用于检测物体，例如检测图案缺陷。这些工具典型地使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的初级电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子束聚焦为样品上的探测点。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用致使电子从表面发射，诸如次级电子、反向散射电子或俄歇电子。所产生的次级电子可以从样品的材料结构中发射出来。通过扫描初级电子束作为样品表面上的探测点...
【技术保护点】
1.一种带电粒子装置，被配置成从带电粒子的源束生成多个子束并将所述子束向下游朝向样品位置引导，所述带电粒子装置包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子装置，包括：
3.根据权利要求2所述的带电粒子装置，其中所述至少一种属性包括以下中的至少一项：发散度、电流均匀性、亮度均匀性和发散度均匀性。
4.根据权利要求2或3所述的带电粒子装置，其中所述控制器被配置成基于包含关于所述源束和/或所述子束的信息的测量信号而控制所述至少一个带电粒子光学部件。
5.根据权利要求4所述的带电粒子装置，包括检测器，所述检测器被配置成监测所述源束和
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带电粒子装置，被配置成从带电粒子的源束生成多个子束并将所述子束向下游朝向样品位置引导，所述带电粒子装置包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子装置，包括：
3.根据权利要求2所述的带电粒子装置，其中所述至少一种属性包括以下中的至少一项：发散度、电流均匀性、亮度均匀性和发散度均匀性。
4.根据权利要求2或3所述的带电粒子装置，其中所述控制器被配置成基于包含关于所述源束和/或所述子束的信息的测量信号而控制所述至少一个带电粒子光学部件。
5.根据权利要求4所述的带电粒子装置，包括检测器，所述检测器被配置成监测所述源束和/或所述子束。
6.根据权利要求5所述的带电粒子装置，其中所述检测器被配置成生成所述测量信号。
7.根据权利要求5或6所述的带电粒子装置，其中所述检测器是以下各项中的至少一项：检测器阵列，被配置成检测由样品上的所述子束生成的信号粒子，所述检测器阵列在理想情况下面向所述样品位置；和/或
8.根据权利要求2至7中任一项所述的带电粒子装置，其中所述控制器被配置成控制所述至少一个带电粒子光学部件，以便控制所述源束的优选部分以覆盖所述孔径阵列的所述孔径。
9.根据权利要求8所述的带电粒子装置，其中所述源束的所述优选...
【专利技术属性】
技术研发人员：任岩，A·V·G·曼格努斯，M·斯科特兹，E·P·斯马克曼，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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