【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种用于从通过改变目标材料的状态而产生的等离子体生成极紫外(“euv”)辐射的装置。在这样的应用中，光学元件例如被用来收集和引导euv辐射以供用于半导体光刻。
技术介绍
1、euv辐射(例如，具有约50nm或更小的波长(有时还被称为软x射线)并且包括波长约为13.5nm的辐射在内的电磁辐射)用于光刻过程，以在诸如硅晶片之类的衬底中产生极小特征。在这里和本文中的其他地方，术语“光”用于理解使用该术语所描述的辐射可能不在光谱的可见部分中。
2、用于生成euv辐射的方法包括：将目标材料转化为等离子体状态。目标材料优选地包括具有在电磁光谱的euv部分中的一个或多个发射线的至少一种元素，例如，氙、锂或锡。目标材料可以是固体、液体或气体。在一种通常被称为激光产生等离子体(“lpp”)的方法中，通过使用激光射束来照射具有所需线发射元素的目标材料，可以产生所需等离子体。
3、一种lpp技术包括：生成目标材料微滴流，并且使用一个或多个激光辐射脉冲照射微滴中的至少一些微滴。微滴流由微滴生成器生成。
4、转化目标...
【技术保护点】
1.一种导管结构，被适配为放置成与用于极紫外(EUV)辐射源的腔室的内部流体连通，目标材料在所述腔室中被变换，所述导管结构包括至少一个侧壁，所述至少一个侧壁面向所述导管结构的内部，所述侧壁的至少一部分设置有多个流动障碍物，所述多个流动障碍物被布置为阻止熔融目标材料跨所述侧壁的所述部分流动。
2.根据权利要求1所述的导管结构，还包括板，所述板被布置为覆盖所述侧壁的所述至少一部分，所述多个流动障碍物被布置在所述板上。
3.根据权利要求1所述的导管结构，其中所述多个流动障碍物包括多个同向脊部，所述多个同向脊部在第一方向上至少部分延伸通过所述导管结构。
4.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种导管结构，被适配为放置成与用于极紫外(euv)辐射源的腔室的内部流体连通，目标材料在所述腔室中被变换，所述导管结构包括至少一个侧壁，所述至少一个侧壁面向所述导管结构的内部，所述侧壁的至少一部分设置有多个流动障碍物，所述多个流动障碍物被布置为阻止熔融目标材料跨所述侧壁的所述部分流动。
2.根据权利要求1所述的导管结构，还包括板，所述板被布置为覆盖所述侧壁的所述至少一部分，所述多个流动障碍物被布置在所述板上。
3.根据权利要求1所述的导管结构，其中所述多个流动障碍物包括多个同向脊部，所述多个同向脊部在第一方向上至少部分延伸通过所述导管结构。
4.根据权利要求3所述的导管结构，其中所述脊部中的一个脊部是非连续的。
5.根据权利要求3所述的导管结构，其中所述脊部以z字形图案延伸，其中相对于所述第一方向以第一角度成角度的第一笔直区段组与相对于所述第一方向以第二角度成角度的第二笔直区段组交替。
6.根据权利要求5所述的导管结构，其中所述脊部中的一个脊部是非连续的。
7.根据权利要求1所述的导管结构，其中所述至少一个侧壁具有第一侧壁边缘，所述第一侧壁边缘在第一纵向方向上延伸，并且所述导管结构还包括顶壁，所述顶壁面向所述导管结构的内部，所述顶壁被布置为具有顶壁边缘，所述顶壁边缘大致平行于所述第一侧壁边缘在所述第一纵向方向上延伸，所述顶壁边缘具有多个边缘特征，所述多个边缘特征被布置为抑制目标材料在所述第一方向上沿着所述顶壁边缘流动。
8.一种极紫外(euv)辐射源，包括腔室，euv目标材料在所述腔室中被变换，所述腔室具有至少一个导管结构，所述至少一个导管结构具有表面，所述表面暴露于所述euv目标材料，其中所述表面的第一部分被布置在熔融目标材料遇到所述表面的所述第一部分的位置处并且以一定方位布置，以使重力将倾向于跨所述表面的所述第一部分在第一方向上向下拉动所述熔融目标材料，并且所述表面的所述第一部分下方的第二部分设置有多个流动障碍物，所述多个流动障碍物被布置为阻止熔融目标材料在所述第一方向上跨所述第二部分流动。
9.根据权利要求8所述的euv辐射源，其中所述表面包括板插入件，所述板插入件包括所述多个流动障碍物。
10.根据权利要求9所述的euv辐射源，其中所述板插入件被维持处于低于所述目标材料的熔化温度的温度。
11.根据权利要求9所述的euv辐射源，其中所述目标材料是锡，并且所述板插入件被维持处于不大于大约200℃的温度。
12.根据权利要求8所述的euv辐射源，其中所述多个流动障碍物包括多个同向脊部，所述多个同向脊部在大致垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。
13.根据权利要求12所述的euv辐射源，其中所述脊部中的最上面脊部是非连续的。
14.根据权利要求8所述的euv辐射源，其中所述脊部以z字形图案延伸，其中相对于所述第二方向以第一角度成角度的第一笔直区段组与相对于所述第二方向以第二角度成角度的第二笔直区段组交替。
15.根据权利要求14所述的euv辐射源，其中所述脊部中的最上面脊部是非连续的，从而限定通过所述最上面脊部的多个间隙。
16.根据权利要求8所述的euv辐射源，还包括冷却流动环，所述冷却流动环被布置为至少部分围绕位于所述腔室中的收集器反射镜的周界，所述导管结构位于所述冷却流动环中，以在所述腔室的所述内部和目标材料容器之间提供通路。
17.根据权利要求8所述的euv辐射源，其中所述多个流动障碍物包括多个大致圆形凹痕。
18.根据权利要求8所述的euv辐射源，其中所述多个流动障碍物包括多个大致矩形凹痕。
19.根据权利要求18所述的euv辐射源，其中所述多个大致矩形凹痕与所述表面的所述第二部分的长度共同延伸。
20.根据权利要求19所述的euv辐射源，其中所述多个大致矩形凹痕按阵列的行和列布置。
21.根据权利要求8所述的euv辐射源，其中所述多个流动障碍物包括多个成角度叶片，所述多个成角度叶片位于所述第二部分上。
22.根据权利要求8所述的euv辐射源，其中所述多个流动障碍物包括多个细长狭缝，所述多个细长狭缝垂直于所述第一方向延伸，其中每个狭缝具有相关引液槽部分。
【专利技术属性】
技术研发人员：S·K·T·拉加维鲁·穆拉利达，马悦，N·V·德兹奥姆卡纳，A·H·甘迪，D·S·德布鲁因，A·多罗班图，F·布里祖拉，S·博默，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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