一种用于将第一激光脉冲和第二激光脉冲沿光轴引导到目标以从所述目标产生极紫外辐射的光学系统。该光学系统包括：第一光学部件，该第一光学部件被配置为重新分配第一激光脉冲以形成具有中空区域的经整形的激光脉冲。该光学系统包括第二光学部件，该第二光...

本文描述一种用于基于使用光刻设备在衬底上印制目标图案的被预测的失效率来确定光刻过程的设计变量的值的方法。所述方法包括：获得与待使用光刻设备印制于衬底上的目标图案对应的图像，其中所述图像是基于所述光刻设备或光刻过程的设计变量的一组值而产生...

基于是否可能训练机器学习模型以区分来源于所关注的生产设备的第一传感器数据和来源于假定为正常表现的一个或更多个其它生产设备的第二传感器数据而识别被怀疑为偏差机器的所关注的生产设备中的故障。因此，所述机器学习模型的可辨别能力用作辨别有故障的...

公开了用于设计标记的方法和系统，所述标记用于在光刻设备中使用光刻过程将图案成像在衬底上。该方法包括：获得标记构造，获得与标记构造相关联的几何参数的空间变化，以及基于标记的空间变化和空间位置确定标记的各个图案的几何形状设计。

披露了一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法，所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构。所述方法包括：确定与由所述第一结构散射的第一辐射相关的第一电场；确定与由所述第二结构散射的第二辐射相关的第二...

公开了一种用于确定施加到衬底的层的机械特性的方法。该方法包括：获得输入数据，该输入数据包括与所述层有关的量测数据；以及获得布局数据，其与要施加在所述层中的图案的布局有关。第一模型或第一模型项被用来至少基于输入数据来确定与所述层有关的全局...

本公开的一些实施例可以改善量测设备中的目标标记不对称性的测量以改善结合光刻过程执行的测量中的准确度。例如，一种量测系统可以包括被配置成接收从衬底上的目标衍射的多个衍射阶的投影系统。所述量测系统还可以包括检测器阵列和被配置成在所述投影系统...

公开了一种校准用于从测量信号推断感兴趣参数的值的模型的方法，包括：获得量测信号的第一集合、感兴趣参数的对应已知参考值、以及涉及与所述量测信号的第一集合相同的应用的至少量测信号的第一约束集合和量测信号的第二约束集合。量测信号的第一集合和对...

本文中披露一种用于在光刻设备的扫描操作期间改善掩模上的特征到衬底的成像的方法。所述方法包括：获得动态光瞳(810)，所述动态光瞳表示在光刻设备的扫描操作期间曝光掩模的辐射的角度分布的演变；以及确定在所述扫描操作期间由于所述动态光瞳与所述...

本发明涉及一种用于向辐射源供应液体目标材料的装置，包括储槽系统和加压系统，该储槽系统包括储槽(410)，该储槽(410)被配置为经由储槽的出口(410a)连接到喷射系统(450)，该加压系统对储槽中的固体目标材料进行加压，其中该装置还包...

本申请公开了一种真空系统、支撑台、定位装置、光刻设备及计算机程序产品。该真空系统包括：第一压力线路，配置成将支撑台夹持至所述光刻设备的衬底台，所述支撑台配置成保持物体；第二压力线路，配置成向所述物体的周缘部分下方的所述支撑台的周缘区域施...

披露了一种被配置为产生包括多个照射束的测量照射的量测装置(1600)，这些照射束中的每一个照射束是空间不相干的或伪空间不相干的并且在量测装置的照射光瞳中包括多个光瞳点。多个照射束中的每一个照射束中的每一个光瞳点在多个照射束中的其他照射束...

本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于10<supgt;17</supgt;cm<supgt;‑3</supg...

本文公开了一种用于带电粒子装置的平台，该平台包括：基架；腔室，其被布置为包括衬底；计量框架，其被布置为支撑带电粒子束生成器，用于用带电粒子束照射腔室中的衬底；以及波纹管，其被布置在计量框架和腔室之间；其中：腔室刚性地连接到基架；波纹管包...

本发明涉及一种用于将液体目标材料供应至辐射源的设备，包括：第一贮液器；加压系统，所述加压系统被配置成对液压流体加压；以及分离装置，所述分离装置被配置成将所述液压流体与所述第一贮液器中的所述液体目标材料分离且将压力从所述液压流体传送至所述...

公开了使用初级带电粒子束的探测电流得到增强且电流密度高的带电粒子束装置来检查样品的系统和方法。该装置包括带电粒子源、被配置为会聚该初级带电粒子束并且可在第一模式和第二模式下操作的第一会聚透镜，其中：在该第一模式下，该第一会聚透镜被配置为...

披露了一种用于形成在光刻设备中使用的表膜的方法。所述方法包括：设置由第一材料形成的多孔隔膜；将至少一个二维材料层施加至所述多孔隔膜的至少一侧；和将覆盖层施加至所述多孔隔膜的至少一侧上的所述至少一个二维材料层，使得所述至少一个二维材料层被...

本发明涉及一种用于将目标材料供应到辐射源的设备的阀系统，所述目标材料具有高于室温的熔化温度且处于至少200巴的压力下，其中，阀系统包括：‑腔室，所述腔室具有圆形横截面；‑圆形阀体，所述圆形阀体布置于腔室中并且匹配腔室的圆形横截面，其中，...

用于带电粒子束系统中的排气和流调节操作的系统和结构。在一些实施例中，系统可以包括：腔室，被配置为提供真空环境；排气阀；以及质量流控制器，在质量流控制器的第一侧上耦接到腔室并且在质量流控制器的第二侧上耦接到排气阀。

提供了一种用于调节表膜隔膜的透射率的设备，所述设备包括蚀刻单元和控制器，蚀刻单元被配置为蚀刻表膜隔膜的材料，其中控制器被配置为基于表膜隔膜的预测的和/或观察的磨损图案来控制蚀刻单元以蚀刻表膜隔膜。还提供了一种调节表膜隔膜的透射率的方法以...