【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于辐射源的光学系统和方法，特别是用于将第一激光脉冲和第二激光脉冲沿光轴引导到目标以从所述目标产生极紫外辐射的光学系统。该光学系统适合用作euv辐射源和/或光刻系统的部分。
技术介绍
1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于可以例如使用波长为193nm的辐射的光刻设备，使用波长在4-20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
3、一种可以用于产生euv辐射的系统是激光产生等离子体(lpp)系统，所述激光产生等离子体系统涉及使用激光经由激光束将能量沉积到燃料材料中。将激光能量沉积到燃料材料中会产生等离子体。在电子与等离子体的离子的去激发和再结合的过程中，从等离子体发射euv辐
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【技术保护点】
1.一种用于沿光轴将第一激光脉冲和第二激光脉冲引导到目标以从所述目标产生极紫外辐射的光学系统，所述光学系统包括：
2.根据权利要求1所述的光学系统，其中所述第一激光脉冲和所述第二激光脉冲包括不同的波长。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的光学系统，其中所述第一光学部件和所述第三光学部件位于单个光学元件的不同表面上。
4.根据权利要求3所述的光学系统，其中所述第一光学部件形成在所述单个光学元件的前侧上，并且所述第三光学部件形成在所述单个光学元件的背侧上。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的光学系统，所述光学系统包括辐射...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于沿光轴将第一激光脉冲和第二激光脉冲引导到目标以从所述目标产生极紫外辐射的光学系统，所述光学系统包括：
2.根据权利要求1所述的光学系统，其中所述第一激光脉冲和所述第二激光脉冲包括不同的波长。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的光学系统，其中所述第一光学部件和所述第三光学部件位于单个光学元件的不同表面上。
4.根据权利要求3所述的光学系统，其中所述第一光学部件形成在所述单个光学元件的前侧上，并且所述第三光学部件形成在所述单个光学元件的背侧上。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的光学系统，所述光学系统包括辐射收集器，所述辐射收集器被配置为接收由所述目标发射的极紫外辐射，其中所述辐射接收器包括同轴地布置在所述光轴上的孔，并且其中，所述第二光学部件和所述第三光学部件被配置为将所述经整形的激光脉冲和所述第二激光脉冲聚焦以通过所述孔。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的光学系统，其中所述第二光学部件被配置为仅与所述经整形的激光脉冲相互作用，并且所述第三光学部件被配置为仅与所述第二激光脉冲相互作用。
7.根据前述权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·S·特奇科夫，A·M·斯卓克肯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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