【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于调节光刻设备的表膜隔膜(特别是但不限于基于碳纳米管的表膜隔膜)的透射率的设备、一种调节表膜隔膜的透射率的方法、一种用于光刻设备的表膜隔膜、一种用于光刻设备的表膜组件、以及表膜隔膜在光刻设备或方法中的用途。
技术介绍
1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如掩模)投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
2、光刻设备用于将图案投影于衬底上的辐射的波长决定了可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于传统的光刻设备(其可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)，使用euv辐射(为波长在4-20nm的范围内的电磁辐射)的光刻设备可以用于在衬底上形成更小特征。
3、光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模版)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。隔膜组件(也称为表膜)可以被提供以保护图案形成装置免受空气传播的粒子和其他形式的污染。图案形成装置的表面上的污染可导致衬底上的制
【技术保护点】
1.一种用于调节表膜隔膜的透射率的设备，所述设备包括蚀刻单元和控制器，所述蚀刻单元被配置为蚀刻所述表膜隔膜的材料，其中所述控制器被配置为基于所述表膜隔膜的预测的和/或观察的磨损图案来控制所述蚀刻单元以蚀刻所述表膜隔膜。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备被配置为以像素阵列来蚀刻所述表膜隔膜的材料。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述像素的边缘长度为约0.1mm至约1.0mm、可选地约0.2mm至约0.7mm、或可选地约0.3mm至约0.5mm、可选地约0.3mm、可选地约0.5mm至1mm、可选地1mm或更大。
4.根据...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于调节表膜隔膜的透射率的设备，所述设备包括蚀刻单元和控制器，所述蚀刻单元被配置为蚀刻所述表膜隔膜的材料，其中所述控制器被配置为基于所述表膜隔膜的预测的和/或观察的磨损图案来控制所述蚀刻单元以蚀刻所述表膜隔膜。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备被配置为以像素阵列来蚀刻所述表膜隔膜的材料。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述像素的边缘长度为约0.1mm至约1.0mm、可选地约0.2mm至约0.7mm、或可选地约0.3mm至约0.5mm、可选地约0.3mm、可选地约0.5mm至1mm、可选地1mm或更大。
4.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述设备被配置为在光刻设备内操作。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述设备被配置为在所述表膜隔膜仍然附接到表膜支撑框架和掩模版时蚀刻所述表膜隔膜。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述设备被配置为将所述表膜隔膜蚀刻到约0.2％或更小、约0.15％或更小、约0.1％或更小、或约0.05％或更小的均匀性内、或基本上为0％的均匀性。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述控制器被配置为基于所述预测的和/或观察的磨损图案对所述表膜隔膜进行过度蚀刻，以补偿使用中的磨损图案。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述蚀刻单元包括聚焦电子束以及可选的气体源，可选地其中，所述气体源是还原气体，诸如h2或气体混合物，或所述蚀刻单元包括电子发射器或h2-和h-发生器的dc驱动阵列，或所述蚀刻单元包括ac供电的电介质阻挡放电阵列、和/或所述蚀刻单元包括氢自由基发生器。
9.一种调节表膜隔膜的透射率的方法，所述方法包括：基于所述表膜隔膜的预测和/或观察的磨损图案，按图案蚀刻所述表膜隔膜的材料的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述方法包括：蚀刻所述表膜隔膜，直到所述表膜隔膜的质量区域的透射率在约0.2％或更小、约0.15％或更小、约0.1％或更小、或约0.05％或更小的均匀性内。
11.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，其中所述方法包括：将与预测的和/或观察的磨损图案相反的图案蚀刻到所述表膜隔膜中，可选地其中，所述方法还包括以与所述预测的和/或观察的磨损图案相反的图案过度蚀刻所述表膜隔膜，可选地其中，仅针对成像关键区域在所述表膜上施加部分蚀刻图案。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述方法包括：在光刻设备内蚀刻所述表膜隔膜，可选地在掩模版交换装置或掩模版库内蚀刻所述表膜隔膜。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法，其中所述方法包括：在所述表膜隔膜仍然附接到表膜支撑框架和掩模版时蚀刻所述表膜隔膜。
【专利技术属性】
技术研发人员：A·尼基帕罗夫，T·W·范德伍德，保罗·亚历山大·维梅伦，Z·S·豪厄林，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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