用于辐射源的容器制造技术

一种用于EUV辐射源的容器，所述容器包括：引导部，所述引导部用于将燃料碎片从辐射源的等离子体形成区朝向燃料碎片去除装置引导；包括开口的壁，其中所述引导部的至少一部分布置在所述壁的开口中，以便在所述引导部与所述壁之间限定间隙；以及气体供给系统，所述气体供给系统被配置成将气体供给到所述间隙中以控制所述引导部与所述壁之间的热传递。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及用于辐射源(如极紫外(euv)辐射源)的容器，以及相关联的设备和系统。

技术介绍

1、光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小尺寸。使用极紫外(euv)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。

3、光刻系统可以包括辐射源、束传递系统和光刻设备。束传递系统可以被布置成将euv辐射从辐射源传递到光刻设备。

4、可以使用等离子体产生euv辐射。例如，可以通过将激光束对准辐射源中的燃料来产生等离子体。所得到的等离子体可以发射euv辐射。燃料的一部分可能变成燃料碎片，所述燃料碎片可能积聚或沉积在辐射源的一个或更多个部件上。

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【技术保护点】

1.一种用于EUV辐射源的容器，所述容器包括：

2.根据权利要求1所述的容器，其中，所述气体供应系统能够在第一配置与第二配置之间进行操作，其中，在所述第一配置中，所述气体供应系统被配置成将所述气体供应到所述间隙中以增加所述引导部与所述壁之间的热传递，并且其中，在所述第二配置中，所述气体供应系统被配置成不供应气体到所述间隙中以减少所述引导部与所述壁之间的热传递。

3.根据权利要求2所述的容器，其中，所述气体供应系统被配置成当所述EUV辐射源产生EUV辐射时以所述第一配置进行操作，并且其中，所述气体供应系统被配置成当所述EUV辐射源不产生EUV辐射时以所述第二配置进行...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于euv辐射源的容器，所述容器包括：

2.根据权利要求1所述的容器，其中，所述气体供应系统能够在第一配置与第二配置之间进行操作，其中，在所述第一配置中，所述气体供应系统被配置成将所述气体供应到所述间隙中以增加所述引导部与所述壁之间的热传递，并且其中，在所述第二配置中，所述气体供应系统被配置成不供应气体到所述间隙中以减少所述引导部与所述壁之间的热传递。

3.根据权利要求2所述的容器，其中，所述气体供应系统被配置成当所述euv辐射源产生euv辐射时以所述第一配置进行操作，并且其中，所述气体供应系统被配置成当所述euv辐射源不产生euv辐射时以所述第二配置进行操作。

4.根据权利要求2或3中任一项所述的容器，其中，当所述气体供应系统处于所述第一配置时所述间隙中的所述气体的压力大于当所述气体供应系统处于第二配置时所述间隙中的所述气体的压力。

5.根据权利要求4所述的容器，其中，当所述气体供应系统处于所述第一配置时，所述间隙中的所述气体的压力在约10kpa与20kpa之间，并且其中，当所述气体供应系统处于所述第二配置时，所述间隙中的所述气体的压力在约100pa与200pa之间。

6.根据任一前述权利要求所述的容器，其中，所述气体供应系统被配置成控制所述间隙中的所述气体的压力，以控制所述引导部与所述壁之间的热传递，所述气体供应系统被配置成基于气体的类型和所述间隙的尺寸中的至少一个来控制所述间隙中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼斯·赫尔曼·卡斯帕·范班宁，D·J·M·狄莱克斯，P·A·威廉斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：