用于激光操作的光源的组件以及使用方法技术

一种光学组件，所述光学组件包括用于激光操作的光源(10)的灯泡(12)和透镜(20)。灯泡包括室，该室用于容纳可电离气体和通过激励可电离气体而形成的等离子体。在使用中，透镜被布置为将来自激光器(14)的辐射(16)的波前聚焦到位于室内部的虚物点。灯泡包括纵向轴线和垂直于纵向轴线的横向轴线。在使用中，灯泡被布置为将辐射的波前透射和折射到纵向轴线上的第一横截面中的第一实像点和横向轴线上的第二横截面中的第二实像点。第一实像点和第二实像点是虚物点的像共轭。虚物点、第一实像点和第二实像点重合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于激光操作的光源的组件和使用方法。此外，本专利技术涉及激光操作的光源和灯泡的制造方法。

技术介绍

1、光刻设备是一种被构造成将所期望的图案应用于衬底上的机器。例如，光刻设备可用于制造集成电路(ic)。例如，光刻设备可将图案形成装置(例如掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、随着半导体制造过程的持续进步，电路元件的尺寸已持续不断地减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量几十年来一直在稳步地增加，所遵循的趋势通常被称为“摩尔定律”。为了跟上摩尔定律，半导体行业一直在追求能够创建越来越小特征的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了在所述衬底上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm至20nm的范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学组件，所述光学组件包括用于激光操作的光源的灯泡和透镜，

2.根据权利要求1所述的组件，其中所述灯泡包括折射率n、在所述横向轴线上的所述灯泡的壁的厚度d、所述第二横截面的外曲率半径r1和内曲率半径r2、所述第一横截面的外曲率半径R1和内曲率半径R2，使得所述虚物点、所述第一实像点和所述第二实像点重合。

3.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中所述灯泡包括满足以下方程的所述第二横截面的外曲率半径r1和内曲率半径r2：r1＝δ-S-和r2＝r1-d，其中δ是从所述第一横截面的外表面顶点到所述第一横截面的主点P处的第一主平面的距离，d是在所述横向轴线上的所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光学组件，所述光学组件包括用于激光操作的光源的灯泡和透镜，

2.根据权利要求1所述的组件，其中所述灯泡包括折射率n、在所述横向轴线上的所述灯泡的壁的厚度d、所述第二横截面的外曲率半径r1和内曲率半径r2、所述第一横截面的外曲率半径r1和内曲率半径r2，使得所述虚物点、所述第一实像点和所述第二实像点重合。

3.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中所述灯泡包括满足以下方程的所述第二横截面的外曲率半径r1和内曲率半径r2：r1＝δ-s-和r2＝r1-d，其中δ是从所述第一横截面的外表面顶点到所述第一横截面的主点p处的第一主平面的距离，d是在所述横向轴线上的所述灯泡的壁的厚度，以及s-是与所述第一主平面的物距，并通过计算，其中△是所述第一主平面与在所述第一横截面的主点p’处的第二主平面之间的距离，以及k是所述第一横截面的光焦度。

4.根据权利要求3所述的组件，其中所述第一横截面的光焦度k是其中n是所述灯泡的折射率，r1是所述第一横截面的外曲率半径以及r2是所述第一横截面的内曲率半径，并且其中，所述第一横截面的所述第一主平面与所述第二主平面之间的距离△是其中d是在所述横向轴线上的所述灯泡的壁的厚度。

5.根据权利要求1或2所述的组件，其中所述第一横截面的光焦度k是0，并且所述灯泡包括满足方程以及r2＝r1-d的所述第二横截面的外曲率半径r1和内曲率半径r2，其中d是在所述横向轴线上的所述灯泡的壁的厚度，n是所述灯泡的折射率，r1是所述第一横截面的外曲率半径以及r2是所述第一横截面的内曲率半径。

6.根据前述权利要求中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·泽普，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：