【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件栅极的制造方法,包括:在半导体衬底上形成电介质层;在所述电介质层上形成多晶硅层;在所述多晶硅层上形成堆栈层结构;在所述堆栈层结构上形成光致抗蚀剂层;图案化所述光致抗蚀剂层以定义栅极的位置 ;刻蚀所述堆栈层结构和多晶硅层形成栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:马擎天,刘乒,张海洋,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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