砷化镓晶片的激光加工方法技术

本发明专利技术提供一种砷化镓晶片的激光加工方法，在通过沿着砷化镓（ＧａＡｓ）晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓（ＧａＡｓ）晶片时，能够使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。所述加工方法是沿着在砷化镓基板的表面上形成为格子状的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，其包括：晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在砷化镓基板上从碎屑屏蔽膜侧，沿着间隔道照射激光光线，形成不到达背面的激光加工槽；以及切断工序，在砷化镓基板上沿着激光加工槽照射激光光线，形成到达背面的切断槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，其沿着形成在砷化镓(GaAs)晶片上的分割预定线照射激光，从而沿着分割预定线切断砷化 镓(GaAs)晶片。
技术介绍
如本专业的人员所周知，在半导体器件的制造工序中，在硅基板的 表面上形成有半导体晶片，该半导体晶片将多个IC、 LSI等器件形成为 矩阵状。这样形成的半导体晶片的上述器件通过称为间隔道的分割预定 线进行划分，通过沿着该间隔道进行切断，来制造出一个个的半导体芯 片。此外，将混合IC或高速IC等高性能器件形成在砷化镓(GaAs)基 板的表面上的砷化镓(GaAs)晶片正被实用化。作为沿着间隔道切断由这样的硅晶片构成的半导体晶片或砷化镓 (GaAs)晶片的方法，提出有这样的技术通过沿着形成在晶片上的间 隔道照射脉冲激光光线，来实施烧蚀加工，从而形成激光加工槽。(例如， 参考专利文献l)。专利文献l:日本特开平10-305420号公报但是，当沿着晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工时，热能集 中在激光光线照射区域中，从而产生碎屑(debris),该碎屑附着在器件 的表面，因而产生了使芯片的品质降低这一新问题。为了解除这样的由碎屑引起的问题，提出有这样的激光加工方法 在晶片的加工面上覆盖由聚乙烯醇等液状树脂构成的碎屑屏蔽膜，通过 碎屑屏蔽膜来向晶片照射激光光线。(例如，参照专利文献2)。专利文献2:日本特开2004-188475号公报然而，当利用上述的激光加工方法切断砷化镓(GaAs)晶片时，存在分割后的各个芯片的抗弯强度降低这一问题。根据本专利技术人的实验，在利用上述激光加工方法对硅晶片进行了切 断的情况下，当在经分割的芯片的切断面上附着有碎屑时，抗弯强度降低。可是，当利用上述激光加工方法对砷化镓(GaAs)晶片进行切断时，可知，与在经分割的芯片的切断面上没有附着碎屑的情况相比，附着有 碎屑的抗弯强度增大。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述状况而完成，其主要技术课题在于提供一种，在通过沿着砷化镓(GaAs)晶片的间隔道照射激 光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓(GaAs)晶片时，能够 使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。为了解决上述的主要技术课题，根据本专利技术，提供一种砷化镓晶片 的激光加工方法，其是沿着砷化镓晶片的间隔道照射激光光线，从而沿 着间隔道切断砷化镓晶片的方法，所述砷化镓晶片构成为在砷化镓基板 的表面上，在由形成为格子状的间隔道划分而成的多个区域中形成有器 件，特征在于，所述包括晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在粘贴于保护部件上的砷化镓基板的表面上 覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在表面上覆盖有所述碎屑屏蔽膜的砷化镓基 板上，从所述碎屑屏蔽膜侧沿着间隔道对砷化镓基板照射具有吸收性的 波长的激光光线，从而沿着间隔道形成不到达背面的激光加工槽；以及切断工序，在形成了所述激光加工槽的砷化镓基板上，沿着所述激 光加工槽对砷化镓基板照射具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着所 述激光加工槽形成到达背面的切断槽。所述激光加工槽形成工序形成深度在砷化镓基板的厚度的1/2以上 的激光加工槽，所述切断工序通过一次激光光线的照射来形成到达背面的切断槽。根据本专利技术所述的，由于在实施激光加 工槽形成工序以在砷化镓基板上沿着间隔道形成不到达背面的激光加工 槽之后，实施沿着激光加工槽照射激光光线以形成到达背面的切断槽的 切断工序，因此，在切断工序中，由于激光光线的照射而产生和飞散的 碎屑附着在上述激光加工槽的壁面(切断面)上部。从而，在沿着形成 于砷化镓基板上的间隔道而分割的芯片的各切断面的表面附近，附着有 微细的碎屑，因此，芯片的抗弯强度增大。此外，在本专利技术中，在实施 上述激光加工槽形成工序和切断工序之前，实施碎屑屏蔽膜覆盖工序， 由此来在砷化镓基板的表面上形成碎屑屏蔽膜，因此，在实施激光加工 槽形成工序和切断工序时，由于激光光线的照射而产生和飞散的碎屑被 碎屑屏蔽膜遮蔽，从而不会附着在器件上。附图说明图1是利用本专利技术所述的而分割为一个 个芯片的砷化镓晶片的立体图。图2是本专利技术所述的中的晶片支承工序 的说明图。图3是本专利技术所述的中的碎屑屏蔽膜覆 盖工序的说明图。图4是本专利技术所述的中的用于实施激光加工槽形成工序和切断工序的激光加工装置的主要部分立体图。图5是本专利技术所述的中的激光加工槽形 成工序的说明图。图6是通过图5所示的激光加工槽形成工序进行了激光加工的砷化 镓晶片的主要部分放大剖面图。图7是本专利技术所述的中的切断工序的说 明图。图8是通过图7所示切断工序进行了激光加工的砷化镓晶片的主要5部分放大剖面图。图9是利用本专利技术所述的进行分割后的 芯片的立体图。图10是表示利用本专利技术所述的进行分 割后的芯片的抗弯强度测定结果的直方图。 标号说明2:砷化镓晶片；20:砷化镓(GaAs)基板；21:间隔道；22:器 件；23:激光加工槽；24:碎屑；25:切断槽；200:芯片；3:屏蔽覆 膜形成装置；31:旋转工作台；32:树脂液供给喷嘴；30:液状树脂； 300:碎屑屏蔽膜；4:激光加工装置；41:卡盘工作台；42:激光光线 照射单元；422:聚光器；43:摄像单元；F:环状框体；T:保护带。具体实施方式下面，对本专利技术所述的的优选实施方式， 参照附图详细地进行说明。在图1中表示了砷化镓晶片的立体图。关于图1所示的砷化镓晶片2，例如在厚度为10(Him的砷化镓(GaAs)基板20的表面20a上，呈格 子状地形成有多条间隔道21。而且，在砷化镓(GaAs)基板20的表面 20a上，在由形成为格子状的多条间隔道21划分而成的多个区域中，形 成有混合IC或高速IC等器件22。关于上述的砷化镓晶片2，如图2的(a)和(b)所示，外周部以覆 盖环状框体F的内侧开口部的方式安装的作为保护部件的保护带T的表 面上，粘贴背面20b (晶片支承工序)。并且，在图示的实施方式中，上 述保护带T在厚度为80pm的由聚氯乙烯(PVC)构成的片基材的表面上， 涂敷有厚度为5pm左右的丙烯树脂类的粘接层。在实施了上述晶片支承工序之后，实施碎屑屏蔽膜覆盖工序，艮口， 在粘接于作为保护部件的保护带T上的砷化镓(GaAs)基板20的表面 20a上，覆盖碎屑屏蔽膜。关于该碎屑屏蔽膜覆盖工序，参照图3进行说 明。关于碎屑屏蔽膜覆盖工序，首先如图3 (a)所示，将通过保护带T支承在环状框体F上的砷化镓晶片2，载置到屏蔽覆膜形成装置3的旋转 工作台31上。然后，使未图示的抽吸单元工作，在旋转工作台31上保 持砷化镓晶片2，此时，环状框体F也通过安装在旋转工作台31上的未 图示的框体夹进行固定。这样地，在将砷化镓晶片2保持到旋转工作台 31上之后， 一边使旋转工作台31向箭头所表示的方向以预定的转速(例 如，300 1000rpm)旋转， 一边从配置在旋转工作台31上方的树脂液供 给喷嘴32，向砷化镓(GaAs)基板20的表面20a的中央区域滴定预定 量的液状树脂30。然后，使旋转工作台31旋转60秒钟左右，由此，如 图3 (b)所示，在砷化镓(GaAs)基板20的表面20a上覆盖了碎屑屏 蔽膜300。该碎屑屏蔽膜300的厚度根据上述液状树脂30的滴定量确定， 但可较薄地形成为1 101im程度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种砷化镓晶片的激光加工方法，其是沿着砷化镓晶片的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，所述砷化镓晶片构成为在砷化镓基板的表面上，在由形成为格子状的间隔道划分而成的多个区域中形成有器件，特征在于，　　　　所述砷化镓晶片的激光加工方法包括：　　　　晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；　　　　碎屑屏蔽膜覆盖工序，在粘贴于保护部件上的砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；　　　　激光加工槽形成工序，在表面上覆盖有所述碎屑屏蔽膜的砷化镓基板上，从所述碎屑屏蔽膜侧沿着间隔道对砷化镓基板照射具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着间隔道形成不到达背面的激光加工槽；以及　　　　切断工序，在形成了所述激光加工槽的砷化镓基板上，沿着所述激光加工槽对砷化镓基板照射具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着所述激光加工槽形成到达背面的切断槽。

【技术特征摘要】
JP 2006-10-17 2006-2823321.一种砷化镓晶片的激光加工方法，其是沿着砷化镓晶片的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，所述砷化镓晶片构成为在砷化镓基板的表面上，在由形成为格子状的间隔道划分而成的多个区域中形成有器件，特征在于，所述砷化镓晶片的激光加工方法包括晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在粘贴于保护部件上的砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在表面上覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：古田健次，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]