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本发明提供一种砷化镓晶片的激光加工方法，在通过沿着砷化镓（ＧａＡｓ）晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓（ＧａＡｓ）晶片时，能够使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。所述加工方法是沿着在砷化镓基板的表面上形成...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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