砷化镓晶片的激光加工方法技术

本发明专利技术提供一种砷化镓晶片的激光加工方法，在通过沿着砷化镓（ＧａＡｓ）晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓（ＧａＡｓ）晶片时，能够使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。所述加工方法是沿着在砷化镓基板的表面上形成为格子状的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，其包括：晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在砷化镓基板上从碎屑屏蔽膜侧，沿着间隔道照射激光光线，形成不到达背面的激光加工槽；以及切断工序，在砷化镓基板上沿着激光加工槽照射激光光线，形成到达背面的切断槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，其沿着形成在砷化镓(GaAs)晶片上的分割预定线照射激光，从而沿着分割预定线切断砷化 镓(GaAs)晶片。
技术介绍
如本专业的人员所周知，在半导体器件的制造工序中，在硅基板的 表面上形成有半导体晶片，该半导体晶片将多个IC、 LSI等器件形成为 矩阵状。这样形成的半导体晶片的上述器件通过称为间隔道的分割预定 线进行划分，通过沿着该间隔道进行切断，来制造出一个个的半导体芯 片。此外，将混合IC或高速IC等高性能器件形成在砷化镓(GaAs)基 板的表面上的砷化镓(GaAs)晶片正被实用化。作为沿着间隔道切断由这样的硅晶片构成的半导体晶片或砷化镓 (GaAs)晶片的方法，提出有这样的技术通过沿着形成在晶片上的间 隔道照射脉冲激光光线，来实施烧蚀加工，从而形成激光加工槽。(例如， 参考专利文献l)。专利文献l:日本特开平10-305420号公报但是，当沿着晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工时，热能集 中在激光光线照射区域中，从而产生碎屑(debris),该碎屑附着在器件 的表面，因而产生了使芯片的品质降低这一新问题。为了解除这样的由碎屑引起的问题，提出有这样的激光加工方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种砷化镓晶片的激光加工方法，其是沿着砷化镓晶片的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，所述砷化镓晶片构成为在砷化镓基板的表面上，在由形成为格子状的间隔道划分而成的多个区域中形成有器件，特征在于，　　　　所述砷化镓晶片的激光加工方法包括：　　　　晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；　　　　碎屑屏蔽膜覆盖工序，在粘贴于保护部件上的砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；　　　　激光加工槽形成工序，在表面上覆盖有所述碎屑屏蔽膜的砷化镓基板上，从所述碎屑屏蔽膜侧沿着间隔道对砷化镓基板照射具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着间隔道形成不到达背面的激光加工槽；以及　　　　切断工...

【技术特征摘要】
JP 2006-10-17 2006-2823321.一种砷化镓晶片的激光加工方法，其是沿着砷化镓晶片的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，所述砷化镓晶片构成为在砷化镓基板的表面上，在由形成为格子状的间隔道划分而成的多个区域中形成有器件，特征在于，所述砷化镓晶片的激光加工方法包括晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在粘贴于保护部件上的砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在表面上覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：古田健次，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]