砷化镓晶体生长用双料壁石英玻璃管及其制备方法技术

本发明专利技术是一种砷化镓晶体生长用双料壁石英玻璃管，其特征在于：所述的石英玻璃管的管壁由区别掺杂原素的二氧化硅材料制成的外壁层和内壁层构成。本发明专利技术还公开了上述双料壁石英玻璃管的制备方法。本发明专利技术双料壁石英玻璃管原料组合更为合理，它可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率，增加石英坩埚的强度，减少其高温软化现象。本发明专利技术石英玻璃管可以用作制造太阳能单晶和多晶生长用坩埚的原料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种石英玻璃管及其制备方法；特别是一种。
技术介绍
石英玻璃管是用二氧化硅制造的特种工业技术玻璃，是一种非常优良的基础材料，它具有一系列优良的物理、化学性能。现有技术中的连熔炉生产的石英玻璃管的整体内、外壁材料均相同，因此不能适应一些特殊的应用要求。砷化镓(GaAs)材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的III - V族化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓(GaAs)材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。是一种直接带隙半导体材料，禁带宽度1.42^V，远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV，可以制作出870nm波长近红外光发光管。直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5. 7倍，介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作磊晶片。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件多用於光电元件和高频通讯用元件。如WLAN、W^L、光纤通讯、 卫星通讯、LMDS、VSAT等微波通讯上。现有技术中的普通石英玻璃管用于制造砷化镓晶体生长用器具材料时，存在使用寿命短、长晶良率低本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种砷化镓晶体生长用双料壁石英玻璃管，其特征在于：所述的石英玻璃管的管壁由外壁层和内壁层构成，所述的内壁层由含有以下掺杂原素的二氧化硅材料制成，单位：ＰＰＭ，Ａｌ　　　６．０－７．０；　　　　　　　Ｂ　　　０．０１－０．０４；Ｃａ　　　　０．１－０．５；Ｃｒ　　　　０．００１－０．００３；　　　Ｃｕ　０．０００５－０．００２；　　　　Ｆｅ　　０．００１－０．０３；Ｋ　　　　　０．０１－０．０４；　　　　　Ｌｉ　０．００５－０．０２；　　　　　　Ｍｇ０．００５－０．０２；Ｍｎ　　０．００５－０．０２；　　Ｎａ　　０．０１－０．０３；　　　　　　　　　Ｎｉ　　　　　　０．００５－０．０２；Ｐ　...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕德润，濮晓明，濮阳坤，陶明顿，张尧，王守雨，陶静，
申请(专利权)人：连云港福东正佑照明电器有限公司，
类型：发明
国别省市：32