用于天线切换电路的半导体结构及其工艺方法技术

技术编号:9669404 阅读:108 留言:0更新日期:2014-02-14 10:00
一种用于天线切换电路的工艺方法,其步骤包括提供砷化镓晶片,其包括覆盖层;在砷化镓晶片上设置隔离层,以形成元件区域;以及在器件区域内的覆盖层上设置栅极金属,栅极金属与覆盖层的接触面形成肖特基接面,且肖特基接面与阻抗并联连接。本发明专利技术还公开一种用于天线切换电路的半导体结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构及其工艺方法,特别是,一种。
技术介绍
时至今日,由于无线通讯技术的蓬勃发展,市场对于天线的需求量亦急速提升,就现阶段而言,手机、笔记型计算机、全球卫星定位系统、数字电视、便携式移动电子装置等,都必须仰赖天线来发射与接收信号。换言之,天线是无线通讯设备与外界沟通的必备组件,用以负责无线信号的发送与接收,由于处于射频系统的第一线,因此天线对于信号接收质量的优劣,对整体无线通讯系统的运作效能影响甚巨。各地区为因应不同的需求,皆制订有不一样的无线通讯规范,也因此发展出位于不同频段的无线通讯规格,为了能满足各种规格的无线电波,将天线设计成可收发多频段已是相当普遍的应用。在实际操作上,通过切换电路来分离出不同的馈入信号,而达成多频的效果。由于天线的电路设计的好坏直接影响到天线的收信质量,当然这也包括用于天线切换电路的电路设计。因此如何提供一种用于天线切换电路的半导体结构与其工艺方法,可增加用于天线切换电路的耐(电)压强度及抗噪声能力,进而提高天线整体的收信质量,已成为重要的课题之一。
技术实现思路
有鉴于上述问题,本专利技术的目的是提供一种能够增加用于天线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于天线切换电路的工艺方法,包括下列步骤:提供砷化镓晶片,该砷化镓晶片包括覆盖层;在该砷化镓晶片上设置隔离层,以形成器件区域;以及在该器件区域内的该覆盖层上设置栅极金属,其中该栅极金属与该覆盖层的接触面形成肖特基接面,且该肖特基接面与阻抗并联连接。

【技术特征摘要】
2012.07.27 CN 201210265166.71.一种用于天线切换电路的工艺方法,包括下列步骤: 提供砷化镓晶片,该砷化镓晶片包括覆盖层; 在该砷化镓晶片上设置隔离层,以形成器件区域;以及 在该器件区域内的该覆盖层上设置栅极金属, 其中该栅极金属与该覆盖层的接触面形成肖特基接面,且该肖特基接面与阻抗并联连接。2.如权利要求1所述的工艺方法,其中该砷化镓晶片包括缓冲层、通道层、间隔层、施体层以及该覆盖层。3.如权利要求1所述的工艺方法,其中该隔离层的材质是绝缘材质,并通过离子注入的方式设置于该砷化镓晶片上。4.如权利要求1所述的工艺方法,其中该栅极金属通过蒸镀的方式设置于该覆盖层上。5.如权利要求1所述的工艺方法,更包括下列步骤: 设置第一欧姆层及第二欧姆层于该覆盖层上;以及 设置第一金属层于该第一欧姆层及该栅极金属上,并设置第二金属层于该第二欧姆层上...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖克恭张东胜古俊彦陈诗喻
申请(专利权)人:宣昶股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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