用于天线切换电路的半导体结构及其工艺方法技术

一种用于天线切换电路的工艺方法，其步骤包括提供砷化镓晶片，其包括覆盖层；在砷化镓晶片上设置隔离层，以形成元件区域；以及在器件区域内的覆盖层上设置栅极金属，栅极金属与覆盖层的接触面形成肖特基接面，且肖特基接面与阻抗并联连接。本发明专利技术还公开一种用于天线切换电路的半导体结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构及其工艺方法，特别是，一种。
技术介绍
时至今日，由于无线通讯技术的蓬勃发展，市场对于天线的需求量亦急速提升，就现阶段而言，手机、笔记型计算机、全球卫星定位系统、数字电视、便携式移动电子装置等，都必须仰赖天线来发射与接收信号。换言之，天线是无线通讯设备与外界沟通的必备组件，用以负责无线信号的发送与接收，由于处于射频系统的第一线，因此天线对于信号接收质量的优劣，对整体无线通讯系统的运作效能影响甚巨。各地区为因应不同的需求，皆制订有不一样的无线通讯规范，也因此发展出位于不同频段的无线通讯规格，为了能满足各种规格的无线电波，将天线设计成可收发多频段已是相当普遍的应用。在实际操作上，通过切换电路来分离出不同的馈入信号，而达成多频的效果。由于天线的电路设计的好坏直接影响到天线的收信质量，当然这也包括用于天线切换电路的电路设计。因此如何提供一种用于天线切换电路的半导体结构与其工艺方法，可增加用于天线切换电路的耐(电)压强度及抗噪声能力，进而提高天线整体的收信质量，已成为重要的课题之一。
技术实现思路
有鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种能够增加用于天线切换电路的耐压强度及抗噪声能力，并提高天线整体的收信质量的。为达上述目的，依据本专利技术的一种用于天线切换电路的工艺方法的步骤包括提供砷化镓晶片，其包括覆盖层；在砷化镓晶片上设置隔离层，以形成元件区域；以及在器件区域内的覆盖层上设置栅极金属，栅极金属与覆盖层的接触面形成肖特基接面，且肖特基接面与阻抗并联连接。在一个实施例中，砷化镓晶片包括缓冲层、通道层、间隔层、施体层及覆盖层。在一个实施例中，隔离层通过离子注入的方式设置于砷化镓晶片上。在一个实施例中，栅极金属通过蒸镀的方式设置于覆盖层上。在一个实施例中，栅极金属的材质包括金、钼、铝、钛或镍。在一个实施例中，更包括:在覆盖层上设置第一欧姆层及第二欧姆层；以及在第一欧姆层与栅极金属上设置第一金属层，并在第二欧姆层上设置第二金属层。在一个实施例中，第一欧姆层与栅极金属邻接。为达上述目的，依据本专利技术的一种用于天线切换电路的半导体结构包括缓冲层、通道层、间隔层、施体层、覆盖层、隔离层以与栅极金属。通道层设置于缓冲层上。间隔层设置于通道层上。施体层设置于间隔层上。覆盖层设置于施体层上。隔离层设置于缓冲层上，隔离层还与通道层、间隔层、施体层以及覆盖层相邻接，以形成器件区域。栅极金属设置于器件区域内的覆盖层上，闸极金属与覆盖层有接触面。在一个实施例中，隔离层的材质是绝缘材质，其设置方式是通过该离子注入的方式。在一个实施例中，栅极金属通过蒸镀的方式设置于栅极开口上。在一个实施例中，栅极金属的材质包括金、钼、铝、钛或镍。在一个实施例中，栅极金属与覆盖层的接触面形成有肖特基接面，且肖特基接面与阻抗并联连接。在一个实施例中，更包括第一欧姆层、第二欧姆层、第一金属层以及第二金属层。第一欧姆层及第二欧姆层设置于覆盖层上。第一金属层设置于第一欧姆层与栅极金属上。第二金属层设置于第二欧姆层上。在一个实施例中，第一欧姆层与栅极金属邻接。承上所述，依据本专利技术的一种，与现有技术相比较，本专利技术通过在工艺的过程中栅极金属与覆盖层之间的异质接触面所产生的肖特基接面，以及与肖特基接面并联连接的阻抗，不仅可使天线切换电路具有较佳的耐压强度，同时可使天线切换电路的抗噪声能力提高，进而提高天线整体的质量，十分具有市场潜力。【附图说明】图1A为依据本专利技术优选实施例的一种用于天线切换电路的半导体结构的示意图；图1B为依据本专利技术优选实施例的一种用于天线切换电路的半导体结构的等效电路不意图；图2为依据本专利技术优选实施例的一种用于天线切换电路的工艺方法的流程图；图3A为依据本专利技术优选实施例的砷化镓晶片的示意图；以及图3B为依据本专利技术优选实施例的设置隔离层后的砷化镓晶片的示意图。 【主要元件符号说明】1:半导体结构11:缓冲层12:通道层13:间隔层14:施体层15:覆盖层16:隔离层17:栅极金属181:第一欧姆层182:第二欧姆层191:第一金属层192:第二金属层21:肖特基二极管22:电阻器3:砷化镓晶片SOl?S03:制造方法的步骤【具体实施方式】以下将参照相关附图，说明依本专利技术优选实施例的一种，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。请参照图1A所示，其为本专利技术优选实施例的一种用于天线切换电路的半导体结构的示意图。半导体结构I包括缓冲层11 (undoped Buffer Layer)、通道层12 (undopedChannel Layer)、间隔层 13 (undoped Space Layer)、施体层 14 (Donor Layer)、覆盖层 15(Capping Layer)、隔离层 16 (Isolation Layer)以及栅极金属 17 (Gate Metal)。缓冲层11的材质例如是砷化镓(GaAs)。在实施上，缓冲层11作为基板，以让其它的半导体层可设置在其上。通道层12被设置于缓冲层11上，且通道层12的材质例如是砷化铟镓(InGaAs)。间隔层13被设置于通道层12上，且间隔层13的材质例如是砷化铝镓(AlGaAs)。施体层14被设置于间隔层13上，且施体层14的材质例如是砷化铝镓(AlGaAs)。覆盖层15被设置于施体层14上，其中，覆盖层15的材质例如是砷化镓(GaAs)。隔离层16被设置于缓冲层11上，并与通道层12、间隔层13、施体层14、覆盖层15相邻接。隔离层16用以将其内侧与外侧的半导体结构相互隔离，并在其内侧形成器件区域。其中，隔离层16的材质为绝缘材质，且隔离层16可通过离子注入的方式进行设置。栅极金属17被设置于器件区域内的覆盖层15上，从而形成接触面。栅极金属17的材质包括金(Au)、钼(Pt)、铝(Al)、钛(Ti)或镍(Ni)等，当然，在实际应用上，栅极金属17的材质也可以是其它可导电的金属，本专利技术对此不予以限定。此外，设置栅极金属17的方式例如但不限于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)等。除此之外，在实施上，半导体结构I更可包括第一欧姆层181、第二欧姆层182、第一金属层191以及第二金属层192。第一欧姆层181及第二欧姆层182被设置于覆盖层15上，第一金属层191被设置于第一欧姆层181与栅极金属17上,而第二金属层192被设置于第二欧姆层182上。在此，第一金属层191及第二金属层192是作为半导体结构I与其它电子器件(图未显示)的电性连接点，可通过导线相互电性连接。另外，在本实施例中，第一欧姆层181是与栅极金属17相邻接，但在不同实施例中，两者也可以不相邻接，本专利技术并不加以限定。需特别注意的是，以上为了方便说明，上述的图1A中所显示的各层的高度及宽度的尺寸关系(比例)仅为不意，并不代表实际的尺寸关系。请同时参照图1B所示的等效电路示意图，在本实施例中，当栅极金属17被设置于覆盖层15上，而与覆盖层15接触时，将会在其接触面(即所谓的异质接面)产生肖特基势垒(Schottky barrier),从而形成肖特基接面(Schottky conta本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于天线切换电路的工艺方法，包括下列步骤：提供砷化镓晶片，该砷化镓晶片包括覆盖层；在该砷化镓晶片上设置隔离层，以形成器件区域；以及在该器件区域内的该覆盖层上设置栅极金属，其中该栅极金属与该覆盖层的接触面形成肖特基接面，且该肖特基接面与阻抗并联连接。

【技术特征摘要】
2012.07.27 CN 201210265166.71.一种用于天线切换电路的工艺方法，包括下列步骤: 提供砷化镓晶片，该砷化镓晶片包括覆盖层； 在该砷化镓晶片上设置隔离层，以形成器件区域；以及 在该器件区域内的该覆盖层上设置栅极金属， 其中该栅极金属与该覆盖层的接触面形成肖特基接面，且该肖特基接面与阻抗并联连接。2.如权利要求1所述的工艺方法，其中该砷化镓晶片包括缓冲层、通道层、间隔层、施体层以及该覆盖层。3.如权利要求1所述的工艺方法,其中该隔离层的材质是绝缘材质,并通过离子注入的方式设置于该砷化镓晶片上。4.如权利要求1所述的工艺方法，其中该栅极金属通过蒸镀的方式设置于该覆盖层上。5.如权利要求1所述的工艺方法，更包括下列步骤: 设置第一欧姆层及第二欧姆层于该覆盖层上；以及 设置第一金属层于该第一欧姆层及该栅极金属上，并设置第二金属层于该第二欧姆层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖克恭，张东胜，古俊彦，陈诗喻，
申请(专利权)人：宣昶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：