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一种用于天线切换电路的工艺方法，其步骤包括提供砷化镓晶片，其包括覆盖层；在砷化镓晶片上设置隔离层，以形成元件区域；以及在器件区域内的覆盖层上设置栅极金属，栅极金属与覆盖层的接触面形成肖特基接面，且肖特基接面与阻抗并联连接。本发明还公开一种用...
该专利属于宣昶股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宣昶股份有限公司授权不得商用。

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