一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法及甩干机技术

一种砷化镓晶片的清洗方法，它包括以下步骤：（１）超声波清洗：（２）浓硫酸清洗：抛光片放入７０－１００℃的浓硫酸（９８％）中清洗，然后迅速提出放入常温的浓硫酸（９８％）中清洗，清洗完后用去离子水冲洗；（３）碱液清洗：（４）将抛光片甩干；（５）在大于等于８０００ｌｕｘ光强的卤光灯下检测抛光片。本发明专利技术的优点是：成本低，简单实用，可操作性强，能有效清理晶片表面的蜡点、尘埃、脏点，更能有效的清理抛光残留在晶片表面的镓氧化物、砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属，从而获得高质量的砷化镓（ＧａＡｓ）表面，达到“开盒即用”的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种砷化镓(GaAs)晶片的蜡贴片抛光后的清洗方法及甩干机。
技术介绍
砷化镓单晶是目前III一V族化合物半导体中的领军材料，应用相当广泛。砷化镓目前 己经成为一种重要的微电子和光电子基础材料，广泛应用于第三代移动通讯，光纤通讯，汽 车电子，卫星通讯和全球定位系统等领域。砷化镓(GaAs)晶片主要由于制作高亮度发光管 (LED)、半导体激光器(LD)、光电子集成(OEIC)、高效能太阳能电池、光晶体管、砷化 镓(GaAs)数字电路、微波单片电路等GaAs器件。砷化镓优越的性能是由高质量的晶片表 面来体现的，表面化学机械抛光(CMP)和清洗是进行砷化镓(GaAs)下一步外延前的关键 工序。随着器件和电路的大批量生产，为了提高生产效率、降低成本，必须使用高质量表面 的砷化镓(GaAs)衬底晶片，仅仅除去抛光片表面的玷污已经不再是最终要求，去除晶片表 面的金属、有机物污染及氧化层也很重要。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种砷化镓抛光片的清洗方法，该方法成本低，简单实用，可操作 性强，能有效清理晶片表面的蜡点、尘埃、脏点，更能有效的清理抛光残留在晶片表面的镓 氧化物、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种砷化镓晶片的清洗方法，其特征在于：它包括以下步骤：　　　　（１）、超声波清洗：　　　　①配制清洗液，其中，超声波清洗剂与去离子水的用量体积比为（１～５）∶（６～１０），配制时需搅拌，并加温至７０－１００℃，　　　　②超声波清洗，将抛光片放入超声波清洗机中清洗，　　　　③用去离子水冲洗；　　　　（２）、浓硫酸清洗：　　　　①然后将抛光片放入７０－１００℃的浓硫酸（９８％）中清洗，　　　　②然后迅速提出放入常温的浓硫酸（９８％）中清洗，　　　　③清洗完后用去离子水冲洗；（３）、碱液清洗：　　　　①配制碱液，其碱液的体积比为ＮＨ↓［４］ＯＨ∶Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］∶Ｈ↓［２］Ｏ＝（１～５）∶（１～...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方赵刚，郑安生，张晓，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，国瑞电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]