应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法技术

一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出多个沟槽；步骤3：分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；步骤4：采用低压MOCVD的方法，在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤5：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种将MOCVD和高深宽比沟槽限制技术(Aspect Ratio Trapping, ART)结合起来生长。
技术介绍
集成电路(IC)技术作为信息产业的核心和基础，不仅是国民经济增长和产业结构升级的驱动力，而且在现代国防和未来战争中具有不可替代的战略地位。在过去的四十多年中，以硅CMOS技术为基础的集成电路技术遵循摩尔定律通过缩小器件的特征尺寸来提高芯片的工作速度、增加集成度以及降低成本，集成电路的特征尺寸由微米尺度进化到纳米尺度，取得了巨大的经济效益与科学技术的重大进步。根据国际半导体产业技术发展蓝图(ITRS2009)的预测，2012年MPU的物理栅长将缩小到22纳米。然而，随着集成电路技术发展到22纳米技术节点及以下时，硅集成电路技术在速度、功耗、集成度、可靠性等方面将受到一系列基本物理问题和工艺技术问题的限制，并且昂贵的生产线建设和制造成本使集成电路产业面临巨大的投资风险，传统的硅 CMOS技术采用“缩小尺寸”来实现更小、更快、更廉价的逻辑与存储器件的发展模式已经难以持续。因此，ITRS清楚地指出，“后22纳米” CMOS技术将采用全新的材料、器件结构和集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种应用于ｎＭＯＳ的硅基砷化镓材料结构的制备方法，包括以下步骤：步骤１：在硅衬底１上生长二氧化硅层；步骤２：采用传统光刻和ＲＩＥ方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的（１１０）方向刻蚀出多个沟槽；步骤３：分别用ｐｉｒａｎｈａ、ＳＣ２、ＨＦ和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；步骤４：采用低压ＭＯＣＶＤ的方法，在沟槽内生长ＧａＡｓ缓冲层，然后在沟槽内的ＧａＡｓ缓冲层上生长ＧａＡｓ顶层；步骤５：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的ＧａＡｓ顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周旭亮，于红艳，王宝军，潘教青，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11