纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途技术

本发明专利技术涉及超细粉体制备及其应用领域，其制备方法为称取一定量的硝酸铈和六亚甲基四胺（ＨＭＴ）分别溶于乙醇与蒸馏水中，将两种溶液混合并用电动搅拌器搅拌均匀。其中Ｃｅ↑［３＋］相对于总溶液的浓度范围为０．０１～０．０５ｍｏｌ／ｌ，ＨＭＴ与硝酸铈摩尔比在１０∶１～４０∶１之间，醇水体积比在１∶１～６∶１之间，混合溶液密封好后在７０℃～９０℃的温度下加热１～２ｈ，取出冷却静置，在室温下陈化１～２小时，过滤，沉淀物经洗涤后，于６０～８０℃干燥６～１０ｈ，即得到纳米ＣｅＯ↓［２］粉体。取制得的粉体配制成抛光液，磨料质量浓度为１％～５ｗｔ％，加入氧化剂Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］在１０～２０ｗｔ％之间，用ＫＯＨ调节ｐＨ至９～１１，采用抛光机对砷化镓晶片进行抛光，抛光后表面能达到亚纳米量级的表面粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
本专利技术涉及超细粉体制备及其应用领域，特指一种纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途。
技术介绍
稀土氧化物CeO2是一种廉价而用途极广的材料，广泛应用于发光材料、电子陶瓷、耐辐射玻璃、抛光粉、紫外吸收材料、燃料电池、汽车尾气净化催化材料等，在现代高科技领域有着巨大的发展潜力，这些应用很多都是基于粉体的，而高新技术的发展对CeO2的要求越来越高，因此纳米CeO2粉体的制备已成为世界各国研究的热点之一。同时GaAs作为超大规模集成电路的一种重要衬底材料，由于脆性大，易解理，使得其加工成为GaAs集成电路制造中的一个主要难题，目前国际上GaAs抛光普遍使用的是纳米SiO2磨料，而用纳米CeO2作为其抛光料还未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途，其对砷化镓晶片表层和亚表层损伤较少。其以硝酸铈和六亚甲基四胺(HMT)为原料，采用均匀沉淀法工艺进行合成，通过优化硝酸铈浓度，HMT与硝酸铈的摩尔比，醇水体积比，反应条件等工艺参数来控制CeO2粉体的粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
纳米氧化铈的制备方法，其特征在于称取一定量的硝酸铈和六亚甲基四胺分别溶于乙醇与蒸馏水中，将两种溶液混合并用电动搅拌器搅拌均匀，其中Ｃｅ↑［３＋］相对于总溶液的浓度范围为０．０１～０．０５ｍｏｌ／ｌ，ＨＭＴ与硝酸铈摩尔比在１０∶１～４０∶１之间，醇水体积比在１∶１～６∶１之间，混合溶液密封好后在７０℃～９０℃的温度下加热１～２ｈ，取出冷却静置，在室温下陈化１～２小时，过滤，沉淀物经洗涤后，于６０～８０℃干燥６～１０ｈ，得到纳米ＣｅＯ↓［２］粉体。

【技术特征摘要】
1.纳米氧化铈的制备方法，其特征在于称取一定量的硝酸铈和六亚甲基四胺分别溶于乙醇与蒸馏水中，将两种溶液混合并用电动搅拌器搅拌均匀，其中Ce3+相对于总溶液的浓度范围为0.01～0.05mol/l，HMT与硝酸铈摩尔比在10∶1～40∶1之间，醇水体积比在1∶1～6∶1之间，混合溶液密封好后在70℃～90℃的温度下加热1～2h，取出冷却静置，在室温下陈化1～2小时，过滤，沉淀物经洗涤后，于60～80℃干燥6～10h，得到纳米CeO2粉体。2.如权利要求1所述的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志刚，李霞章，陈杨，陈建清，
申请(专利权)人：江苏工业学院，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]