金刚石成膜方法、金刚石成膜装置、程序和金刚石材料制造方法及图纸

金刚石成膜方法包括：基底层形成工序，通过利用了包含铱的第一原料气体的CVD法形成基底层(22)；以及金刚石层形成工序，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在基底层(22)上形成单晶的金刚石层(23)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及金刚石成膜方法、金刚石成膜装置、程序和金刚石材料。

技术介绍

1、例如，专利文献1记载的外延金刚石膜的制造方法包括铱薄膜制造工序、偏压成核处理工序和外延金刚石生长工序。

2、上述铱薄膜制造工序是使用高频溅射法通过外延生长在基板上形成铱薄膜的工序。应予说明，在该铱薄膜制造工序中，不仅限于高频溅射法，还已知使用dc(直流)溅射法。

3、上述偏压成核处理工序是通过在成膜的铱基底的表面使用对置电极型直流等离子体发生装置暴露包含离子的等离子体来形成外延金刚石核的工序。

4、上述外延金刚石生长工序是使用多电极型直流等离子体cvd(chemical vapordeposition，化学气相沉积)装置通过cvd法在外延金刚石膜基底基板的偏压成核处理表面生长外延金刚石的工序。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2007－270272号公报

技术实现思路

1、在上述专利文献1的构成中，在铱薄膜制造工序中使用高频溅射装置，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金刚石成膜方法，包括如下工序：

2.根据权利要求1所述的金刚石成膜方法，其中，在所述基底层形成工序中，通过利用了包含所述金属与碳键合而成的有机金属化合物的所述第一原料气体的CVD法形成混入了所述碳的所述基底层，

3.根据权利要求1或2所述的金刚石成膜方法，其中，包括如下工序：

4.根据权利要求1或2所述的金刚石成膜方法，其中，在所述金刚石层形成工序中，通过在所述第二原料气体中混合所述第一原料气体，在所述金刚石层中混入所述金属。

5.一种金刚石成膜装置，具备：

6.根据权利要求5所述的金刚石成膜装置，其中，所述第一原料气体...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种金刚石成膜方法，包括如下工序：

2.根据权利要求1所述的金刚石成膜方法，其中，在所述基底层形成工序中，通过利用了包含所述金属与碳键合而成的有机金属化合物的所述第一原料气体的cvd法形成混入了所述碳的所述基底层，

3.根据权利要求1或2所述的金刚石成膜方法，其中，包括如下工序：

4.根据权利要求1或2所述的金刚石成膜方法，其中，在所述金刚石层形成工序中，通过在所述第二原料气体中...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽边厚仁，木村丰，会田英雄，大岛龙司，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：