【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器的测试领域,尤其涉及嵌入式存储器的测试装置。
技术介绍
大型、复杂电路通常包含多处难以测试的逻辑部分,即使就可测试性最好的大型设计而言,也同样需要耗费大量测试生成时间、占用大量的ATE(Automated Test Equipment自动测试仪)存储器和ATE测试时间,所有这些都是非常昂贵,但对于采用ATPG方法进行测试而言又是必需的。另外,由于存储器缺陷类型不同于一般逻辑的缺陷类型,存储器在较大规模设计之中层次较深,ATPG(Automatic TestPattern Generation自动测试向量产生法)通常不能提供完备的存储器测试解决方案,而内嵌式存储器测试技术(MBIST)则可以解决这些问题。BIST(Build In Self Test内嵌自测试电路)能够在不牺牲检测质量的前提下提供一种存储器测试解决方案,在很多情况下,BIST结构可以彻底消除或最大限度减少对外部测试向量生成(以及ATE机存储器容量)和测试应用时间的需要。设计人员可以在某设计内部执行内嵌式存储器测试(MBIST)电路,并由于内嵌式存储器测试(MBIST)电路邻近被测试的存储器而轻易实现全速测试。内嵌式存储器测试(MBIST)通常采用一种或多种算法为测试存储器一种或多种缺陷类型而特别设计,内嵌式存储器测试控制器电路包括地址产生器电路,有限状态机电路、向量产生器电路、响应分析器四部分。参看图1,现有的嵌入式存储器的测试装置,包括接收芯片外部管脚开始信号的嵌入式存储器测试控制模块和N组存储器模块,每组存储器模块包括多路选择开关和存储器,多路选择开关的输出端连接 ...
【技术保护点】
一种嵌入式存储器的测试装置,包括接收芯片外部管脚开始信号的嵌入式存储器测试控制模块(2)和N组存储器模块,每组存储器模块包括多路选择开关和存储器,所述多路选择开关的输出端连接所述存储器的输入端,所述嵌入式存储器测试控制模块(2)包括与所述N组存储器模块相对应的N个响应分析器(8)和N个向量产生器(7),其特征在于,所述嵌入式存储器测试控制模块(2)包括一个地址产生器(5)和一个有限状态机(6),所述地址产生器(5)为与所述N组存储器模块中深度最深的存储器对应的地址产生器,所述有限状态机(6)发送控制指令给所述N组存储器模块的多路选择开关,所述有限状态机(6)控制地址产生器(5)和N个向量产生器(7)产生地址和测试向量,并将产生的地址和测试向量发送给所述N组存储器模块的多路选择开关,当地址产生器(5)对所述N组存储器模块寻址超过地址产生器(5)的深度时,所述地址产生器(5)发送禁止信号给深度超过地址产生器(5)深度的存储器模块的多路选择开关禁止该多路选择开关将测试向量送入该存储器模块的存储器,同时地址产生器(5)发送禁止信号给深度超过地址产生器(5)深度的存储器模块对应的响应分析器(8) ...
【技术特征摘要】
1.一种嵌入式存储器的测试装置,包括接收芯片外部管脚开始信号的嵌入式存储器测试控制模块(2)和N组存储器模块,每组存储器模块包括多路选择开关和存储器,所述多路选择开关的输出端连接所述存储器的输入端,所述嵌入式存储器测试控制模块(2)包括与所述N组存储器模块相对应的N个响应分析器(8)和N个向量产生器(7),其特征在于,所述嵌入式存储器测试控制模块(2)包括一个地址产生器(5)和一个有限状态机(6),所述地址产生器(5)为与所述N组存储器模块中深度最深的存储器对应的地址产生器,所述有限状态机(6)发送控制指令给所述N组存储器模块的多路选择开关,所述有限状态机(6)控制地址产生器(5)和N个向量产生器(7)产生地址和测试向量,并将产生的地址和测试向量发送给所述N组存储器模块的多路选择开关,当地址产生器(5)对所述N组存储器模块寻址超过地址产生器(5)的深度时,所述地址产生器(5)发送禁止信号给深度超过地址产生器(5)深度的存储器模块的多路选择开关禁止该多路选择开关将测试向量送入该存储器模块的存储器,同时地址产生器(5)发送禁止信号给深度超过地址产生器(5)深度的存储器模块对应的响应分析器(8),禁止该响应分析器(8)工作,所述N个响应分析器(8)根据有限状态机(6)的不同状态产生对应的正确响应向量分别与N个存储器的输出数据相比较,所述N个响应分析器(8)将比较结果送至内嵌式存储器测试顶层模块。2.按照权利要求1所述的嵌入式存储器的测试装置,其特征在于,所述N组存储器模块中的N≥2。3.一种嵌入式存储器的测试装置,包括接收芯片外部管脚开始信号的嵌入式存储器测试控制模块(2)和N组存储器模块,每组存储器模块包括多路选择开关和存储器,所述多路选择开关的输出端连接所述存储器的输入端,所述嵌入式存储器测试控制模块(2)包括与所述N组存储器模块相对应的N个响应分析器(8),其特征在于,所述嵌入式存储器测试控制模块(2)包括一个地址产生器(5)、一个有限状态机(6)和一个向量产生器(7),所述地址产生器(5)为与所述N组存储器模块中深度最深的存储器对应的地址产生器,所述向量产生器(7)为与所述N组存储器模块中位宽最宽的存储器对应的向量产生器,所述有限状态机(6)发送控制指令给所述N组...
【专利技术属性】
技术研发人员:周芬,周天夷,
申请(专利权)人:北京中星微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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