半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件(1)，其包括：与第一半导体芯片的漏极电极连接的第一漏极端子(4)；与第一半导体芯片的栅极电极连接的第一栅极端子(5)；与第二半导体芯片的漏极电极连接的第二漏极端子(6)；与第二半导体芯片的栅极电极连接的第二栅极端子(7)；与第一半导体芯片的源极电极和所述第二半导体芯片的源极电极连接的共用源极端子(8)；和对各半导体芯片和各端子进行密封的密封树脂(9)。各端子具有与密封树脂(9)的外表面(下表面)(9b)成大致同一平面并且从该外表面(9b)露出的露出面(下表面)(43、53、63、73、83)。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及一种能够作为双向开关使用的半导体器件。
技术介绍
作为半导体器件，已知具有由MOSFET形成的第一半导体芯片、由MOSFET形成的第二半导体芯片、第一漏极端子、第一源极端子、第一栅极端子、第二漏极端子、第二源极端子和第二栅极端子的半导体器件(以下，称为现有的半导体器件)。第一漏极端子、第一源极端子和第一栅极端子分别与第一半导体芯片的漏极电极、源极电极和栅极电极电连接。第二漏极端子、第二源极端子和第二栅极端子分别与第二半导体芯片的漏极电极、源极电极和栅极电极电连接。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题当欲将上述现有的半导体器件作为具有2个MOSFET反串联连接的结构的双向开关来使用时，在该半导体器件的外部，必须使第一半导体芯片的源极端子与第二半导体芯片的源极端子通过连接部件连接。本专利技术的目的在于提供一种半导体器件，其在作为双向开关来使用时不需要将第一半导体芯片的源极端子与第二半导体芯片的源极端子在外部连接，并且能够实现小型化。用于解决课题的技术方案本专利技术的一个实施方式提供一种半导体器件。该半导体器件包括：由MOSFET构成的第一半导体芯片；由MOSFET构成的第二半导体芯片；与所述第一半导体芯片的漏极电极电连接的第一漏极端子；与所述第一半导体芯片的栅极电极电连接的第一栅极端子；与所述第二半导体芯片的漏极电极电连接的第二漏极端子；与所述第二半导体芯片的栅极电极电连接的第二栅极端子；与所述第一半导体芯片的源极电极和所述第二半导体芯片的源极电极电连接的共用源极端子；和密封各所述半导体芯片和各所述端子的密封树脂，各所述端子具有与所述密封树脂的外表面成大致同一平面并且从所述外表面露出的露出面。在该半导体器件中，第一半导体芯片的源极电极和第二半导体芯片的源极电极与共用源极端子电连接。因此，在将该半导体器件作为双向开关来使用时，没有必要将第一半导体芯片的源极端子与第二半导体芯片的源极端子在半导体器件的外部连接。另外，在该半导体器件中，由于各端子具有与密封树脂的外表面成大致同一平面并且从密封树脂的外表面露出的露出面，因此与具有从密封树脂的外表面突出的引线端子的半导体器件相比，能够实现小型化。在本专利技术的一个实施方式中，所述密封树脂具有相对的2个表面和连结该2个表面的侧面。在本专利技术的一个实施方式中，各所述端子的所述露出面包括与所述密封树脂的2个表面中的一个表面成大致同一平面并且从该一个表面露出的第一露出面。在本专利技术的一个实施方式中，各所述端子的所述露出面还包括与该端子的所述第一露出面相连接的、与所述密封树脂的侧面成大致同一平面的、并且从该侧面露出的第二露出面。在本专利技术的一个实施方式中，所述密封树脂是所述2个表面的俯视形状为矩形的长方体形状，所述侧面包括将所述2个表面的相对的边彼此连结的4个侧面。在本专利技术的一个实施方式中，所述密封树脂的所述一个表面具有：彼此相对的第一边和第二边；将所述第一边和第二边的一端彼此连结的第三边；将所述第一边和第二边的另一端彼此连结的第四边，所述第一漏极端子的第一露出面配置在连结所述一个表面的所述第一边与所述第三边的第一角部，所述第二漏极端子的第一露出面配置在连结所述一个表面的所述第一边与所述第四边的第二角部。另外，所述第一栅极端子的第一露出面配置在连结所述一个表面的所述第二边与所述第三边的第三角部，所述第二栅极端子的第一露出面配置在连结所述一个表面的所述第二边与所述第四边的第四角部。并且，所述共用源极端子的第一露出面配置在所述一个表面中的所述第一栅极端子的第一露出面与所述第二栅极端子的第一露出面的中间位置。在本专利技术的一个实施方式中，所述各端子的第一露出面是具有与所述一个表面的4边平行的4边的矩形形状。而且，设各所述漏极端子的第一露出面的与所述第一边平行的边的长度为LD1，与所述第三边平行的边的长度设为LD2，设各所述栅极端子的第一露出面的与所述第一边平行的边的长度为LG1，与所述第三边平行的边的长度为LG2，设所述源极端子的第一露出面的与所述第一边平行的边的长度为LS1，与所述第三边平行的边的长度为LS2，设所述第一漏极端子的第一露出面与所述第二漏极端子的第一露出面的沿所述第一边的方向上的间隔为d1，所述第一栅极端子的第一露出面与所述共用源极端子的第一露出面的沿所述第二边的方向上的间隔设为d2，所述第二栅极端子的第一露出面与所述共用源极端子的第一露出面的沿所述第二边的方向上的间隔为d3，所述第一漏极端子的第一露出面与所述第一栅极端子的第一露出面的沿所述第三边的方向上的间隔为d4，所述第二漏极端子的第一露出面与所述第二栅极端子的第一露出面的沿所述第四边的方向上的间隔为d5时，下式(a)和(b)成立：d1＝d2＝d3＝d4＝d5(a)LS2＝LG2(b)。在本专利技术的一个实施方式中，下式(c)～(f)也成立：LS1＝d1(c)LD2＝LD1(d)LG2＝LG1(e)LD1＞LG1(f)在本专利技术的一个实施方式中，所述第一漏极端子的第一露出面的面积与所述第二漏极端子的第一露出面的面积之和是所述密封树脂的所述一个表面全部面积的1/4～3/8。在本专利技术的一个实施方式中，所述第一漏极端子的第一露出面的面积、所述第二漏极端子的第一露出面的面积、所述第一栅极端子的第一露出面的面积、所述第二栅极端子的第一露出面的面积以及所述共用源极端子的第一露出面的面积之和是所述密封树脂的所述一个表面全部面积的1/3～11/24。在本专利技术的一个实施方式中，所述第一漏极端子、所述第二漏极端子、所述第一栅极端子和所述第二栅极端子的第一露出面在俯视时的形状是四边形形状，所述四边形形状包括：与配置有各所述端子的第一露出面的所述密封树脂的角部的2个边对齐的第五边和第六边；和一端分别与所述第五边和第六边连接并且另一端彼此连接的第七边和第八边，所述第七边与所述第八边的连接部形成为向该第一露出面的外侧突出的弯曲形状。在本专利技术的一个实施方式中，所述共用源极端子的第一露出面的在俯视时形状为四边形形状，所述四边形形状具有：与所述密封树脂的所述一个表面的所述第二边对齐的第九边；一端分别与所述第九边的两端连接的第十边和第十一边；和连接所述第十边与所述第十一边的第十二边，所述第十边与所述第十二边的连接部以及所述第十一边与所述第十二边的连接部形成为向该第一露出面的外侧突出的弯曲形状。专利技术效果参照附图，并通过如下所述的实施方式的说明，能够明了本专利技术的上述的以及其他的目的、特征和效果。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式的半导体器件的图解性的立体图。图2是图1的图解性的俯视图。图3是图1的图解性的正面图。图4是图1的图解性的背面图。图5是图1的图解性的左侧面图。图6是图1的图解性的右侧面图。图7是图1的图解性的底面图。图8是表示内部结构的俯视图。图9是沿图8的IX-IX线的截面图。图10是沿图8的X-X线的截面图。图11是沿图8的XI-XI线的截面图。图12是表示图1的半导体器件的安装状态的、与图9的截面图对应的截面图。图13是表示图1的半导体器件的安装状态的、与图10的截面图对应的截面图。图14是表示利用图1的半导体器件来实现的双向开关的电路的电路图。图15是用于说明图14的双向开关的使用例的电路图。图16是本专利技术的第二实施方式的半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：由MOSFET构成的第一半导体芯片；由MOSFET构成的第二半导体芯片；与所述第一半导体芯片的漏极电极电连接的第一漏极端子；与所述第一半导体芯片的栅极电极电连接的第一栅极端子；与所述第二半导体芯片的漏极电极电连接的第二漏极端子；与所述第二半导体芯片的栅极电极电连接的第二栅极端子；与所述第一半导体芯片的源极电极和所述第二半导体芯片的源极电极电连接的共用源极端子；和密封各所述半导体芯片和各所述端子的密封树脂，各所述端子具有与所述密封树脂的外表面成大致同一平面并且从所述外表面露出的露出面。

【技术特征摘要】
2017.03.23 JP 2017-057831;2017.12.26 JP 2017-249961.一种半导体器件，其特征在于，包括：由MOSFET构成的第一半导体芯片；由MOSFET构成的第二半导体芯片；与所述第一半导体芯片的漏极电极电连接的第一漏极端子；与所述第一半导体芯片的栅极电极电连接的第一栅极端子；与所述第二半导体芯片的漏极电极电连接的第二漏极端子；与所述第二半导体芯片的栅极电极电连接的第二栅极端子；与所述第一半导体芯片的源极电极和所述第二半导体芯片的源极电极电连接的共用源极端子；和密封各所述半导体芯片和各所述端子的密封树脂，各所述端子具有与所述密封树脂的外表面成大致同一平面并且从所述外表面露出的露出面。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述密封树脂具有相对的2个表面和连结该2个表面的侧面。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：各所述端子的所述露出面包括与所述密封树脂的2个表面中的一个表面成大致同一平面并且从该一个表面露出的第一露出面。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：各所述端子的所述露出面还包括与该端子的所述第一露出面相连接的、与所述密封树脂的侧面成大致同一平面的、并且从该侧面露出的第二露出面。5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述密封树脂为所述2个表面的俯视形状是矩形的长方体形状，所述侧面包括将所述2个表面的相对的边彼此连结的4个侧面。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述密封树脂的所述一个表面包括：彼此相对的第一边和第二边；将所述第一边与所述第二边的一端彼此连结的第三边；和将所述第一边与所述第二边的另一端彼此连结的第四边，所述第一漏极端子的第一露出面配置在连结所述一个表面的所述第一边与所述第三边的第一角部，所述第二漏极端子的第一露出面配置在连结所述一个表面的所述第一边与所述第四边的第二角部，所述第一栅极端子的第一露出面配置在连结所述一个表面的所述第二边与所述第三边的第三角部，所述第二栅极端子的第一露出面配置在连结所述一个表面的所述第二边与所述第四边的第四角部，所述共用源极端子的第一露出面配置在所述一个表面的所述第一栅极端子的第一露出面与所述第二栅极端子的第一露出面的中间位置。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：各所述端子的第一露出面是具有与所述一个表面的4边平行的4边的矩形形状，设各所述漏极端子的第一露出面的与所述第一边平行的边的长度为LD1，与所述第三边平行的边的长度为LD2，各所述栅极端子的第一露出面的与所述第一边平行的边的长度为LG1，与所述第三边平行的边的长度设为LG2，所述源极端子的第一露出面的与所述第一边平行的边的长度为LS1，与所述第三边平行的边的长度为LS2，并且，设所述第一漏极端子的第一露出面与所述第二漏极端子的第一露出面的沿所述第一边的方向上的间隔为d1，所述第一栅极端子的第一露出面与所述共用源极端子的第一露出面的沿所述第二边的方向上的间隔为d2，所述第二栅极端子的第一露出面与所述共用源极端子的第一露出面的沿所述第二边的方向上的间隔为d3，所述第一漏极端子的第一露出面与所述第一栅极端子的第一露出面的沿所述第三边的方向上的间隔为d4，所述第二漏极端子的第一露出面与所述第二栅极端子的第一露出面的沿所述第四边的方向上的间隔为d5时，下式(a)和(b)成立：d1＝d2＝d3＝d4＝d5(a)LS2＝LG2(b)。8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：下式(c)～(f)也成立：LS1＝d1(c)LD2＝LD1(d)LG2＝LG1(e)LD1＞LG1(f)。9.如权利要求3～6中的任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第一漏极端子的第一露出面的面积与所述第二漏极端子的第一露出面的面积之和为所述密封树脂的所述一个表面全部面积的1/4～3/8。10.如权利要求3～6中的任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第一漏极端子的第一露出面的面积、所述第二漏极端子的第一露出面的面积、所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤裕树，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP