在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备技术

本发明专利技术公开了一种在基板上形成膜层的方法及设备。方法包括：在检测区域设置检测板，检测板包括至少一个检测单元，每个检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；形成膜层，包括目标膜层和检测膜层，检测膜层填充满第一检测电极和第二检测电极之间的间隔；在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度，根据厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率，根据该成膜速率，调节当前的成膜速率。能够准确检测基板上所形成检测膜层的厚度，并根据检测膜层的厚度以及成膜速率指导目标膜层的生产工艺，有效提高生产速率，提高膜层的工艺良率。

【技术实现步骤摘要】
在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种在基板上形成膜层的方法以及一种在基板上形成膜层的设备。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)，是一种利用有机半导体材料制成的薄膜发光器件，其具有自发光的特性。OLED主要采用较薄的有机材料涂层和玻璃基板制成，而且无需背光源。因此，当有电流通路时，这些有机材料就会主动发光。由于OLED依赖于电流驱动，因此OLED的发光亮度与流经该OLED的电流大小有关，作为驱动的薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)的电学性能和稳定性的优劣直接影响上述OLED的显示效果，尤其是当TFT基板膜层材料的膜厚控制不精准时，这会导致整个OLED显示器件出现显示不均匀的问题。现有的测量TFT基板，为了监控所形成的膜层的厚度，对于金属膜层(例如栅极、源漏极和像素电极)，会在金属膜层制作完成时，测试金属膜层的方块电阻；对于非金属层(例如绝缘层)，则在非金属膜层制作完成时，通过折射率计算得到光学膜厚；对于有源层，在有源层制作完成时，采用氧含量法计算膜厚，例如，通过测试氧含量表征膜厚。但是，上述方法由于均是在膜层制作完成以后，再对所形成的膜层的厚度进行检测，并不能够实时监测工艺过程中的膜厚，其次，通过折射率计算得到光学膜厚以及通过采用氧含量法计算膜厚的方法中，会存在测量误差。另外，上述方法显然也不能够实现实时监控成膜速率。因此，如何设计一种能够在形成膜层的过程中准确检测膜层厚度的膜层形成方法成为本领域亟待解决的技术问题。专利技术内容本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种在基板上形成膜层的方法以及一种在基板上形成膜层的设备。为了实现上述目的，本专利技术的第一方面，提供一种在基板上形成膜层的方法，所述基板包括目标区域和位于所述目标区域外的检测区域，所述方法包括：在所述检测区域设置检测板，所述检测板包括至少一个检测单元，每个所述检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；形成膜层，所述膜层包括位于所述目标区域的目标膜层和位于所述检测板的检测膜层，其中，所述检测膜层填充满同一个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度；根据所述检测膜层的厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率；根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率。优选地，所述检测板包括多个所述检测单元，所述检测膜层填充满各个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：分别检测各个检测单元内的各检测膜层的厚度；计算检测到的各检测膜层的厚度的平均膜厚，以所述平均膜厚作为所述检测膜层的厚度。优选地，所述检测板包括多组检测单元；所述形成膜层的步骤包括：分别形成多层膜层子层，多层膜层子层的材料不完全相同，包括位于目标区域的多层目标膜层子层和位于检测板的多层检测膜层子层，其中，每组检测单元中的检测膜层子层的层数相同，不同组检测单元中的检测膜层子层的层数不同；所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：分别检测各组检测单元内的各检测膜层子层的厚度。优选地，所述根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率的步骤包括：将已经形成的膜层的成膜速率与预设成膜速率进行比较；并且，当所述已经形成的膜层的成膜速率小于预设成膜速率时，提高当前的成膜速率；当所述已经形成的膜层的成膜速率大于所述预设成膜速率时，降低当前的成膜速率。优选地，所述第一检测电极包括多个间隔设置的第一指部，多个所述第一指部电连接，所述第二检测电极包括多个间隔设置的第二指部，多个所述第二指部电连接；其中，同一个所述检测单元中，所述第一指部和所述第二指部交替排列。优选地，所述膜层包括绝缘层，所述第一检测电极和所述第二检测电极同层设置；所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：检测所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的电容；根据所述电容计算所述检测膜层的厚度；其中，根据下述公式计算所述检测膜层的厚度：D＝(4π*k*C*d)/(ε*L)；其中，D为检测膜层的厚度，k为静电力常量，C为第一检测电极和第二检测电极之间的电容，d为第一检测电极和第二检测电极之间的距离，ε为检测膜层的介电常数，L为第一检测电极和第二检测电极之间的相对投影长度。优选地，所述膜层包括导电膜层，所述第一检测电极和所述第二检测电极同层设置；所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：检测所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的电阻；根据所述电阻计算所述检测膜层的厚度。本专利技术的第二方面，提供一种在基板上形成膜层的设备，所述基板包括目标区域和位于所述目标区域外的检测区域，所述设备包括成膜装置和检测装置；所述检测装置包括计算单元、控制单元和检测板，所述检测板用于设置在所述检测区域，所述检测板包括至少一个检测单元，每个所述检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；所述成膜装置用于在所述目标区域形成目标膜层以及在所述检测板形成检测膜层，所述检测膜层填充满同一个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；所述检测单元用于在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度；所述计算单元用于根据所述检测膜层的厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率；所述控制单元用于根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率。优选地，所述检测板还包括目标开口以及与检测单元一一对应的检测开口和控制窗，所述控制窗覆盖在所述检测开口上，所述目标开口与所述目标区域相对应；所述控制单元与所述控制窗的控制端电连接，以控制所述控制窗的打开或者关闭；并且，当所述控制窗打开时，所述成膜装置向与该控制窗所对应的检测开口内形成检测膜层；当所述控制窗关闭时，所述控制窗阻止所述成膜装置向与该控制窗所对应的检测开口内形成检测膜层。优选地，所述检测装置还包括与检测单元一一对应的温度传感器，所述温度传感器与控制单元电连接；并且，当所述控制单元接收到所述温度传感器发送的第一温度信号时，控制所述控制窗打开；当所述控制单元接收到所述温度传感器发送的第二温度信号时，控制所述控制窗关闭。本专利技术的在基板上形成膜层的方法，通过在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度，该检测膜层的厚度可以反映目标膜层的厚度，并根据检测膜层的厚度和成膜时间，计算得到已经形成的膜层的成膜速率，并可以根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率。因此，能够准确检测基板上所形成的目标膜层的厚度，并根据目标膜层的厚度以及成膜速率指导目标膜层的生产工艺，有效提高生产速率，提高膜层的工艺良率，降低制作成本。本专利技术的在基板上形成膜层的设备，利用检测单元，在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度，该检测膜层的厚度可以反映目标膜层的厚度。计算单元可以根据检测膜层的厚度和成膜时间，计算得到已经形成的膜层的成膜速率。控制单元根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率。因此，能够准确检测基板上所形成的目标膜层的厚度，并根据目标膜层的厚度指导目标膜层的生产工艺，有效提高生产速率，提高膜层的工艺良率，降低制作成本。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基板上形成膜层的方法，其特征在于，所述基板包括目标区域和位于所述目标区域外的检测区域，所述方法包括：在所述检测区域设置检测板，所述检测板包括至少一个检测单元，每个所述检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；形成膜层，所述膜层包括位于所述目标区域的目标膜层和位于所述检测板的检测膜层，其中，所述检测膜层填充满同一个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度；根据所述检测膜层的厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率；根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率。

【技术特征摘要】
1.一种在基板上形成膜层的方法，其特征在于，所述基板包括目标区域和位于所述目标区域外的检测区域，所述方法包括：在所述检测区域设置检测板，所述检测板包括至少一个检测单元，每个所述检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；形成膜层，所述膜层包括位于所述目标区域的目标膜层和位于所述检测板的检测膜层，其中，所述检测膜层填充满同一个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度；根据所述检测膜层的厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率；根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测板包括多个所述检测单元，所述检测膜层填充满各个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：分别检测各个检测单元内的各检测膜层的厚度；计算检测到的各检测膜层的厚度的平均膜厚，以所述平均膜厚作为所述检测膜层的厚度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测板包括多组检测单元；所述形成膜层的步骤包括：分别形成多层膜层子层，多层膜层子层的材料不完全相同，包括位于目标区域的多层目标膜层子层和位于检测板的多层检测膜层子层，其中，每组检测单元中的检测膜层子层的层数相同，不同组检测单元中的检测膜层子层的层数不同；所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：分别检测各组检测单元内的各检测膜层子层的厚度。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率的步骤包括：将已经形成的膜层的成膜速率与预设成膜速率进行比较；并且，当所述已经形成的膜层的成膜速率小于预设成膜速率时，提高当前的成膜速率；当所述已经形成的膜层的成膜速率大于所述预设成膜速率时，降低当前的成膜速率。5.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一检测电极包括多个间隔设置的第一指部，多个所述第一指部电连接，所述第二检测电极包括多个间隔设置的第二指部，多个所述第二指部电连接；其中，同一个所述检测单元中，所述第一指部和所述第二指部交替排列。6.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述膜层包括绝缘层，所述第一检测电极和所述第二检测电极同层设置；所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：程磊磊，周斌，王东方，赵策，黄勇潮，刘宁，汪军，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34