The invention particularly relates to a method for forming a deep groove of silicon and a semiconductor structure. The method includes: in the semiconductor silicon wafer deposited on the hard mask layer; the preset area of the hard mask layer is etched until exposing the semiconductor silicon wafer, over the hard mask layer is formed in at least one longitudinal section is trapezoidal pattern; the hard mask layer as a mask for etching the semiconductor silicon the wafer in the semiconductor silicon wafer and the longitudinal section is trapezoidal shape corresponding position of forming a deep trench; the hard mask layer is removed to expose the upper surface of the semiconductor silicon wafer. The invention is formed by hard obtrapezoid graphics on the semiconductor silicon wafer and mask layer as a mask trench etching semiconductor silicon wafer can get smaller and deeper in the semiconductor silicon wafer.
【技术实现步骤摘要】
一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别涉及一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构。
技术介绍
半导体技术正持续朝向缩小外观尺寸的方向发展,持续缩小至65纳米、45纳米甚至更小。伴随着半导体制造技术的发展线宽越来越小,光刻图形线宽对芯片制造过程中的电性的影响也越来越明显。当前硅的深沟在往更小更深的方向发展的过程中,光刻图形的小线宽可以通过光刻胶的厚度来调节,但是如果在减薄光刻胶厚度的基础上实现了小线宽光刻,后续刻蚀又会出现光刻胶的厚度无法满足保护被刻蚀物体的现象。在满足刻蚀保护所需光刻胶厚度的前提下,光刻图形的线宽却又无法向更小的尺寸发展。
技术实现思路
本专利技术提供了一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构,解决以上所述技术问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种硅的深沟槽形成方法,包括以下步骤:步骤1,在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层;步骤2,对所述硬质掩膜层的预设区域进行刻蚀直到露出所述半导体硅晶片,在所述硬质掩膜层中形成至少一个纵切面为倒梯形的图形;步骤3,以所述硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体硅晶片,在所述半导体硅晶片中与所述倒梯形图形对应位置形成深沟槽;步骤4,去除所述硬质掩膜层,直至露出半导体硅晶片的上表面。本专利技术的有益效果是:通过在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层,并在硬质掩膜层预设区域形成至少一个纵切面为倒梯形的图形,以所述纵切面为倒梯形图形的硬质掩膜层为掩膜,不仅可以实现光刻图形的小线宽而且可以有效的保护被刻蚀的半导体硅晶片,因此可以刻蚀出更小和更深的硅沟槽。在上述技术方案的基础上,本专利技术还可以做如 ...
【技术保护点】
一种硅的深沟槽形成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层;步骤2,对所述硬质掩膜层的预设区域进行刻蚀直到露出所述半导体硅晶片,在所述硬质掩膜层中形成至少一个纵切面为倒梯形的图形;步骤3,以所述硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体硅晶片,在所述半导体硅晶片中与所述纵切面为倒梯形图形对应位置形成深沟槽;步骤4,去除所述硬质掩膜层,直至露出半导体硅晶片的上表面。
【技术特征摘要】
1.一种硅的深沟槽形成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层;步骤2,对所述硬质掩膜层的预设区域进行刻蚀直到露出所述半导体硅晶片,在所述硬质掩膜层中形成至少一个纵切面为倒梯形的图形;步骤3,以所述硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体硅晶片,在所述半导体硅晶片中与所述纵切面为倒梯形图形对应位置形成深沟槽;步骤4,去除所述硬质掩膜层,直至露出半导体硅晶片的上表面。2.根据权利要求1所述的一种硅的深沟槽形成方法,其特征在于,步骤1中,所述硬质掩膜层为PETEOS薄膜或氮化硅薄膜。3.根据权利要求2所述的一种硅的深沟槽形成方法,其特征在于,步骤1中,当所述硬质掩膜层为PETEOS薄膜时,采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积所述PETEOS薄膜;或者当所述硬质掩膜层为氮化硅薄膜时,采用低压化学气相沉积方法沉积所述氮化硅薄膜。4.根据权利要求1所述的一种硅的深沟槽形成方法,其特征在于,步骤2中,采用干法刻蚀方法在所述硬质掩膜层中形成所述至少一...
【专利技术属性】
技术研发人员:邹浩,丁振宇,夏爱华,刘志攀,陈幸,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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