台阶形貌的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种台阶形貌的工艺方法，在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜，淀积的第二层膜同样复制形成有台阶，其特征在于：对第二层膜先进行化学机械研磨，将第二层膜的台阶研磨掉，使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后，再对剩余的第二层膜进行刻蚀。本发明专利技术台阶形貌的工艺方法，在对具有台阶形貌的第二层膜进行刻蚀之前，先进行化学机械研磨，使其台阶消失，表面平坦，然后再进行干法刻蚀，这样研磨之后的台阶处第二层膜质不会偏厚，干法刻蚀时能保证原台阶处的第二层膜刻蚀干净，不会导致第二层膜质残留所带来的其他问题。

Process method for step appearance

The invention discloses a process step appearance, covering second film deposited on the first layer of film with step morphology, second film deposited the same copy form level, which is characterized in that: the second film of chemical mechanical polishing, the second film step of grinding out, after that second of the surface layer into the plane and has no steps, then etching on the second film remaining. The process steps were, before etching in the second layer of film with step morphology, the first chemical mechanical polishing, the steps disappeared, flat surface, and then dry etching, so after second steps of grinding film quality not too thick, dry etching can guarantee second layer film etching where the original clean, will not lead to the second film quality problems caused by other residues.

【技术实现步骤摘要】
台阶形貌的工艺方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种深沟槽填充方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，台阶形貌是经常出现的，比如在进行深沟槽填充之后，由于沟槽内填充的材质表面会低于衬底表面的材质，在沟槽口形成台阶；淀积各种膜层之后刻蚀形成的台阶，等等。又例如，沟槽栅MOSFET产品在形成隔离沟槽内多晶硅引出的结构时，用光刻胶保护隔离沟槽引出处的氧化硅，湿法刻蚀时，氧化硅层形成了约的台阶。栅极多晶硅poly淀积后，台阶处的多晶硅较其它地方厚约如图1所示。栅极多晶硅回刻时，在保证栅极多晶硅凹陷的同时无法将台阶处的多晶硅刻蚀干净，最终引起器件短路，如图2所示。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种台阶形貌的工艺方法，能够避免上层膜质在台阶处刻蚀后不会有残留。本专利技术所述的一种台阶形貌的工艺方法，在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜，淀积的第二层膜同样复制形成有台阶，其特征在于：对第二层膜先进行化学机械研磨，将第二层膜的台阶研磨掉，使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后，再对剩余的第二层膜进行刻蚀。进一步地，在对所述第二层膜进行化学机械研磨，研磨的厚度为6000～研磨至第二层膜表面平坦无台阶。进一步地，研磨后对剩余的第二层膜进行刻蚀，采用的方法为干法刻蚀。进一步地，干法刻蚀时，原台阶处的第二层膜不会偏厚，干法回刻后台阶处不会有第二层膜的膜质残留。所述第一层膜为氧化硅膜，或者为其他材质的膜层；所述第二层膜为多晶硅膜，或者为其他材质的膜层。本专利技术台阶形貌的工艺方法，在对具有台阶形貌的第二层膜进行刻蚀之前，先进行化学机械研磨，使其台阶消失，表面平坦，然后再进行干法刻蚀，这样研磨之后的台阶处第二层膜质不会偏厚，干法刻蚀时能保证原台阶处的第二层膜刻蚀干净，不会导致第二层膜质残留所带来的其他问题。附图说明图1是沟槽栅MOSFET产品栅极多晶硅淀积之后的示意图，在栅极多晶硅之下为氧化硅层，栅极多晶硅及氧化硅层均具有台阶。图2是栅极多晶硅干法刻蚀之后的示意图，由于台阶处的多晶硅较厚，干法刻蚀不能完全刻蚀干净，在刻蚀完成之后，氧化硅层台阶处有多晶硅的残留。图3是本专利技术工艺方法对第二膜层进行化学机械研磨的示意图。具体实施方式本专利技术所述的台阶形貌的工艺方法，在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜，淀积的第二层膜同样复制形成有台阶，对第二层膜先进行化学机械研磨，将第二层膜的台阶研磨掉，使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后，再对剩余的第二层膜进行刻蚀。在对所述第二层膜进行化学机械研磨，研磨的厚度为研磨至第二层膜表面平坦无台阶。研磨后对剩余的第二层膜进行刻蚀，采用的方法为干法刻蚀。干法刻蚀时，原台阶处的第二层膜不会偏厚，干法回刻后台阶处不会有第二层膜的膜质残留。所述第一层膜为氧化硅膜，第二层膜为多晶硅膜，或者为其他材质的膜层。以沟槽型MOSFET举例来说，在具有台阶的第一膜层(氧化硅膜)上淀积第二膜层(多晶硅)以形成栅极时，第二膜层多晶硅同样复制了第一膜层的台阶。按照传统工艺，此时如果直接进行刻蚀时，由于台阶处尤其是台阶下的第二膜层过厚，刻蚀时难以刻蚀干净而导致此处多晶硅残留，后续可能会引起器件短路功能失效。本工艺方法在第二膜层多晶硅淀积之后，采用CMP化学机械研磨的方法，对第二膜层多晶硅进行研磨，研磨量6000～本实施例研磨掉厚度的多晶硅，使多晶硅表面平坦再无台阶，如图3所示，然后再进行多晶硅的干法刻蚀。由于之前的CMP工艺已经降低了第二膜层多晶硅的厚度，台阶处的多晶硅厚度大大降低，干法刻蚀时能保证将多晶硅刻蚀干净，不会有残留问题。本专利技术台阶形貌的工艺方法，在对具有台阶形貌的第二层膜进行刻蚀之前，先进行化学机械研磨，使其台阶消失，表面平坦，然后再进行干法刻蚀，这样研磨之后的台阶处第二层膜质不会偏厚，干法刻蚀时能保证原台阶处的第二层膜刻蚀干净，不会导致第二层膜质残留所带来的其他问题。以上仅为本专利技术的优选实施例，并不用于限定本专利技术。对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种台阶形貌的工艺方法，在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜，淀积的第二层膜同样复制形成有台阶，其特征在于：对第二层膜先进行化学机械研磨，将第二层膜的台阶研磨掉，使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后，再对剩余的第二层膜进行刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种台阶形貌的工艺方法，在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜，淀积的第二层膜同样复制形成有台阶，其特征在于：对第二层膜先进行化学机械研磨，将第二层膜的台阶研磨掉，使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后，再对剩余的第二层膜进行刻蚀。2.如权利要求1所述的台阶形貌的工艺方法，其特征在于：在对所述第二层膜进行化学机械研磨，研磨的厚度为研磨至第二层膜表面平坦无台阶。3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李豪，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31