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本发明公开了一种台阶形貌的工艺方法,在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜,淀积的第二层膜同样复制形成有台阶,其特征在于:对第二层膜先进行化学机械研磨,将第二层膜的台阶研磨掉,使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后,再对剩余的第二层...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种台阶形貌的工艺方法,在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜,淀积的第二层膜同样复制形成有台阶,其特征在于:对第二层膜先进行化学机械研磨,将第二层膜的台阶研磨掉,使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后,再对剩余的第二层...